双级旋流器偏心对出口流场影响

采用试验研究方法,以同一旋流器搭配不同尺寸出口限制域为对象,研究了双级旋流器偏心后,出口流场的变化规律。研究表明:当限制域边界尺寸(L)与旋流器特征尺寸(D)比值小于某个特定值时(L/D=33),旋流器出口射流与壁面存在附着点,出口流场由收缩型变为扩张型;对收缩型流场,旋流器偏心对出口流场影响较大,尤其是径向速度场分布,由无偏心时的负值(小于-4 m/s)增大至正值(大于1 m/s);对扩张型出口流场,旋流器偏心几乎不影响出口轴向、径向速度的分布及大小,如中心线的轴线速度最小值均在-44 m/s附近,径向速度最小值均-1 m/s;进行旋流器设计时,通过减小出口限制域与旋流器特征尺寸比值的方式,使出口流场呈扩张型,可有效抑制旋流器偏心对出口流场的影响。     

中心分级多点直喷燃烧室冷态流动特性研究

为了探究中心分级双旋流多点直喷燃烧室冷态流动特性,采用数值计算和实验方法进行研究,建立了回流区主要特征参数定量描述方法,分析了主/副模旋流的发展过程,并获得了头部之间相互干涉以及冷却空气与旋流空气之间的相互作用规律.结果表明:在中心分级双旋流矩形燃烧室(模型A)中形成了稳定的中心回流区,回流区扩张角为30°,有利于小工...     

热处理炉PID控温系统的偏差分析与修正

对热处理炉中采用的PID温控系统在升温过程中出现控温偏差的原因进行了分析 ,并针对造成潜在超调的诸因素提出了改进方案和措施 ,其改进措施对实际热处理工艺过程控制具有一定的实用价值和指导意义     

薄壁零件数控加工工艺质量改进方法

 提出了通过数控加工前期的预防性仿真 (包括几何仿真与物理仿真 )分析与减小工件变形的数控工艺设计过程范式,将工件视为弹性体,模拟实际加工中的工艺约束,建立工艺模型,通过有限元分析检查变形引起的微观误差。并根据工艺成本代价,依次采取进给量局部调整、刀具路径修正、改进装夹方案、改进毛坯结构工艺性 4种策略,减小或消除加工变形误差,达到逐步改进工艺质量的目标。以某薄壁口框验证了通过预防性仿真改进工艺质量的有效性。     

环形激光陀螺误差测试及估计

在引进 L-1型环形激光陀螺 (Ring Laser Gyro,RLG)的基础上,对 RLG的各项误差,包括零偏、标度因数等的测试和估计进行了实验研究。对比研究了两种随机游走系数的计算方法;根据高低温环境测试数据,建立了零偏温度模型并进行了补偿;在国内首次采用 Allan方差技术对 RLG的各误差成分进行了分离和估计,实验证明 Allan方差法为一种评估 RLG性能的有效方法。     

SiC MOSFET器件单粒子烧毁仿真分析

应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁（SEB）风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施,文章利用半导体工艺器件仿真（TCAD）对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析,发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时,通过仿真获得器件微观电参数分布特性,分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度（5.4 MV/cm和4.2 MV/cm）超过SiC材料击穿场强（3 MV/cm）。此外,针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域,提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路,并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。     

卫星真空热试验数据库的设计与实现

真空热试验数据库是卫星环境工程数据库的一个重要组成部分.文章介绍了卫星真空热试验数据库的设计方法,首次实现了环境试验数据的实时在线录入和响应.文中给出了卫星真空热试验数据库的需求分析、总体设计框架和模块结构设计,以及多元化分析整体设计过程.该数据库现已应用于卫星真空热试验中,使得实时在线访问远程数据得以实现,同时为虚拟试验研究工作提供数据基础平台.     

一种面向弹道再入目标跟踪的HPD-SRCQSPF算法

针对弹道再入目标轨迹跟踪问题,提出基于混合建议分布的平方根容积求积采样粒子滤波（HPD-SRCQSPF）算法,该算法以混合建议分布为框架,由两个基本建议分布组成。其中一个基本建议分布为先验分布,另一个基本建议分布为平方根容积求积卡尔曼滤波估计后的值。该混合建议分布与真实的后验分布很接近,因此有着高效性、高精度等特点。仿真结果表明,对于弹道再入目标轨迹跟踪模型,相比于标准粒子滤波（SPF）算法和平方根容积求积粒子滤波（SRCQPF）算法,HPD-SRCQSPF算法可以在较低运算负载的情况下获得更好的跟踪性能。特别是在弹道目标变轨机动的情况时,所提出算法的性能增益更为显著。