铜感应同步器元件防变色膜层试验总结

钢及铜合金在储存和使用过程中非常容易变色。产生变色的原因主要有三种可能。一种是在含二氧化碳的潮湿大气中,铜被腐蚀,生成绿色碱式碳酸铜(见反应式Ⅰ);另一种是在干燥大气中和较高温度下,铜被氧化生成黑色氧化铜(见反应式Ⅱ);还有一种可能就是在工业大气中,铜受硫化氢、二氧化硫等硫化物的腐蚀,生成黑色硫化铜(见反应式Ⅲ)。     

49号防雾剂在光学玻璃上的镀膜工艺及膜层性能试验

49号防雾剂的化学名称是十二烷基三甲氧基硅烷 C_(12)H_(25)Si(OCH_3)_3,是一种较好的憎水型玻璃防雾膜层材料。49号防雾剂在光学玻璃上成膜的化学过程,据武汉大学化学系及解放军59163部队所著一文介绍:49号防雾剂水解     

烧／侵蚀耦合效应及其对再入体落点的影响

研究了再入体零迎角再入飞行过程中的烧／侵蚀耦合效应，讨论了烧／侵蚀耦合效应对导弹落点的影响，在研究过程中提出了烧／侵蚀外形法向处理方法，并对不同的再入条件进行了烧／侵蚀外形及再入弹道计算，计算结果表明，烧／侵蚀外形法向处理方法简单可靠；零迎角再入飞行时烧／侵蚀耦合效应能够引起一定的落点偏差，且落点偏差的值与再入条件有关。     

集成化虚拟装配系统体系结构研究

针对虚拟装配系统中的信息孤岛问题,提出了与CAD系统集成的虚拟装配系统体系结构。通过信息双向传递的VA-CADPIM模型实现虚拟装配系统与CAD系统的设计集成;采用虚拟手和鼠标、键盘的混合交互模式使设计者在沉浸式虚拟环境与非沉浸式CAD环境中相互切换,充分发挥沉浸式与非沉浸式环境的优势;通过分析系统信息流、运行原理及工作流程描述了系统的集成工作过程。基于CATIA V5及其二次开发环境,Immersion Virtual Hand SDK和组件技术实现了虚拟装配原型系统IVADS。通过某飞机的实例验证,表明该体系结构能够实现虚拟装配系统和CAD系统的无缝集成,具有较好的可扩展性和易移植性。     

空客飞机和波音飞机的带飞与操纵

空客飞机与波音飞机是现今世界上占飞机总数量最大的两种机型,空客飞机与波音飞机各有优缺点。分析了这两种飞机带飞与被带飞的特点,从起飞和着陆两个方面进行阐述,说明空客飞机和波音飞机的带飞和操纵是大同小异,各有优缺的。要想把一种机型飞好或摸熟就需要在理论学习的基础上,刻苦训练,才能成为一名优秀的飞行员。     

复合材料面板阻燃抗菌防霉性能

采用热熔法制备抗菌防霉预浸料,并对其力学性能、燃烧产物、阻燃性能以及抗菌防霉性能进行了系统的评价。结果表明:复合材料面板的燃烧产物中CO、HF、HCl、NOx、SO2、HCN等6种毒性气体含量均远远低于标准;阻燃性能优异,无火焰穿透,无熔融物滴落,且平均自熄时间大都为0 s;防霉性能均为0级;抗菌性能随着抗菌防霉剂含量的增大而增强,其中当抗菌防霉剂含量≥2%性能随着抗菌防霉剂的添加呈下降趋势,为了兼顾力学性能与抗菌性能,创新设计不同抗菌防霉剂分布而保持平均含量不变的复合材料面板,对比抗菌性能结果发现将抗菌防霉剂含量高的预浸料分布在表面时得到的复合材料面板拥有最优异的抗菌性能,成功实现结构生物安全一体化。     

Al-Zn-Mg-Cu合金多道次热变形及固溶处理过程中的晶粒演变

定量研究Al-Zn-Mg-Cu合金多道次热变形及固溶处理过程中的晶粒演变。采用Gleeble 1500D热模拟机进行热压缩实验,采用电子背散射衍射(EBSD)定量表征微观组织。主要研究变形量、变形道次、变形温度以及变形速率对平均晶粒尺寸、再结晶体积分数、大小角度晶界比例等微观组织特征的影响。结果表明:平均晶粒尺寸、再结晶体积分数以及小角度晶界比例均随着变形道次的增加而降低;随着温度的升高,大角度晶界比例减小,小角度晶界比例升高;平均晶粒尺寸和大角度晶界比例随着变形量的增大而减小,而小角度晶界比例的变化则呈现出相反的趋势。     

高频浅体声波晶体频率源

本文论述了高频浅体声波(SBAW)晶体延迟线的设计和制造。为了避免低频体波源倍频后固有相位噪声的增大,就要求直接产生频率为千兆赫范围的信号。如果用一个体波晶体锁定千兆赫频率,就可改善其近载频相位噪声。本文所提到的延迟线采用近似AT和BT切晶体,因为AT切具有高的波速,而BT切则具有良好的温度稳定性。采用串联模型来选择设计参数。该模型利用窗口宽度,指数,波速及耦合常数来预测辐射电阻、电容和转换损耗。把该模型与传输损耗的实测数据结合起来考虑,就能准确地预测延迟线的总插入损耗。近来对该模型的仔细研究表明,在千兆赫频率上,插入损耗和Q值之间有着很好的折衷解决办法。用电子刻蚀法在有机玻璃保护层上做出0.4μm的图形。保护层一般是单层的。但也试验过多层方案。已经提出金属换能法的叉指是否灌封在晶体中的判断准则。通常金属叉指并不灌封在晶体中,器件仍具有低的插入损耗、高的Q值及良好的温度稳定性。AT切晶体的基波与五次泛音延迟线和BT切晶体的五次泛音延迟线均采用卸下(Lift—off)法制作。频率范围为3—5GHz。其最好的延迟线的插入损耗不到20,Q值大于2000。使用在高真空下冷焊的TO—8外壳还设计出了低耦合的封装。此延迟线不用有机材料,而是将其固定在一个无应力的不锈钢支架上。本文也给出了相应噪声和预老化数据。