亚声速气流中五孔探针的校准及应用

0.3m×0.2m结冰风洞是一座回流式亚声速风洞,它是3m× 2m结冰风洞的1:10缩尺引导风洞,用于结冰风洞设计、调试和运行的关键技术研究.介绍了针对该风洞点流向测量而设计的小尺寸五孔探针排架在一座专用校准设备上进行标定的实验结果,同时还给出了该引导风洞点流向测量的结果.校准及测试结果表明:校准数据处理所采用的线性离散模型满足亚声速条件下小尺寸五孔探针的校准精度要求,五孔探针对点流向的测量精度可达士0.04°;结冰引导风洞主试验段及低速试验段各个截面点流向均在±0.5°以内,满足设计要求.     

基于MCGS组态软件对机械手的控制

针对工业现场中纯粹的基于PLC对机械手的控制系统的一些不足,如对现场设备运行情况的实时监控,人机交互、数据处理等方面的不足,提出通过MCGS组态软件对机械手的控制,实现对机械手运行情况进行有效、实时、便捷的监控,提高了劳动生产效率及自动化水平,在工业生产中有广泛的借鉴意义。     

考虑平稳风修正和塔架干扰的风力机叶片3-D风场模拟

为准确模拟风力机纵向、横向和垂直向的3-D随机风场,以南京航空航天大学自主研发的NH1500风力机为例,首先采用考虑沿高度变化的指数模型、塔影效应影响的潜流模型和上游风机尾流影响的涡流粘度模型对平稳风进行修正。然后基于空间变化的改进Von Karman风谱模型,结合谐波叠加法模拟风力机的来流脉动风速时程,再利用改进的叶素-动量理论获得考虑叶片旋转效应和塔架-叶片相干效应的风力机纵向、横向和垂直向3-D随机风场。该方法充分考虑风力机风场模拟的外界干扰因素和自身特性,提高了风力机系统风场模拟的准确度。算例分析表明,本文方法可以准确地模拟给定风环境的风力机系统3-D风场。     

冲击压缩下甲烷的状态参数实验研究

为了研究冲击压缩下用作电探针保护介质的甲烷气体状态参数 ,用二级轻气炮加载方法加速平面钨合金飞片到 4.77km/s、4.89km/s和 5 .0 5km/s,撞击封装有甲烷气体的铝靶。采用六通道瞬态光学高温计系统记录下甲烷气体的高温辐亮度历史 ,拟合出甲烷的表观辐亮度温度。给出了对应飞片速度下初始压力为 0 .1 2MPa的甲烷气体的冲击压缩参数。实验分析表明 ,强冲击波压缩下的甲烷波后温升较小 ,冲击波后的气体存在非平衡热辐射过程和非平衡化学反应区。分析认为 ,甲烷气体是优越的电探针保护气体     

动态湿润过程中薄液膜厚度场的演化

采用润滑近似分析完全浸润流体低毛细数下的动态湿润过程.结果表明,van der Waals长程相互作用力对表观接触线附近的液膜厚度场有重要影响,对于排斥的van der Waals力,膨胀压力大于零,自由界面上气相压力高于液相压力,液膜厚度随van der Waals力的增大而增大.毛细数对液膜厚度的影响表现为毛细数越大,液膜越厚.      

松耦合分布式技术在飞参系统设计中应用与发展

分析了计算机系统设计思路与系统结构的发展趋势,进而对如何建立高性能的飞行参数记录系统结构进行了研究,并对采用这一结构模型的飞参系统的未来发展提出了几点看法。     

从闭合式格林函数推导微带表面波本征值方程

从闭合式格林函数推导出微带介质结构的表面波本征值方程,给出了一种新的表面波本征值方程的推导方法。在闭合式格林函数中,通过推导出平面介质结构的表面波本征值方程,可以方便的从中提取出表面波的贡献,从而使其用Prony’s方法或GPOF方法近似时,可使曲线更平滑。     

基于局部洪泛优化的低轨星座分布式路由算法

针对传统分布式路由算法应用于大型低轨星座时拥塞控制能力有限的问题,提出了基于局部洪泛优化的分布式路由算法。该算法通过局部洪泛的机制收集星间链路的拥塞信息,以应对局部通信需求密集所导致的常见拥塞现象;通过局部路径优化,以较低运行开销实现了流量疏导和网络负载均衡。并且该算法可适用于多层低轨卫星网络结构,不会产生路由环路,对卫星随机故障具有宽适应性。仿真实验表明:该算法在通信需求分布不均的高网络负载情况下能降低2%~10%的丢包率,并对网络随机故障具有鲁棒的表现。     

大展弦比无人机高速风洞测力试验技术研究

本文针对大展弦比无人机布局特点,开展了2.4m风洞测力试验技术研究,主要包括专用高精度大载荷天平研制、支撑系统的优化设计、支撑干扰的有效扣除等,利用CFD手段和ANSYS分析软件,有效地建立了大展弦比无人机高速风洞测力试验技术,并成功投入应用,获得了满意的试验结果.     

新型薄膜材料在电子倍增器中的应用研究

为了提高核探测、航空航天、国防和精密科学仪器等领域中传统电子倍增器的性能,使其在较低的工作电压和入射电子能量下实现高增益、低噪声、长寿命的目标,在材料制备、二次电子发射测试和电子倍增器性能优化等方面开展了大量研究工作。利用原子层沉积(atomic layer deposition, ALD)技术研制了具有较高二次电子产额(secondary electron yield, SEY)的新型薄膜材料,研究了元素掺杂和表面修饰改善材料二次电子发射特性的方法,详细测试了薄膜材料的二次电子发射特性参数。利用ALD技术将新型薄膜材料成功应用于微通道板(microchannel plate, MCP)和单通道电子倍增器(channeltron electron multiplier, CEM)中,测试结果如下：相同工作电压下,镀膜后MCP组件的增益、单电子分辨率、峰谷比分别改善了约166%、17%和260%;对于单个CEM,镀膜前工作电压为2700V时增益才能达到10⁸,而镀膜后1600V下即可达到相同增益(工作电压降低了1100V),并且其它各项参数(分辨率≤26%,累计拾取...