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691.
本文较为详细地介绍了通用型涡轮叶片冷效试验专用蜗壳舱的研制过程,经调试试验证实,蜗壳舱的各项指标都达到了设计要求.蜗壳舱的研制成功,提高了我国涡轮叶片冷效试验能力,降低了试验成本,缩短了冷效试验周期,试验效益明显提高.  相似文献   
692.
李洁  陈伟芳  任兵 《推进技术》2005,26(2):106-110
构造可仿真含化学反应的稀薄/连续不同流动区域的DSMC/EPSM混合算法,应用该算法,数值模拟过渡区有横向喷流干扰的二维有限平板高超声速化学反应流场,分析流场结构和物面气动系数分布等特性,充分反映稀薄/连续混合区域高超声速流动中的化学反应效应,同时通过与DSMC算法比较,论证DSMC/EPSM混合算法的可行性与计算效率相对提高的优越性。  相似文献   
693.
带有微型涡轮的旋转盘腔局部换热特性   总被引:3,自引:1,他引:3       下载免费PDF全文
对带有微型涡轮的转-转系涡轮盘腔进行了换热试验。微型涡轮的主要作用是使冷气通过上游涡轮盘的反旋喷嘴推动涡轮盘转动,从而降低气流的总焓,同时改变气流的旋转速度,形成更好的冷却环境。试验采用热膜加热、热电偶测温和遥测仪采集数据的方法进行,上下游转盘同时加热。试验结果表明:随着无量纲质量流量、旋转雷诺数和浮升力的增大,努赛尔特数增大,换热效果增强。这为进一步的数值计算和优化提供了依据。  相似文献   
694.
Cr4M04V钢表面预制缺陷对滚动接触疲劳性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用推力片实验研究了表面预制缺陷对Cr4Mo4V高温轴承钢滚动接触疲劳性能的影响。应用洛氏硬度计和维氏硬度计预制不同形状、不同大小的表面缺陷,通过扫描电镜记录滚动疲劳裂纹的萌生、发展乃至试样失效的全过程。结果表明,表面预制缺陷对Cr4Mo4V钢滚动接触疲劳性能有很大的影响。不同形状的预制缺陷对疲劳性能有不同的影响,且疲劳性能有明显的缺陷尺寸效应。  相似文献   
695.
利用有限元软件计算出柔性铰链结构参数与振动频率的训练样本,然后通过样本训练人工神经网络建立了柔性铰链结构振动频率与其结构参数的非线性映射关系,最后利用训练好的神经网络修正框架的结构参数以满足设计要求的固有频率。  相似文献   
696.
特殊形状橡胶密封圈的性能分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用非线性有限元法对特殊截面形状的橡胶密封圈进行了分析.通过轴对称有限元分析模型, 分析了其在矩形沟槽内装配压缩过程中的变形和应力变化, 以及应力的分布情况, 同时还对承受单侧压力的密封情况进行了研究.对于密封圈的抗扭转特性以及在特殊压力负载情况下的密封特性也进行了模拟并且和普通O形圈进行了对比.结果表明, 所采用的方法能够预测特殊形状的密封圈在压缩中的变形和应力等特征参数, 加深了对其密封性能的了解, 并对同类密封结构设计有一定的指导意义.   相似文献   
697.
结合现代防空作战特点,分析了影响目标威胁评估与排序的因素,在模糊物元分析的基础上,结合欧氏(欧几里得)贴近度的概念,提出了基于欧氏贴近度的模糊物元分析法.在对空袭目标进行威胁评估与排序时,将目标的各个特征作为物元的事物,以其各项评价指标及其相应的模糊量值构造复合模糊物元.通过计算与标准模糊物元之间的欧氏贴近度,并采用信息熵法计算各评价指标的权重,实现了对空袭目标的威胁评估与排序,为空袭目标威胁评估与排序提供了一个新的方法.  相似文献   
698.
考虑转捩的跨声速气冷涡轮叶片气热耦合计算   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了研究转捩对气热耦合计算的影响,在B-L代数模型与SST(shear stress transport)k-ω二方程模型的基础上,增加了两类基于间歇因子的转捩模型:代数AGS(Abu-Gharmam Shaw)模型与一方程间歇因子输运方程.选取NASA-MARKⅡ跨声速叶片为算例,分别采用全湍流模型与加入转捩的模型进行气热耦合计算.数值计算结果与试验对比表明由于能够预测附面层中的转捩过程,采用转捩模型的耦合计算得到的结果与试验吻合最好,由于在叶片壁面附近的网格较粗,采用间歇因子输运方程的转捩模型计算的结果要逊于采用代数转捩模型的结果.   相似文献   
699.
论述了瓷介电容器老化对检测的影响。对典型的X7R型瓷介电容器老化的分析,选择去老化的方法可以减少其对检测结果的影响。  相似文献   
700.
C/SiC复合材料在空气中的氧化烧蚀   总被引:1,自引:5,他引:1       下载免费PDF全文
张杰  魏鑫  郑力铭  孙冰 《推进技术》2008,29(4):488-493
针对C/SiC复合材料进行了空气工作环境下的烧蚀研究。分析了C/SiC复合材料的氧化机理,研究了C/SiC材料的氧化烧蚀的影响因素。根据氧化机理,对不同温度下材料的氧化烧蚀进行了模拟,针对SiC材料建立了相应氧化剥蚀模型,并对平板材料的氧化情况进行了模拟计算,将计算结果进行剥蚀情况和非剥蚀情况下的比较讨论。计算结果表明,在不同的温度下C/SiC复合材料的氧化有不同的控制机理,SiO2层的剥蚀将导致SiC材料的氧化烧蚀率增加。  相似文献   
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