翼盒结构的可靠性分析及基于系统可靠性的优化设计

 本文研究了翼盒结构的可靠性分析及基于系统可靠性的结构优化设计方法。采用发展了的优化准则法枚举系统的主要失效模式,和Feng的高精度法计算系统破坏概率,提出两个迭代公式进行元件尺寸的优化设计。算例结果表明本文方法是中、大型结构系统可靠性分析及优化设计的有效方法。     

TEC计算方法探讨和赤道异常北驼峰时空特征测量初析

本文探讨了应用最小曲率原理由单站微分多普勒频移数据计算TEC时所遇到的问题和解决办法。处理了用MX1502大地定位接收机于1989年8月和9月先后在陕西临潼和北京观测的NNSS卫星多普勒频移数据,得到了TEC时空分布曲线。分析这些曲线,得到了TEC赤道异常北驼峰时空特征在太阳活动高年(尤其是8月中旬太阳特大质子事件中)的某些结果。     

变目标方位角导引法

研究一种用于近程弹道式地－地弹的导引法，它是借用空－空弹常值目标方位角导引法的概念，把它改变成按弹道设计需要而变化的目标方位角导引法，去攻击地面固定目标，它有减小气动阻力，提高命中相对精度的优点，称它为变目标方位角导引法。     

太阳风中的动力论Alfven激波

本文指出因动力论Alfven波的存在非线性作用，从而能引起波连续陡化;这种情况下考虑频散效应，理论上应该形成中间激波.针对这一物理思想，在二元流体模型下，引进离子声反常阻尼，数值解出中间激波的结构.     

采用梁元的加强框结构可靠度计算

以梁元为可靠性分析单元建立了一种新的加强框结构的可靠性计算模型,采用可靠性理论方面的新成果进行了分析计算,研究了若干参数(如可靠性分析单元个数、元件强度差异系数和相关系数坟外载荷差异系数)对计算结果的影响,为加强框设计提供了依据。     

基于特征的参数化设计方法

从集成角度,分析了特征定义及信息构成,并采用层次结构表达特征信息。在此基础上提出特征最小构成单元特征面,通过附着面特征之间发生联系。在参数化造型时,以尺寸驱动方式修改特征形状与定位,提出用局部坐标架网表示特征之间位置依赖关系,最后,提出运用面向对象方法组织特征信息。     

星基量子定位导航系统的测距、定位与导航

基于量子定位导航系统原理,设计并分析了基于3颗卫星的星基量子定位导航系统的测距与定位过程,包括星地光链路的建立、量子纠缠光的发射与接收、到达时间差的获取、量子定位导航系统的测距,以及用户坐标的计算与导航,并对量子定位导航系统中的每个过程的实现进行了详细的阐述。     

复合材料C型柱轴压失效分析的层合壳建模方法

由于易于设计、制造以及承载效率高,C型柱作为一种典型的垂向支撑结构,大量应用于大型运输类飞机货舱地板下部。以复合材料C型柱结构为对象,并结合复合材料C型柱轴向压缩试验,旨在发展其在轴向压缩载荷下失效分析的有限元方法。首先,对材料模型的应力-应变曲线进行参数化研究,明确Lavadèze材料单层模型、Puck IFF基体失效准则和Yamada Sun纤维失效准则中参数的物理意义并给出取值建议。其次,建立"层合壳"模型,模拟轴向压缩载荷下破坏失效的力学行为,并与试验结果进行对比分析。研究结果表明,该建模方法能够较好地模拟渐进压缩破坏过程,平均压缩载荷、比吸能的预测值与试验结果具有较好的一致性。     

间歇采样重复转发对雷达恒虚警检测性能的影响分析

作为一种新型相干干扰,间歇采样转发干扰可以获得雷达脉冲压缩增益,对雷达系统构成了很大的威胁。针对采用线性调频脉冲压缩和单元平均类恒虚警检测的雷达系统,在分析了间歇采样重复转发压制干扰原理和雷达恒虚警检测的工作原理的基础上,理论分析推导了不同间歇采样占空比、转发增益和不同的噪声功率背景条件下重复转发干扰在真实目标CFAR检测区间的能量。通过分析信号能量、噪声能量和干扰能量之间的关系,推导了不同干扰参数下CFAR检测器的信噪比。研究结果表明,在重复全转发这种干扰样式下,采样频率、占空比均是影响影响检测器的重要参数,当优化参数配置,使得转发能量尽量位于检测单元内时,有相对理想的对抗效果。     

铜互连扩散阻挡层工艺优化

针对金属线间击穿电压小、可靠性差的问题,对铜扩散阻挡层（包括钽阻挡层厚度和氮化硅阻挡层薄膜质量）进行研究优化。使用自对准双重图形（SADP）方法能够使金属互连线的特征尺寸缩小,使得互连线扩散阻挡层的厚度期望降低。通过制备不同厚度的钽阻挡层对金属互连体系电阻和击穿电压做详细对比分析,发现硬质的钽金属对化学机械研磨（CMP）产生影响,导致互连体系电阻和击穿电压随着钽阻挡层厚度减小而增加,过薄的阻挡层会导致阻挡性能降低、整体晶圆均一性变差;铜线界面上存在的氧元素极大地降低了氮化硅的黏附性,影响阻挡层性能。在氨气预处理阶段通入不同流量的氨气,在预沉积阶段改变预沉积时间,增加过渡阶段,通过实验分析氮化硅的黏附性,结果证明:氨气流量的增加、预沉积时间的减少、过渡阶段的增加能提高氮化硅的黏附性,改善了薄膜阻挡能力。