高空生理实验数据库系统软件设计

介绍了高空生理实验数据库系统软件设计原理、方法及特点。该系统以ＰＣ－４８６／６６型计算机为核心,采用Ｗｉｎｄｏｗｓ９５操作系统及ＦｏｘＰｒｏ数据管理系统作为软件环境。系统软件采用模块化结构设计及编制。该系统的建立实现了高空生理实验资料和数据的计算机综合统一管理     

基于小孔成像技术的中能电子成像谱仪及其空间观测结果

中能电子测量对空间辐射环境的理论研究和空间航天器的防护设计具有重要意义。北京大学研制的中能电子成像谱仪(BD-IES)利用小孔成像技术实现多方向中能电子的能谱测量。地面标定试验结果表明,BD-IES具有良好的能量线性度和较小的系统噪声,能够有效实现对中能电子的能谱测量。该仪器已成功应用在我国导航卫星上。最新测量结果表明BD-IES对中能电子的测量是成功的,其结果对于研究如亚暴注入、波-粒子相互作用等空间物理热点问题具有重要意义。BD-IES未来将被应用到"风云"等空间环境探测平台上。     

羽流对卫星的影响及模拟

介绍在没有外流的高真空环境下,国外的一些发动机羽流边界及撞击卫星部件的力学特性计算模拟方法。详细给出了用工程近似方法计算羽流场和撞击特性,并给出了美国通讯卫星 Satcom 和 Gstar Ⅱ有关喷管流动和羽流参数的算例。在介绍了国外现有的地面模拟设备后,介绍了我所设备的模拟能力并提出了开展模拟工作的方向。     

燃烧室缝槽气膜冷却方案研究

针对超音速飞行器冲压发动机高马赫数、长航时的特点,结合工程计算方法和设计思想,建立了燃烧室缝槽气膜冷却过程一维计算模型,详细研究了各主要因素对气膜冷却效果的影响,并给出了某型冲压发动机高温燃烧室缝槽气膜冷却结构参考设计方案。结果表明,通过改善结构布局,合理分配缝隙冷气流量,可以有效地提高气膜冷却效果、降低壁温,适应高温燃气参数分布对隔热屏的热防护要求。     

同轴谐振器低气压放电击穿瞬态电学行为研究

气体微波电离引起的低气压放电效应是限制微波部件功率容量的可靠性问题之一,而击穿瞬态电学行为的研究有助于诊断系统响应。目前大功率微波部件的击穿诊断与电路系统联系不够紧密,而探究放电所产生的等离子体对系统的影响能够改善这一现状。以TEM模式下谐振频率为2.6GHz的同轴谐振器为研究对象开展低气压放电实验,获得了100~1000Pa气压范围内谐振器的击穿功率阈值随气压的变化关系实验曲线,并通过正反向调零模块中功率计记录气体电离击穿前后的S11值。结合谐振器内部放电后的烧蚀痕迹将气体电离击穿后所产生的等离子体等效为圆柱型介质块,进行建模仿真获取放电发生后S11与谐振频率随气压变化的关系曲线,分析并发现局部阻抗的负载状态随着气压的升高是逐渐由容性向感性转变。最后基于测试系统的调零模块计算得到电离击穿前后谐振器局部阻抗的变化量与气压的实验关系曲线,验证了建模仿真结果。     

高超声速飞行器横侧向气动布局准则研究

主要研究高超声速飞行器副翼控制下的横侧向稳定性问题,针对满足传统稳定性判据的飞行器出现振荡发散的现象,通过对具体的运动过程进行机理分析,给出了反映该现象的预测判据,该判据的优势在于进一步完善了横侧向闭环稳定判据,为气动布局评估和设计提供依据。最后通过具体的特征点例子说明预测判据的有效性。     

应用于空间燃料电池的氢技术研究进展

对燃料电池的工作原理和分类、氢气的制备、存贮技术进行了分析。通过研究储氢相关技术国内外研究现状、趋势和应用情况,结合当前空间应用的各种条件,认为可充分结合水电解技术、固态储氢、电化学泵和氢压缩机等技术开展可再生燃料电池的研究,形成与航天器太阳能电池组联动、互补的系统,进一步延长供电寿命,为未来长寿命航天器的发展提供技术储备。     

材料非线性性质的解析表达

将材料拉伸实验曲线由比例极限到屈服极限（或名义屈服限）的非线性段，用一个含有四个参数的解析式子来表达。在此基础上，根据材料特性及最小二乘法原理，对９种金属材料的拉伸实验数据进行曲线拟合，得到各自相应的参数值。最后通过误差分析，验证了上述解析式的可用性，并阐述了它的实际意义。     

Hg_(1-x)Cd_xTe 中杂质对及双空位深能级的研究

以A.Kobayashi等的半经验紧束缚模型和Hjalmarson-Vogh-Wolford-Dow深能级理论为基础,计算了Hg1-xCdxTe中阳离子位替代式杂质（包括N,O,C）与最近邻替代式杂质形成sp3键杂质对后阳离子位杂质A1对称性深能级的变化以及最近邻理想双空位（Vc,Va）的深能级。计算结果表明：阳离子位杂质A1能级的变化取决于与其配对杂质的电负性,杂质对a1能级组分依赖关系dE/dx小于阳离子位单杂质A1能级的dE/dx,大于阴离子位单杂质T2能级的dE/dx,不同杂质对的dE/dx基本相同;理想双空位（Vc,Va）在能隙或近能隙区域产生一个a1态深能级,该能级的dE/dx很小,对于CdTe,位置在0.5eV,对于x<0.37的Hg1-xCdxTe,该能级成为导带共振态。