变截面星孔药柱在温度冲击载荷作用下的力学特性

基于热传导方程,时装有变截面星孔药柱的火箭发动机物理模型进行了合理简化,并根据推进剂材料的粘弹性本构关系,结合热流变简单材料的特性,对其受温度冲击栽荷的情况进行了数值计算,得到温度冲击载荷作用下药柱的实时温度场及应力.应变特性,分析了星尖处的应力随时间的变化及在药柱长度方向上的变化规律,得到药柱肉厚及温度冲击都会对应力...     

电信大数据分析下的时空区域经济可视化应用

当前,国内移动电话用户已达15.9亿,在巨大的用户基数下,电信大数据呈现的特征在一定程度上反映了人群活动特征,进一步能够反映特定区域的发展状况。时空区域经济可视化应用利用数据挖掘技术对电信大数据进行处理和提取,以提高数据质量,并对数据进行不同规则的筛选,通过建模技术进行分析,结合电子地图数据、交通数据等多源信息,多角度分析用户行为特征。该应用分析对时空区域经济状况进行可视化研究,分析居民生活属性,同时,利用双重差分（DID）统计模型对区域经济政策进行评价。基于特征分析结果,为区域经济发展热点选址、指导城市商圈布局提供决策依据,提高了城市系统运行的效率,扩大了经济区域效益范围。      

航天器交会寻的段三冲量制导方法及误差分析

提出一种航天器空间交会寻的段的三冲量制导方案.以节省燃料和提高末制导精度为目标,设计出基于Hill方程寻优和轨道预报实时优化的双重优化方法,对无初始误差及测量误差情况下的寻的制导效果进行仿真分析,并且对存在初始误差与测量误差时的寻的制导进行模拟打靶试验.仿真结果表明此方法在保证终端精度的同时能较好地节省燃料,并且对于误差影响具有鲁棒性,计算量较小,具有工程可实现性.     

基于PCI总线的GPIB通讯卡的设计

介绍了一种基于PCI总线的GPIB总线通讯卡的设计方法。利用PCI9052芯片巧妙地实现了高速PCI总线与慢速设备的连接,板卡在系统驱动程序控制下可以实现GPIB总线规定的所有控者功能。     

镍基单晶合金叶片振动特性分析

利用通用有限元程序Marc分析了单晶叶片的振动特性,考虑了取向、温度和转速的影响。计算结果表明,[111]取向的固有频率大于[001]取向的,取向对高阶固有频率的影响比低阶的大;温度升高,固有频率下降;随着转速增加,固有频率也在增加。转速对[001]取向固有频率的影响要比[111]取向的大。在工作状态下,转速对低阶频率的影响大,对高阶频率的影响则比较小。     

EB-PVD制备箔材的厚度均匀性研究

从真空蒸镀中使用的小平面蒸发源理论出发,针对电子束物理气相沉积中为改善箔材厚度分布所须旋转大基板进行蒸镀的情况,建立了该过程的数学模型;并利用该模型对不同的坩埚位置所沉积的箔材厚度进行了定性分析,从而实现了对坩埚与基板相对位置的优化,使基板上沉积的箔材厚度分布可以达到最均匀的状态.最后通过K值的提出使理论和实际箔材厚度的结果趋于一致,即证明所建立的数学模型是合理的.     

民用飞机壁板蒙皮及长桁布置结构优化设计

机身壁板是飞机结构设计的重要承载组件,轻量化、高效率、共通性设计及优化是民机设计关注的重点。首先提出一种耦合ABAQUS的Buckle分析及ISIGHT优化的设计方法,利用自编子程序获取ABAQUS屈曲特征值,将特征值输入ISIGHT中计算临界屈曲载荷,同步更新变量参数及ABAQUS文件并提交计算,迭代分析直至优化流程结束。采用上述方法考虑轴向压缩载荷情况,以壁板整体重量最小为优化目标,疲劳应力值为约束条件,对单曲度金属机身壁板的蒙皮厚度,长桁数量及长桁截面厚度等几何参数进行优化。在满足壁板结构承载能力及总重量最小条件下,综合考虑结构载重比,临界应力及壁板加筋比,对比分析出一组最优参数,并与工程算法结果对比吻合程度较好,两者相对误差为3.73%。该优化思路实现FEA平台与优化工作一体化,可用于复合材料壁板设计及结构件减重优化工作,一定程度上可缩短零组件设计周期。     

基于飞秒光学频率梳的双通道光频测量设计

基于差频技术的单块飞秒光学频率梳被广泛应用于光频的精密测量领域。通过将飞秒激光的重复频率和载波包络相移同时锁定至原子钟上,可以将飞秒光学频率梳的稳定状态延长至9 h。文中提出了一种基于飞秒光学频率梳的双通道光频测量设计,并且针对两种待测光频的不同情况,给出了不同的测量方法。这种设计对将来实现高效率的光频测量具有重要意义。     

一种基于PXI总线复合视频信号转接卡

介绍了基于PXI总线、多路视频信号转接卡PXI接口电路、转接功能和软件驱动的设计,实现了利用AD8111转接芯片完成了将单路信号转接到所需的通道上进行测试的目的。     

DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT

The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib–Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic–Ic0 as well as the related changes of the current gain (β) will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic–Ic0 increase; β and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of β are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT’s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phe-nomena were observed: Ic–Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will β in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristics was also discussed.