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941.
“双证书”制度即职业资格和学历证书并重制度,该制度既是经济社会发展对高技能型专门人才的一种客观要求,也是高等职业教育为适应经济社会发展而进行的一种自我完善,同时高等职业教育的办学层次定位-培养目标-办学特色等方面也决定了“双证书”制度是高等职业教育健康发展的基本策略和必由之路。  相似文献   
942.
儒家传统文化与旅游生态伦理   总被引:4,自引:0,他引:4  
近年来,旅游业作为经济发展的支柱产业得到了迅速发展,但同时也给国家、社会和旅游目的地的环境造成了巨大压力。鉴于旅游发展中,人们过度追求经济效益和社会效益,而忽视环境效益的现状,构建旅游生态伦理体系就显得异常重要。儒家文化是我国传统文化的主流,其核心思想对我们今天的旅游发展具有良好的借鉴和指导作用。文章建议以儒家传统文化为文化基础,以旅游发展的利益相关者为出发点,建立良好的旅游生态伦理体系,以保证旅游业的良性发展。  相似文献   
943.
介绍了同步发电机基于电路模型的动态仿真方法,指出了应用它在分析同步发电机动态特性时具有的优点。  相似文献   
944.
在飞行器航迹计算中,与插值法存在的缺陷相比,神经网络方法具有显著的优越性。通过对插值法和BP神经网络方法原理和工作过程的详细分析,以及在此基础上针对某飞行器航迹参数的计算实例,比较了线性插值、多项式拟合与神经网络方法的误差,表明神经网络方法具有更好的计算精度。  相似文献   
945.
从真空蒸镀中使用的小平面蒸发源理论出发,针对电子束物理气相沉积中为改善箔材厚度分布所须旋转大基板进行蒸镀的情况,建立了该过程的数学模型;并利用该模型对不同的坩埚位置所沉积的箔材厚度进行了定性分析,从而实现了对坩埚与基板相对位置的优化,使基板上沉积的箔材厚度分布可以达到最均匀的状态.最后通过K值的提出使理论和实际箔材厚度的结果趋于一致,即证明所建立的数学模型是合理的.  相似文献   
946.
原子氧对Kapton/Al薄膜性能影响研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
模拟空间环境下原子氧辐照条件,通过采用固定的原子氧束流密度进行不同时间辐照试验,研究了温控涂层材料Kapton/Al薄膜的质量损失、光学性能、表面形貌和表面粗糙度的演化规律.试验结果表明,原子氧对材料的剥蚀量与原子氧的作用时间成正比例关系.材料辐照后太阳吸收率发生明显变化,而辐射率几乎不发生变化.辐照后试样表面的粗糙度,是影响太阳吸收率变化主要因素.随着辐照时间的增长,材料表面粗糙度增加,导致太阳吸收率增大.  相似文献   
947.
聚苯乙烯粉末选择性激光烧结成型机理的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析了聚苯乙烯粉末材料选择性激光烧结成型机理,并通过填充改性方法提高其成型性能.结果表明,添加无机填料可提高聚苯乙烯粉末材料烧结性能,而且,多种填料同时添加,效果更明显.  相似文献   
948.
无压浸渗制备Si3N4/Al复合材料的界面反应研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
研究Si3N4多孔预制体的表面氧化程度对无压浸渗制备Si3N4/Al复合材料界面反应以及复合材料性能的影响是复合材料优化设计的基础.不同氧化程度的Si3N4多孔预制体在相同的浸渗工艺下无压浸渗制得Si3N4/Al复合材料,利用EDS,XRD和洛氏硬度计分别测定陶瓷多孔预制体的成份,复合材料的相组成和硬度.结果表明:Si3N4/Al复合材料组成相包括Al,Si3N4,AlN以及少量的Si,Mg2Si,MgO,MgAl2O4;随着氧化程度增加,复合材料内AlN相减少,MgO含量增加,并逐渐出现MgAl2O4相;复合材料的硬度随预制体的氧化程度增加而线性下降;预制体的氧化造成Si3N4和Al之间的反应减弱是硬度下降的重要原因.  相似文献   
949.
高强度铸造铝合金ZL205微弧氧化陶瓷膜的耐腐蚀性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用中性盐雾腐蚀试验法研究厚度对高强度铸造铝合金ZL205微弧氧化陶瓷膜的耐腐蚀性能的影响.结果表明,微弧氧化处理能显著提高ZL205的耐腐蚀性能,随着厚度的增加,陶瓷膜的耐腐蚀性能提高,但在厚度达到一定值后,陶瓷膜的耐腐蚀性能提高不明显.SEM和XRD结果表明,随着厚度的增加,微弧氧化膜的表面形貌和相结构都发生变化,从而导致微弧氧化膜的耐腐蚀性能发生变化.  相似文献   
950.
先驱体法制备连续Si-Fe-C-O吸波纤维的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用聚二甲基硅烷和二茂铁合成聚铁碳硅烷,经多孔熔融纺丝、预氧化、连续烧成,制得电阻率低至10-2Ω·cm,拉伸强度可达2.0GPa,长度大于500m的连续Si-Fe-C-O纤维,这种纤维在8~18GHz范围内具有较好的吸收雷达波性能.研究铁对Si-Fe-C-O纤维电阻率和β-SiC结晶的影响:铁含量的增加有利于β-SiC晶粒的增长和电阻率的降低.  相似文献   
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