不同运行模式下跑道容量评估技术研究

跑道容量的大小是机场能否进行高效率运行的一个关键因素,准确评估出跑道的理论容量对机场的实际运行有着至关重要的作用.对单跑道的理论容量进行建模,在单跑道的基础上研究了近距跑道与远距跑道的不同运行模式下的跑道容量数学模型,根据相关机场具体的数据对模型进行验证,并用SIMMOD PLUS仿真软件对机场的场面实际运行情况进行仿真,通过计算出的跑道理论容量与仿真出的空侧容量对比,结果表明机场跑道理论容量计算模型具有较好的实用性.     

利用偏振图像加权融合及CLAHE算法的水下成像方法

针对传统基于偏振差分原理的水下光学成像方法中目标退偏振特性差异引起的图像中局部反射光损失的问题,本文提出了基于偏振图像加权融合与限制对比度自适应直方图均衡（Contrast Limited Adaptive Histogram Equalization, CLAHE）算法的水下成像方法。一方面,将原始水下图像分解为偏振光强图像和非偏振光强图像,根据不同退偏振特性目标在两幅图像中的灰度值分布特点,设计相应的权重因子,对两幅图像进行加权融合。从而实现在压缩原始水下图像中散射光的同时,保留更多目标反射光,提升整体目标反射光在融合图像中所占的比例。另一方面,为了进一步提升融合图像的对比度,利用限制对比度自适应直方图均衡算法对融合图像进行处理。该算法能够在提升融合图像对比度的同时,有效避免图像噪声的放大。实验结果表明,相比于传统的偏振差分方法以及独立的直方图均衡化算法,本文提出的算法能够有效提升水下图像的清晰度和对比度。     

基于Virtex4的SoPC系统设计

随着微电子技术的飞速发展和嵌入式系统要求的提高,硬件集成度迅速增长,以FPGA作为物理载体进行芯片设计的SoPC设计方式已经兴起.以PowerPC405处理器硬核为核心,开发基于PowerPC405的SoPC系统.本系统中,将通常独立的处理器、外设,分别作为硬核、软核集成入FPGA中,达到系统可编程、减少外围器件数目和PCB面积、降低功耗以及提高系统抗干扰能力等目的.针对SoPC开发的关键技术进行分析,最后采用Xilinx的Virtex4 FPGA实现基于PowerPC405的SOPC系统.     

基于CAN总线的并网监控系统的设计与实现

文章以光伏并网电站为背景,介绍了一种基于CAN总线的并网监控网络系统,为了提高数据处理能力,下位机采用2407作为整机控制单元,硬件上详细论述了DSP与CAN的接口电路。软件设计则以CAN模块为主体,实现上、下位机的实时通讯,并开发了以.NET为框架的C#平台,进行了监控界面的设计。     

航空制造领域移动机器人加工系统研究综述

移动机器人加工系统在航空大部件装配领域应用广泛。由于移动机器人加工系统脱离定点作业模式进行移动加工,在实际加工过程中,其大部件待加工部分的高精度定位以及切削加工过程的加工稳定性问题必须要得到研究和解决。通过对国内外先进移动机器人加工系统的研究综述,重点研究移动状态下大部件高精度定位技术以及加工过程中的振动抑制问题,以实现移动机器人的稳定切削加工,并对有待解决的问题及未来的研究方向进行了讨论和展望。     

应用端弯叶片增加压气机喘振裕度

本文介绍了某型高压压气机考虑端壁附面层影响改进设计的端弯叶片,试验证明:喘振裕度增加7.3％,效率提高4.1％,流量、压比变化很小。飞行试验证明:解决了空中停车问题,在飞行包线内能保证可靠稳定工作,发动机和飞机性能都有较大的提高。     

基于DSP的ARINC429总线接口设计

ARINC429总线广泛应用在军用及民用飞机上,针对现今要求较高的自动测试系统中广泛采用VXI测试总线结构,同时VXI-ARINC429接口板价格昂贵的现状,对应用在某型飞机空对地攻击系统的自动测试系统中的VXI-ARINC429接口板进行了设计研究.该接口板采用了高速DSP、高集成度的CPLD和高性能的ARINC429接口芯片,经过测试表明,该接口板性能稳定可靠,很好地满足了自动测试系统的需求.     

DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT

The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib–Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic–Ic0 as well as the related changes of the current gain (β) will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic–Ic0 increase; β and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of β are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT’s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phe-nomena were observed: Ic–Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will β in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristics was also discussed.