振子框架式微机械陀螺的优化设计及电学模拟

 根据驱动模态频率和检测模态的频率相互匹配,用有限元法优化了振子框架式微机械陀螺的结构尺寸;根据建立的陀螺振动的等效电路模型,对检测振动的性能进行了模拟分析,该模型为传感器与接口电路的整体模拟打下了基础。     

往复轴磁性液体密封耐压能力及密封间隙内磁性液体运动状态的分析与研究.

研究了往复轴磁性液体密封间隙内磁性液体的运动机理，在此基础上从纳韦-斯托克斯方程出发得出了往复轴磁性液体密封的耐压公式。为了验证该公式的正确性，对密封结构的磁场分布进行了有限元计算，得出了密封结构的最大静止耐压能力，并且在实验台上验证了速度和行程夺密封耐压能力的影响。     

在DD3单晶上进行FGH95粉末激光多层涂覆:单晶涂层组织形式规律研究

利用高温合金 FGH95粉末在 DD3单晶的不同晶面上进行激光多层涂覆实验 ,深入研究了涂覆层中凝固显微组织的生长规律。研究表明基材的晶体取向和局部凝固条件对涂层中的凝固显微组织有很大的影响。当单晶基材择优晶向与热流方向夹角小于 30°时 ,可以得到从基材上外延生长的单晶 ,涂层内二次臂退化 ,枝晶一次间距为 10～ 2 0 μm;当实验所在的单晶基材的择优晶向与热流的方向夹角大于 30°时 ,涂层中晶体取向偏离基材的取向 ,并出现多晶。即便当实验在同一个择优晶面上进行时 ,局部凝固条件不同 ,涂层内的凝固显微组织也有很大的差别。二次臂退化 ,一次臂间距大约为 10～ 2 0 μm。进一步的研究表明 ,涂层中主要组成相为枝晶干上分布的基体相 γ和沉淀硬化相 γ′以及枝晶间的 γ+γ′花状共晶和少量碳化物 ,γ′相主要为具有良好强化效果的细小立方体 ,尺度约为 0 .1μm     

基于PSZT的RAINBOW型驱动器研究

基于反铁电陶瓷 (PSZT)化学还原制备的 RAINBOW驱动器是一种具有内部应力偏移 ,兼有还原层和氧化层 ,驱动位移较大的新型驱动器。实验发现 :反铁电陶瓷较易还原 ,理想还原条件为 :870℃保温 2～ 3h;与普通反铁电驱动器相比 ,RAINBOW驱动器能在强度较低的电场作用下发生铁电相变 ,并得到很大的轴向位移 (约 190μm) ;加载方式对 RAINBOW的驱动性能具有决定性的影响     

飞/推综合控制模式亚声速半物理仿真试验

飞/推综合控制考虑飞机和发动机之间的性能耦合，彼此进行信息的综合，从整体最优的设计出发，充分发挥飞机和发动机的性能潜力，提高飞机性能。为了验证飞/推综合控制模式的性能效益，提出并开展了该控制模式在亚音速下的半物理仿真试验的研究，结果表明：在平飞加速工况下，采用最大推力模式，可提高发动机推力约9％；在亚音速巡航时，采用最小油耗模式，可节省单位油耗约1．5％。     

等离子喷涂Cr_3C_2-NiCr涂层的气孔率统计分析

研究了等离子喷涂Cr3C2 NiCr涂层的气孔率服从正态分布、对数正态分布和韦伯分布的拟合优度。在统计分析的基础上 ,考察了喷枪移动速率和涂层厚度对涂层气孔率的影响。结果表明 ,在不同喷枪移动速率下喷涂不同厚度涂层 ,其气孔率均同时显著地服从正态分布、对数正态分布和韦伯分布 ,它们的变异系数在 0 .17～ 0 . 4 8,韦伯模数在 2 .0～ 6 . 2 ;根据不同分布估计出的平均值的置信区间基本相同。在相同的喷涂工艺参数条件下 ,厚度小于10 0 μm的涂层的气孔率较高 ;当涂层的厚度较厚时 ,涂层的气孔率为一常数。在 50 ,75和10 0m/min三种喷枪移动速率中 ,以 75m/min喷枪移动速率喷涂涂层的气孔率最低。     

尾喷管内外超声速流场数值模拟

采用有限元法数值模拟带二次流可调收－扩喷管内外跨声速和超声速流场，在计算中采用四边形等参元确定位移函数，利用加权余量法中的Galerkin法建立有限元方程，数值研究三种型式喷管和四种飞行工况下尾喷管内外流场。计算结果与实验数据符合较好，说明可用此数值模拟技术帮助开展实验研究，进行尾喷管优化设计。     

高能推进剂燃烧效率研究和实测比冲预估

采用燃烧残渣中活性铝含量分析、真空爆热和发动机试验等方法，研究了高能推进剂中主要组分对推进剂燃烧效率的影响。研究结果表明：增塑剂的种类和含量是影响效率的主要因素，AP的含量及固体组分的粒度级配也有明显影响；BSF－φ315发动机试车结果证明高能推进剂的的实测比冲效率大于0．94。采用软件计算发动机的实测比中，可预估高能推进剂配方在不同压强及燃速条件下标准试验发动机（BSF－φ165和BSF－φ315）试车的实测比冲值。     

反应烧结碳化硅陶瓷航天器燃烧室的研制

采用反应烧结碳化硅陶瓷制备形状较复杂且尺寸精度要求高的某航天器燃烧室。研制结果表明：用反应烧结碳化硅陶瓷制备某航天器燃烧室是合适的,其强度随Ｓｉ含量的变化而有较大变化,在本文试验条件下,制件的最佳Ｓｉ含量为１０．５％ ;该方法适于制备使用温度在１５００℃以下尺寸精度要求高的高温结构件。