AutoCAD环境下图形参数化实现方法研究

在ＡｕｔｏＣＡＤ图形环境下,基于对图形理解的策略,通过数据库中图形实体数据的分析和图形之间约束关系的推理,判断其中图形实体和尺寸实体的关系,并参照机械制图的隐含约束关系,建立图形和尺寸之间的联系,最后基于约束联系,生成ＡｕｔｏＬＩＳＰ参数化绘图程序,避免了人工编程,由此实现了图形的参数化,提高了绘图效率和ＣＡＤ技术的应用水平。     

高斯分布圆口径天线菲涅尔区能量传输效率分析

文章对菲涅尔区两圆口径天线间能量传输效率进行了分析,给出了聚焦条件下两高斯分布圆口径天线间能量传输效率的解析表达式。并给出能量传输效率随不同高斯分布参数σ和菲涅尔数C变化的计算结果。结果表明:使圆口径天线间能量传输效率最大的最佳口径场分布可通过高斯分布来近似实现,且对于每一个菲涅尔数C都有一个最佳的σ使得两天线间能量传输效率最大,当菲涅尔数较小时,最佳σ≈C/3,随着菲涅尔数C增大,σ趋于C/2。     

网络实时录播系统在网络课程库建设中的应用

不改变传统教学方式 ,利用网络实时录播系统可以有效地发挥传统电教设备的作用 ,轻松实现网上直播、实时记录和点播 ,构建网络课程库     

抗辐射模拟CMOS集成电路研究与设计

为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法.在宇宙环境中,卫星中的模拟CMOS集成电路存在CMOS半导体元器件阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底的漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加.所以提出了3种对模拟CMOS集成电路进行抗辐射加固的方法:1)抗辐射模拟CMOS集成电路的设计;2)抗辐射集成电路版图设计;3)单晶半导体硅膜(Silicon on Insulator,SOI)抗辐射工艺与加固设计.根据上面的设计方法研制了抗辐射加固模拟CMOS集成电路,可以取得较好的抗辐射效果.     

储氢合金的性质及发展趋势

本文介绍了储氢合金的性质,Ｎｉ－ＭＨ电池原理,以及储氢合金对Ｎｉ－ＭＨ电池所产生的影响,根据目前科学技术的发展以及市场的需求,提出了未来储氢合金及Ｎｉ－ＭＨ电池的发展趋势。     

用低纯原料制备电冰箱起动器PTCR的重要途经——热敏钛酸钡陶瓷第二相结晶

根据Al_2O_3-SiO_2系统相图,调整Al_2O_3,SiO_2添加剂比例,可在热敏钛酸钡陶瓷显微结构中形成莫来石结晶相,莫来石的形成改善了用国产低纯原料制备电冰箱起动器PTCR的性能。本文就莫来石第二相与PTCR性能关系进行了讨论。     

正规基上的快速乘逆算法

根据有限域GF(2~m)上的正规基表示,本文提出一种新的快速乘逆算法。该算法把计算乘逆的复杂忭从O(m)降低到O(1/m)。     

展望系统辨识方法在大攻角气动问题研究中的应用

在分析了目前进行飞行器大攻角气动特性研究所采用的尾旋风洞试验、常规风洞自由飞试验和遥控模型自由飞试验的优缺点之基础上指出:把系统辨识方法与这些试验方法结合起来,是一种行之有效的研究飞行器大攻角气动问题的技术途径,它可以简化这些试验方法的一些技术环节,提高试验精度。若气动数据来源于尾旋风洞,这种新方法只能研究飞机的发展尾旋和改出尾旋;若气动数据来源于常规风洞,这种新方法也只能研究飞行器的大攻角、偏离、过失速和失速性滚摆/滚转模态;只有通过模型自由飞获取气动数据,这种新方法才有可能研究包括尾旋全过程在内的各种大攻角飞行模态。     

新的被动自适应起落架缓冲器设计与着陆性能研究(英文)

研究了一种双腔双阻尼的被动式自适应缓冲器;给出了此缓冲器的数学模型,并基于动力学仿真软件ADAMS建立了该缓冲器的虚拟样机;分析了该缓冲器的着陆动态性能及其主要参数对全机着陆动态性能的影响.分析表明:在使用功条件下,自适应缓冲器的着陆性能比单腔变油孔缓冲器性能略好;而在粗暴着陆条件下,自适应缓冲器的过载远小于单腔变油孔缓冲器,起到主要减载作用.增大高压腔、低压腔体积或增加低压腔压力或减小高压腔压力均可使自适应缓冲器的过载减少.     

最小二乘直线函数的特性分析

证明了最小二乘直线函数是一种严格的凸函数。F(a,b)=∑(y-ax_i-b)~2是一个椭圆抛物面。a=[n∑x_iy_i-∑x_i∑y_i]/[n∑x_i^2-(∑x_i)~2]和b=[∑x_i^2∑y_i-∑x_i∑x_i∑y_i]/[n∑x_i^2-(∑x_i)~2]仅表示极值点。a=∑x_iy_i/∑x_i和 b=[∑x_i^2∑y_i-∑x_i∑x_iy_i]/[n∑x_i^2]在某些情况下可以是极值点,但不是在每种情况下都是极值点。