一种准循环低密度校验码部分并行编码结构设计

为了满足在一个系统中使用多码率低密度奇偶校验（LDPC）码字的需求,设计了一个多码率准循环LDPC（QC LDPC）码编码器;按照功能,将编码器分成输入缓存单元（ISU）、生成矩阵存储单元（GMSU）、矩阵乘法运算单元（MMU）以及输出缓存单元（OSU）4个主要组成部分;通过使用多个小块存储器组合的方式设计ISU可以使无效存储空间降到最低;通过分析各种码率生成矩阵特点,将矩阵进行分割,从而将各种码率生成矩阵所需要的信息存储在若干个存储单元中;MMU用于完成信息位与矩阵的乘法与求和运算,运算单元的数目和GMSU的数目相等;OSU中包括两个存储器,采用乒乓操作,以提高编码速率。通过管脚的选择,此编码器支持0.4, 0.6以及0.8码率3种编码模式。最后用Altera公司的现场可编程门阵列（FPGA）EP1S801508C7对编码器进行了实现。结果显示此编码器仅耗费5 339个逻辑单元,占FPGA总逻辑单元的7%,耗费439 296比特的存储器资源,占FPGA总存储器资源的6%。     

高超声速飞行器构型的数值模拟、试验研究与优化设计

综合升力体和乘波构型的气动性能优势,发展了一种高超声速飞行器前体气动构型的设计方法。运用该方法参考某高超声速飞行器气动布局方案,设计了一种高超声速飞行器气动布局。对该类高超声速气动布局进行了数值模拟、优化设计和试验研究;并研究了该类气动布局在高空飞行时,稀薄气体效应对气动性能的影响。数值模拟结果表明：构型前体预压缩面能够将高压气体封闭在构型下表面,实现了乘波构型的设计概念;优化设计结果表明,对于该构型宽展比应在0.4~0.6之间,通过优化升阻比至少有3%~5%的提高余地。对DSMC算法的碰撞模型和有效碰撞次数进行了改进,发展了临近空间飞行器气动性能模拟软件。研究结果表明,在临近空间区域,该类气动布局的升阻比特性略有下降,但仍旧保持了高升阻比的气动优势。     

利用多普勒原理测量微机电系统中微结构的动态特性

介绍了将显微扫描激光多普勒测振仪与基础激振法相结合的微结构动态特性的非接触无损测量方法、扫描激光多普勒测振仪的工作原理、设计的基础激振器及其驱动信号.并给出典型微结构--微悬臂梁的测量结果.测量结果与理论计算及有限元仿真结果相符,验证了该方法的有效性.     

数控加工钨渗铜材料工件的工艺参数选用

针对钨渗铜材料切削性能差,在数控切削加工过程中易产生裂纹、崩料、变形等质量缺陷,从刀具、切削参数、切削液选用及走刀路线的安排等方面综合考虑,提出了解决问题的工艺方法。     

基于知识库系统的飞机结构设计关键技术

该系统实现了与CATIA的无缝连接,对知识的浏览机制、检索策略、基于CAA的三维模型预览、工程算法使用以及图表插值等关键技术进行了描述,可处理公式、图表、表格和文字等多种知识类型.最后,通过一个实例验证了该系统的可行性.     

轴流压气机转子尖部三维复杂流动Ⅱ——数值模拟研究

在实验研究和理论分析的基础上,对亚声速压气机转子尖部复杂流动做了数值模拟研究,旨在进一步深入研究叶尖间隙和进口总压分布对转子叶尖复杂流动的影响。首先通过对与实验条件相同的转子尖部复杂流动的数值模拟研究,校验了数值模拟结果,并分析了转子尖部复杂流动速度场、压力场和涡量场分布特性。然后通过改变叶尖间隙尺度和进口总压分布,研究了二者对近叶尖复杂流动的影响。研究结果表明:当叶尖间隙小于1%叶片弦长时角区旋涡的发展是导致转子失速的关键;而当叶尖间隙大于2%叶片弦长时叶尖泄漏涡的发展是导致转子失速的关键;改变进口总压分布可以合理地组织转子尖部流动并扩大转子工作裕度。此外,通过观测近叶片吸力面二维涡线的发展趋势可以判断叶尖复杂流动的发展状态。     

控制策略对无轴承开关磁阻电机

分析了无轴承开关磁阻电机(BSRM)的3种负载控制策略(方波控制策略、最小磁势控制策略和平均悬浮力控制策略),以及每种策略下由悬浮力方程和转矩方程求解超前角和绕组电流的方法。由于控制对象和求解过程所引入约束条件的不同,即便相同负载状况时,3种控制策略求取的超前角和绕组电流结果也不同。利用瞬态有限元法获得了电机的动态磁密分布,并研究了3种控制策略下电机分别表现出的磁场特性。通过双频法分离铁损,分别计算了3种控制策略在不同转速时的电机涡流损耗和磁滞损耗,给出了电机铁心各部分损耗随转速变化的关系,由此得到了3种控制策略对铁心损耗的影响。     

适于黏性计算的自适应笛卡儿网格生成及其应用

复杂外形的黏性网格生成已经成为计算流体力学(CFD)在工程应用中的主要瓶颈,高效而鲁棒的网格生成技术研究显得尤为迫切。使用基于物面外形自适应加密的笛卡儿网格方法生成计算网格,投影方法拟合壁面边界,将投影得到的柱形单元沿法向分层获得适于黏性计算的网格。应用特征恢复技术恢复凹面特征并改善凸面处的网格质量。流场解算中应用最小二乘法重构获得2阶精度,Roe格式计算无黏通量,Holmes-Connell方法计算黏性通量。加入Spalart-Allmaras一方程湍流模型以获得湍流解。上下对称高斯 赛德尔迭代(LU-SGS)格式隐式时间推进,对网格重排序保证格式的稳定性和平衡性。算例显示网格生成方法是快速的和鲁棒的,流场计算精度满足工程需求,因此该方法非常适合应用于实际工程计算。     

后掠翼三维鼓包串激波控制参数的影响

针对跨声速后掠翼,三维鼓包串作为一种有效的减阻方式具有结构简单、高效及鲁棒性好等优点.利用全局优化算法探索了鼓包设计参数空间的整体特性,并对鼓包长度、三维鼓包展向设计参数对鼓包减阻效果的影响进行了研究,发现鼓包顶点位置和高度对阻力系数最敏感,三维鼓包的展向设计参数则对阻力系数不敏感,而鼓包长度和鼓包相对展长越长越有利于减阻.在此基础上开展了小后掠角自然层流机翼加3种不同类型鼓包串的优化研究,通过优化结果发现,增加优化后的三维鼓包串,可将小后掠角自然层流机翼阻力发散马赫数向后推移,并且鼓包平均长度和控制区越大,效果越好.三维鼓包串具有良好的局部控制特性,可用于局部较强激波的抑制.三维鼓包串对常规后掠翼波阻具有良好的控制效果,同时能够抑制激波诱导的机翼后缘气流分离.      

Effect of sodium tartrate concentrations on morphology and characteristics of anodic oxide film on titanium alloy Ti–10V–2Fe–3Al

The effect of sodium tartrate concentrations on morphology and characteristics of ano-dic oxide film on titanium alloy was investigated. The alloy substrates were anodized in different concentration solutions of sodium tartrate with the addition of PTFE emulsion and their morphol-ogy and characteristics were analyzed. The anodic oxide film presented a uniform petaloid drums and micro-cracks morphology. Additionally, micro-cracks dramatically swelled with the increase of the tartrate concentrations. The thickness of the anodic oxide film increased with the concentra-tions until the concentration reached 15 g/L. The results of Raman analysis illustrate that all sam-ples have similarity in the crystal structure, consisting of mainly amorphous TiO2, some anatase TiO2 and a small amount of rutile TiO2. And the ratios of anatase TiO2 and rutile TiO2 increase with the concentrations until it reaches 15 g/L. Furthermore, the intensity of the peaks increases with enhanced concentrations until the concentration reaches 15 g/L. The corrosion resistance of the anodic oxide film is increased by the sodium tartrate with higher concentrations before 15 g/L. The coefficient of friction of the anodic oxide film reduces with the concentrations until the concentration reaches 15 g/L, then the coefficient of friction of the anodic oxide film increases with the concentrations.