SiC MOSFET器件单粒子烧毁仿真分析

应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁（SEB）风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施,文章利用半导体工艺器件仿真（TCAD）对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析,发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时,通过仿真获得器件微观电参数分布特性,分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度（5.4 MV/cm和4.2 MV/cm）超过SiC材料击穿场强（3 MV/cm）。此外,针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域,提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路,并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。     

二维气动问题中Kriging代理模型精度影响因素

以二维跨声速临界翼型的阻力特性为对象,探讨样本点数目、Kriging代理模型参数及其类型等对模型精度的影响.阻力系数采用计算流体力学（CFD）方法得到.模型精度的验证采用交叉验证方法,采用平均误差、最大误差和标准交叉验证残差来衡量Kriging代理模型的精度.研究结果表明:①Kriging代理模型预测气动阻力效果较好.②模型精度随样本点的增多而提高,剔除与样本点响应趋势不相符的“奇异点”后,模型精度显著提高,平均误差减小5%~38%,最大误差减小13%~77%.③核函数类型对模型精度的影响最大,相关参数次之,回归模型的影响最小.采用高斯相关函数、2阶多项式回归模型,以及合适的相关参数值时,Kriging代理模型的精度最高.      

大型反射面天线温度分布规律及变形影响分析

针对高频段大型反射面天线对电性能的高要求,必须降低太阳热辐射对天线的影响。先计算一天中太阳入射角度的变化规律,再基于I\|DEAS软件仿真,得到一天中各时刻天线反射面上的温度、热应力场、热变形分布,然后针对阴影对天线结构的重要影响,以“分点分段”的形式给出不同时刻温度在反射面上的分布及其影响程度和规律,为工程人员进行天线的温度补偿和结构优化提供了依据。     

求解最小费用最大流问题的一种方法

介绍了最大流问题的多解,提出了通过调整圈来求解最小费用最大流的方法。     

OPNET仿真软件在校园网中的应用

OPNET是目前一种很好的网络仿真工具。详细分析了较为通用的校园网,根据给定的校园网网络拓扑结构建立仿真中的网络模型,运用OPNET仿真软件对校园网内部简单的电子邮件传递服务和比较繁重的HTTP浏览进行了详细的研究。在网络模型的基础上,进行指定仿真数据的搜集工作,最后运行仿真,并根据产生的报告给出分析和总结。     

带不同形状吸力面小翼的压气机叶栅变间隙实验研究

为了控制和降低压气机中由叶尖间隙引起的泄漏损失,对加装不同形状的吸力面小翼变间隙流场进行了实验研究。通过五孔探针测量叶栅出口流场,详细分析了不同间隙下吸力面叶尖小翼对压气机叶栅出口流场结构、气动损失和通流能力的影响。结果表明:与常规叶栅相比,附加吸力面小翼的叶栅泄漏涡涡核向远离叶片吸力面移动,且强度明显减弱,泄漏涡的起始点转移到吸力面小翼的最大厚度轴向位置处。不同形状的吸力面小翼在大间隙高度下对叶栅损失的影响较为明显,其中SW25方案叶栅在3%h间隙高度下效果最佳,可使叶栅出口总压损失降低15.38%。研究的三种不同形状的吸力面小翼仅在小间隙高度下改善了叶尖泄漏涡造成的叶栅出口气流角的过偏转/欠偏转现象。     

飞机起飞静平衡状态计算

针对目前起飞计算考虑简单的问题,建立飞机起落架的简化模型,并在此基础上对飞机的静平衡状态进行受力分析,提出了静平衡状态飞机的数值仿真模型。最后以实例进行计算,结果表明静平衡状态的研究有利于更准确地研究和分析飞机起飞的动力学特性。     

航班在机场终端区时延解析计算的新方法

航班的空中等待时间和地面延迟时间是对航行系统进行评估的有效性指标 ,其计算目前普遍采用的是以 Monte-Carlo法为代表的一类统计计算方法 ,耗时过长是这类方法无法回避的缺陷。利用随机服务系统理论 ,详细分析了机场终端区的飞行、管制程序和空域结构 ,建立其运营模型 ,最终得出计算公式 ,成功地解决了快速分析计算航班等待和延迟的问题     

后加载叶型叶栅的三维压力场及其对损失发展的影响

在低速环形叶栅风洞上对具有后部加载叶型的常规直叶片叶栅和弯曲叶片叶栅进行了吹风实验，得到了两种叶栅的叶片和上、下端壁表面的静压系数分布及气动性能。实验结果表明，后部加载叶型能够建立对应优良气动特性的叶栅内部三维压力场，同时采用弯叶片技术可进一步优化展向静压系数分布。