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91.
介绍了一种可以用于弹载被动制导系统的、可以减小空间占用面积的超宽带共形对数周期折合槽天线。给出了单个天线的仿真和实测结果,以及这种天线安装于共形平台上的测试结果。该型天线采用了共面波导馈电方法,具有抗振动、抗冲击、短时耐高温等特性。此外该型天线还具有低剖面、易于安装于大型金属表面等特点。  相似文献   
92.
基于DoDAF的在轨维护与服务系统需求分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于DoDAF标准,对在轨维护与服务系统进行需求分析,增强系统使用者和开发者之间理解的一致性,为系统的分析、设计及扩展提供有利条件.选定典型的在轨维护与服务活动,应用DoDAF标准进行需求分析,得出在该活动下的系统需求,集成不同活动的需求便可以完成在轨维护与服务系统的整体需求.以在轨装配为例说明了具体的分析过程.基于D...  相似文献   
93.
高频地波雷波抗雷电干扰研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
高频地波雷达(HF-GW Radar)作为探测超视距目标的有效手段在海防武器系统中担当重要的角色。高频段电磁环境恶劣,近区雷电在这一频段激发的天电噪声对HF-GW雷达的正常工作构成了严重干扰。通过分析雷电在HF-GW雷达多普勒域表现的奇异性,本文提出了利用小波变换在多普勒域检测雷电干扰的方法和一种抑制雷电干扰的方案。现场实验表明本文方法有效提高了HF-GW雷达抗雷电干扰的能力。  相似文献   
94.
星载数字电子设备的辐射加固技术(一)   总被引:9,自引:0,他引:9  
对国外星载电子设备特别是常用的CMOS器件在空间环境下的抗辐射性能进行大量调研和长期跟踪,在此基础上总结了国外近年来对大规模集成电路辐射失效机理的研究成果,对比了各种器件工艺集成电路的抗辐射性能,重点分析了星载电子系统总剂量辐射损坏、单粒子翻转和单粒子锁定机理,针对这三种由空间辐射引起的星载电子系统失效这一特殊问题,分别介绍了国内外行之有效的辐射加固技术,最后提出了设计星载电子系统的一些建议。  相似文献   
95.
航天器编队飞行及其关键技术的开发   总被引:1,自引:0,他引:1  
简要论述由分布式航天器系统构成的空间编队飞行的概念 ,扼要介绍 NASA为未来航天器编队飞行项目开发的几项关键技术 ,着重阐明基于 GPS的分散式编队飞行控制和相对导航技术能充当未来多星编队飞行任务的导航系统 ,从而使未来的空间科学研究发生深刻变化  相似文献   
96.
新一代运载火箭地面测试发控系统一体化设计概述   总被引:2,自引:0,他引:2  
系统介绍了以民用新一代运载火箭 (系列 )为背景 ,以一体化的设计思想为指导原则 ,开展的地面测试发控系统的研究、设计工作 ,着重论述了以控制系统为核心的一体化设计的必要性和可行性 ,同时对地面测试发控系统设计方案和总体布局进行了概括阐述  相似文献   
97.
本文采用白光数字散斑相关方法对煤在单轴压缩下变形破坏进行研究,定量的测出了煤的变形局部化带宽度.并通过应变梯度塑性理论,在屈服函数中引入应变梯度二阶项.采用Drucker-Prager准则解析得出了煤试件的变形局部化带宽度公式并根据试验确定煤的材料内部长度.  相似文献   
98.
单粒子锁定极端敏感器件的试验及对我国航天安全的警示   总被引:1,自引:3,他引:1  
随着半导体特征工艺尺寸减小、集成度提高,静态存储器(SRAM)对单粒子锁定呈现出极其敏感的现象和趋势,为此国际航天界开展了大量的试验评估工作,剔除和杜绝了一些极端敏感器件在空间的应用.结合国内外空间应用背景,文章利用脉冲激光实验装置和重离子加速器,分别对三星公司新旧两种型号的4 M位SRAM芯片进行了单粒子锁定试验评估.试验测得两型号芯片的单粒子锁定阈值差异巨大,新型号芯片的锁定阈值低于1.5MeV·cm2/mg,而老型号芯片的锁定阈值高于39.6MeV·cm2/mg.这种对单粒子锁定极端敏感的芯片若应用于空间,将会发生0.008~0.04次/天的频繁锁定事件,极大地威胁航天器的安全和可靠.为应对这种单粒子锁定极端敏感的现象和趋势,提出了加强我国航天产品设计、元器件采购、筛选、试验等的规范、技术和条件的建议.  相似文献   
99.
基于Modbus协议的校飞集中监控系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
根据机载校飞设备相对分散、数据采集量大等特点,综合应用Modbus现场总线技术,结合组态王软件特点,构建校飞集中监控系统。利用组态王研制出机载校飞设备的监控系统,实现机载校飞设备的实时监视、控制,可以实时采集和显示设备的相关参数,并能进行事后回放。系统大大降低了校飞成本,提高了工作效率。  相似文献   
100.
为研究影响介质-导体相间结构深层充电特性的内在因素,设计了不同构型的试验样品,利用90Sr放射源模拟空间高能电子环境对样品进行深层充电辐照试验,测量了充电电位的差异。并借助深层充电三维仿真软件计算介质-导体相间结构在不同几何构型情况下的深层充电电位、电场分布。试验和仿真结果表明,介质最高表面电位以及介质内部最大电场均与介质宽度和高度呈正相关。其他条件不变时,介质越宽,或越高于导体表面,发生放电的风险就越高。在介质与导体侧面存在微小缝隙情况下,介质内最大电场显著增强,易发生内部击穿。而在介质与导体之间的真空间隙内,电场很容易超过击穿阈值,放电风险很大。航天工程应用中为降低此种结构深层充放电的风险,在满足绝缘性能及其他要求的前提下应尽量减小介质的宽度,降低介质与导体间的高度差,并确保介质与导体侧面接触良好。  相似文献   
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