基于SoPC的嵌入式系统设计技术

介绍了Xilinx公司Virtex- 4 FX系列FPGA的特点,分析了该FPGA内嵌的PowerPC405处理器的体系结构及CoreConnect总线的特点.通过多路传输数据总线接口的设计实例,阐述了基于SoPC(System on Programmable Chip)的嵌入式系统设计方法.     

自组装单分子膜技术在推进剂中的应用

简要介绍了自组装单分子膜（SAMs）技术，研究了该技术在丁羟和聚醚推进剂中铝粉表面改性的应用。结果表明：设计合成的DX系列和DZ系列能有效提高推进剂的延伸率，对推进剂的其它性能无不良影响。并就该技术在含能材料中的应用前景作了展望。     

影响SiC陶瓷纤维力学性能的因素评价

在SiC陶瓷纤维整个制备工艺过程中，影响因素繁多而且交叉作用，每个因素的变化都对SiC纤维的力学性能产生很大影响。本文以先驱体转化法为例，针对SiC陶瓷纤维整个制备工艺过程中的四个阶段，综述了各个因素对SiC陶瓷纤维最终力学性能的影响。     

富碳的含钛碳化硅纤维先驱体的合成

以聚硅烷（PS）、聚氯乙烯（PVC）和钛酸四丁酯[Ti(OBu)4]合成含碳量不同的聚钛碳硅烷（PIC）先驱体，运用IR、GPS、VPO、TG等分析手段系统地研究了富碳PTC先驱体的合成及其组成结构，讨论了加入PCV含量不同对PTC合成及其结构、性能的影响。经熔融纺丝、不熔化处理、高温烧成制备出具有较好工艺性能和电阻率为10^0Ω.cm－10^3Ω.cm的富碳含钛碳化硅纤维（Si－Ti－C－O纤维）。     

MOCVI制备Nextel 720/SiO2复合材

研究了MOCVI(MetalOrganicChemicalVaporInfiltration)方法制备Nextel720/SiO     

连续同步复合法快速制备C/SiC复合材料

连续同步复合法是一种建立在传统 CVI原理基础上的制备碳布增韧陶瓷基复合材料的新工艺 ,在制备过程中碳布通过连续缠绕在旋转的石墨衬底上 ,使纤维预制体的制备与基体的热解沉积同步进行 ,从而实现增韧相与基体在宏观和微观尺度上同步复合。通过控制反应物气体浓度、沉积温度与碳布缠绕线速度 ,达到控制微观孔隙网络与宏观孔隙的协调致密化。采用连续同步复合法制备碳布增韧 Si C基复合材料 ,实际密度可达其理论密度的 93 % ,制备周期显著缩短。     

综合飞行/推进控制系统的鲁棒设计方法

基于凸多面体线性系统族镇定方法和航迹准稳态运动概念，研究了现代攻击机的综合飞行／推进控制系统的鲁棒设计方法。该方法根据航迹准稳态运动的条件。生成航迹准稳态运动的期望控制量和状态量，以航迹准稳态运动为基准运动建立综合系统的线性系统族模型，采用凸多面体线性系统族鲁棒镇定方法设计了综合控制系统的反馈调节控制器。数学仿真表明，所设计的综合控制系统对攻击机推进系统输出推力的变化具有大范围的鲁棒性，在推力开环控制下能够获得良好的系统动态性能和战术性能。     

广义最优准则法研究

 利用函数的二阶Taylor级数展开,将原问题转化为一系列的近似问题,并基于Kuhn-Tucker条件,直接给出了一种新的设计迭代式。该迭代式被证明是二次收敛的。本文所提方法可同时处理各种不同类型约束的结构优化问题,具有广义最优准则法的意义。在结构优化领域,灵敏度分析是重要的研究内容之一。本文利用广义虚载荷概念,建立了应力、位移响应的一阶和二阶导数计算公式。该导数公式对弹性矩阵未加限制,且适用于元素内应力非常值的元素。 本文处理了具有几何约束、应力约束和位移约束的结构优化设计问题。数值结果表明,此方法的计算效率很高,一般仅需2～3次分析迭代便可达工程所需的精度要求,具有实用价值。     

HTPB 热稳定性研究

通过热重分析法（ＴＧ）、差动热分析法（ＤＳＣ）和红外光谱分析法（ＩＲ）,研究了环境气氛和氮气气氛下端羟基聚丁二烯（ＨＴＰＢ）热氧化反应动力学和反应机理,应用ＤＳＣ测定了环境气氛下ＨＴＰＢ的氧化反应峰峰温,求得了ＨＴＰＢ氧化反应表观活化能Ｅ,指前因子Ａ,反应速率常数ＫＴ。运用Ｄｏｌｙｅ公式求出了氧化反应诱导期ｔｉ,由此确定防老剂Ｈ和抗氧剂Ａｔ－２１５的最佳含量,Ａｔ－２１５对ＨＴＰＢ的防老化作用优于防老剂Ｈ。实验表明：环境气氛下１６０°Ｃ～２５０°Ｃ温度范围内ＤＳＣ曲线上的第一个放热峰以及ＴＧ曲线上对应的增重部分是由于环境气氛中的氧加入到ＨＴＰＢ骨架上所致;随着温度的升高,碳碳双键（１６３７ｃｍ－１）伸缩吸收峰逐渐减弱,同时羰基（１６９４ｃｍ－１）吸收峰和羟基（３３３０ｃｍ－１）吸收峰逐渐增强;ＫＴ与ｔｉ可以表征防老剂的防老化效果。     

埋入式进气道设计

提出了将埋入式进气道分为导流段与管道两部分的设计方案,并对此进气道进行了低速Ｍａ＝０．３７和高速Ｍａ＝０．７０的风洞试验,结果表明：新的设计方案能提高埋入式进气道的性能,使其σ≥０．９４,Δσ＜０．０１。