加强高校教师人文素养的探究

振兴民族的希望在教育,振兴教育的希望在教师。高校教师人文素养的高低直接关系到高校素质教育的成功与否。因此解读高校教师人文素养的内涵,剖析高校教师人文素养的缺失及成因,着力提升高校教师自身的人文素养已成为深化教育改革、全面推进素质教育的当务之急。     

基于综合信道模型的星地信道性能研究

全球导航卫星系统由位于不同轨道上的多颗卫星组成。卫星轨道和地面用户位置的差异造成了星地链路传播机制和统计特性的差异。信道的统计特性对于卫星系统的性能有着重要的影响。文章建立了星地信道综合模型,考虑了不同大气条件和传播机制的影响。基于此模型,给出了调制方式为二元相移键控时的误比特率与信噪比的关系。研究方法和结果可为全球导航卫星系统的仿真和设计提供借鉴。     

Structure of the Disturbed Magnetosphere

The quasitrapping region (QTR) at the night side of a disturbed magnetosphere in the majority of models is either absent completely or merges with the plasma sheet of the magnetosphere tail. At the same time these two regions are different both in the topology of the magnetic field and in the character of motion of charged particles. Moreover, it is the region of quasitrapping that is conjugate to the zone of auroral active forms; i.e., it can be called the auroral magnetosphere. Models of the magnetosphere in which the tail structures of the magnetic field are directly adjacent to the boundary of stable trapping (in particular, the isotropic boundary model) are based on erroneous assumptions. Our understanding of the processes of magnetosphere substorms and magnetic storms depends on a correct understanding of the magnetosphere structure.     

AlN/GaN HEMT毫米波器件结构仿真研究

为实现更高工作频率的氮化镓（gallium nitride,GaN）基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）器件，采用薄势垒外延结构、缩小栅长对提升器件的截止频率十分重要。通过对不同氮化铝（aluminium nitride,AIN）势垒层厚度以及不同尺寸栅长的AlN/GaN HEMT进行仿真分析，系统研究不同结构对器件短沟道效应、直流及频率等特性的影响。首先固定栅长为100nm，研究了跨导与截止频率随AlN势垒层厚度的变化情况。跨导随势垒层厚度的增加先增大后减小。当势垒层厚度为4nm时，跨导达到最大值(592mS/mm)，截止频率也达到最大值。为尽可能提升器件的截止频率，同时避免器件出现短沟道效应，固定AlN势垒层厚度为4nm，研究器件截止频率与短沟道效应随器件栅长的变化情况。仿真表明器件截止频率随栅长的减小而增大，50nm栅长的器件截止频率最高，但栅长为50nm时器件短沟道效应严重，此时器件纵横比(Lg/Tbar)为12.5。因此需要提升器件的纵横比，当器件栅长达到100nm时(Lg/Tbar=25)，器件短沟道效应得到抑制，且具有较高的截止频率。仿真结果表明，AlN HEMT具有较高的截止频率，同时应采用较大的纵横比设计(纵横比为25左右)以抑制短沟道效应，为后续高频AlN/GaN HEMTs器件的制备提供了理论依据。