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11.
层合顺序对各向异性层合阻尼结构动态性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
本文将各向异性设计引入层合阻尼薄板中,主要对几组阻尼层交替层合与集中阻尼芯层层合的各向异性阻尼结构的内耗和刚度的温频特性进行实验研究。为各向异性层合阻尼结构理论和轻量化高阻尼设计奠定基础。实验结果表明:在实验温度(0-70℃)和频率(1~200Hz)范围内。交替层合度影响不一定,结构的内耗和刚度的温度特性均优于集中阻尼芯层结构;而频率对结构内耗和刚与具体结构参数和结构总层数有关。 相似文献
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14.
聚对苯撑苯并双嗯唑(PBO)纤维制备及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用4,6-二氨基间苯二酚(DAR)与对苯二甲酸(TPA)缩聚的方法制备PBO聚合物溶液,在180—200℃使聚合物形成液晶态,利用干喷湿纺制法制备纤维。采用DSC、Raman及XRD等方法对纤维进行表征。制备的纤维与商品纤维相比,具有相同的结构和热性能,但表面形貌和强度有差异;两种纤维具有6个相同的主要Raman光谱带,但制备纤维的峰面积较小。制备的PBO纤维热降解温度达650℃,热牵伸处理可使纤维的模量提高至240~300GPa。 相似文献
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17.
结合10000 m^3/h空分设备高纯氧的生产过程,撰述了在高纯氧产品生产过程和产品质量控制中分析仪器的选型及使用这些分析仪器的一些体会. 相似文献
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20.
为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间,实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验证电路进行单粒子翻转性能对比,电路的抗单粒子翻转阈值由采用标准六管单元的抗单粒子翻转阈值大于25 MeV·cm 2·mg -1 提升至大于45 MeV·cm 2·mg -1 ,加固单元面积较标准六管单元增大约21.3%。30万门级抗辐照FPGA电路通过脉冲屏蔽单元结合抗辐照SOI工艺实现,其抗辐照指标分别为:抗单粒子翻转阈值大于37.3 MeV·cm 2·mg -1 ,抗单粒子锁定阈值大于99.8 MeV·cm 2·mg -1 ,抗电离总剂量能力大于200 krad(Si)。 相似文献