组合转子整体应力分析与通用程序设计

建立了考虑转子各部件的配合关系、旋转离心力、热膨胀等因素的转子整体应力分析的数学、力学模型。给出了通用计算方法,并设计了组合转子整体应力分析的通用软件(REC).该软件不但适用于具有径、轴双向配合的复杂转子,还适用于任意轴对称结构。软件可自动判断各部件间的接触面是否松脱,确定合理的径向过盈、轴向预紧量。      

某型发动机无失效数据的Bayes可靠性分析

在定时截尾试验中,有时会遇到无失效数据,特别是在高可靠性、小样本问题中更容易产生无失效数据。对某型发动机的无失效数据,在失效概率服从不完全Beta分布时,给出了失效概率的Bayes估计,并在引进失效信息后,给出了失效概率的Bayes估计和综合估计,从而可以得到该型发动机可靠度的估计。     

激光修锐树脂结合剂砂轮的试验研究

使用脉冲ＹＮＧ激光对树脂结合剂砂轮进行了修锐试验研究,并采用激光三维扫描方法对修锐前后砂轮的表面形貌进行测量．通过考察砂轮磨粒突出高度及有效磨粒数等表面形貌特征,比较了在不同的激光修锐参数下所获得的不同的修锐效果．试验结果表明激光修锐树脂结合剂砂轮是可行的,并指出了进行激光修锐工艺参数优化研究的重要性．     

反应烧结碳化硅陶瓷航天器燃烧室的研制

采用反应烧结碳化硅陶瓷制备形状较复杂且尺寸精度要求高的某航天器燃烧室。研制结果表明：用反应烧结碳化硅陶瓷制备某航天器燃烧室是合适的,其强度随Ｓｉ含量的变化而有较大变化,在本文试验条件下,制件的最佳Ｓｉ含量为１０．５％ ;该方法适于制备使用温度在１５００℃以下尺寸精度要求高的高温结构件。     

板材最优路径成形理论与方法

按最优路径成形板材将获得理想的成形效果，这种最优成形路径可通过多点成形技术来实现。本文基于理想路径（最小塑性功路径）成形理论，提出了板材最优路径成形的概念。最优成形路径可由初始构形、目标构形以及一系列中间构形描述出来，根据理想路径成形的变形及本构关系，文中建立了计算初始构形的有限元方法；建立了确定中间构形的泛函，给出了求解中间构形的数值方法。根据给出的方法设计了近似最优路径成形──多道次多点成形实验，实验结果表明，采用近似最优路径成形，球面目标形状的最大变形曲率提高了１１％～４０％；马鞍面目标形状的最大变形曲率提高了１５％－５０％。     

硝酸酯增塑聚醚推进剂中PB类助剂的作用机理

为了解PB类功能助剂的作用机理，进行了接触角测试，XPS，SEM和MDA试验，结果认为：通过降低功能助剂自身极性，使之与HMX的表面性能相匹配，改善了HMX在粘合剂中的润湿性，从而改善药浆工艺性能，同时，保持对HMX有强的亲合力，吸附在HMX表面形成界面层，使推进剂保持良好的力学性能，最后提出了PB类助剂的作用机理。     

航空发动机特性仿真技术的进展与展望

回顾了航空发动机特性仿真技术的产生背景，综合叙述了从稳态特计算到瞬态特性计算，从特性仿真到综合仿真，从零维仿真到多维仿真的发展历程，介绍和评述了我国航空发动机特性仿真的研究概况及美国“数值推进系统仿真”计划和发展趋势，说明了发动机数值仿真技术及仿真试验台的应用与发展，在很大的程度上提高了推进系统设计的可信度，降低了实验与研制成本，缩短了研制周期。     

带箍环掠型叶片整体叶盘强度分析方法研究

针对带复合材料箍环掠型叶片整体叶盘结构，开发了对叶片快速施加气动载荷的方法，发现了整体叶盘的应力应变分析和寿命预测方法，成功地完成了模型叶盘的应变测量和低循环疲劳试验。通过模型叶盘数值分析与试验测量数据的比较可见，二吻合较好，从而验证了上述方法的有效性。     

DD6单晶合金的高温蠕变/疲劳损伤研究

利用高频感应加热的方法对DD6单晶合金的高温蠕变／疲劳损伤性能损伤统一本构方程对其各向异性特点和损伤发展规律进行了有限元数值计算。研究发现，DD6单晶合金的高温蠕变／疲劳性能存在明显的方向性，同时在高温条件下蠕变损伤对试件破坏起重要作用，蠕变与疲劳的交互作用会大大缩短材料的循环寿命。     

基于脉冲激光定位的SRAM单粒子闩锁事件率预估

器件单粒子闩锁效应(SEL)预估方法一般是建立在只有一个敏感体积单元的长方体(RPP)模型上,静态随机存储器(SRAM)单粒子闩锁敏感区的定位试验结果表明敏感体积单元不仅有一个.利用脉冲激光定位SRAM K6R4016V1D单粒子闩锁效应敏感区的试验结果对器件在轨SEL事件率进行了修正计算.首先利用脉冲激光定位SRAM SEL敏感区,获得敏感区的分布情况,并确定整个器件敏感体积单元的数量.然后针对不同的空间轨道、辐射粒子以及敏感体积厚度和敏感体积单元数进行了相应的器件SEL事件率计算,并对计算结果进行了分析讨论.结果表明,重离子引起的SEL事件率随敏感体积单元数量的增大而减小;修正敏感体积单元数量对预估质子引起的SEL事件率非常必要,否则将会过高评估质子直接电离作用对SEL事件率的贡献.