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191.
为了区分不同类型的回火形式,以便可以对不同类型的回火施加不同的控制方法,引入试验设计(DOE)方法和方差分析方法数值分析了预混段长度L和预混段出口处水力直径D对回火形式和回火极限的影响。主要得到如下结论:L和D对回火极限均有显著影响,通过减少混合物在预混段内的停留时间可以同时改善燃烧诱导涡破碎(CIVB)回火和边界层回火;L/D存在两个临界值,当L/D≤(L/D)cri1时发生边界层回火,当L/D(L/D)cri2时发生CIVB回火,当(L/D)cri1L/D≤(L/D)cri2时可能只发生CIVB回火或两种回火形式共存;L/D通过改变CIVB回火发生所需的临界切向涡量值而作用于CIVB回火,L/D值越大,诱发CIVB回火所需的临界切向涡量值越小,越容易发生CIVB回火。 相似文献
192.
“天绘一号”卫星是我国第一代传输型立体测绘卫星,搭载有三线阵CCD相机、多光谱相机和2m分辨率全色相机。多光谱相机波段间影像的配准是保证多光谱影像质量和有效应用的前提,在现有配准方法的基础上,文章提出了基于传感器几何特性和图像特征的配准方法来改善影像配准效果。这种方法首先基于相机几何特性对待配准图像进行调整,然后对图像进行局部多点取图,采用尺度不变特征变换(Scale Invariant Feature Transform,SIFT)法提取图像特征并进行初步匹配,利用匹配点领域灰度相关性来进行精匹配和误匹配点的剔除,最后获得图像位移差,进而完成图像配准。实验结果表明,这种方法能够提高多光谱波段间影像的配准成功率,准确率达到95%以上,大幅改善了匹配精度。 相似文献
193.
微放电是航天器大功率微波部件不可避免的问题,为了满足航天器有效载荷发展任务需求,近年来航天器微波部件制造工艺、技术水平都得到大幅度提升,相应的验证测试也变得更为细致严谨,美国政府及航天工业联合建立了微放电检测标准,欧洲空间标准化组织修订其微放电检测标准,我国也建立了相关微放电检测标准。文章介绍了国外微放电设计与测试标准研究进展,主要介绍了与我国检测标准不同的部分,包括美国微放电检测标准中的最低微放电准则、微波部件分类及分析方法,欧洲微放电检测标准中的微波部件分类与微放电考核方法、多载波微放电测试方法,以期为国内微放电检测研究提供参考。 相似文献
194.
为了获得大宽高比矩形通道内开孔肋的流动与传热特性,采用数值模拟的方法在开孔肋的肋高e/Dh=0.188、开孔率β=0.131时研究了通道的摩擦系数、努塞尔数等参数随孔排高度和雷诺数的变化规律。结果表明:与实体肋相比,开孔肋能够减小通道的摩擦系数并提高其壁面温度分布的均匀性,但是传热增强因子有所减小;随着孔排高度的提升,通道的摩擦系数单调减小,壁面温度分布的不均匀度增大,而传热增强因子则先增大后减小,因此存在一最优孔排高度(h/e)opt=0.65使开孔肋的强化传热综合指标达到最大值;随着雷诺数的增大,开孔肋通道的摩擦系数缓慢减小、换热逐渐增强,这与实体肋的变化规律是类似的。 相似文献
195.
196.
高速加工(HSM)具有许多优点,被广泛应用在航空产品的数控加工中。但是使用高速加工技术,不仅要有适合高速加工的设备,选择适合进行高速加工的刀具,更为重要的是选择合理的编程策略。任何编程策略的不合理都会造成严重的后果。所以数控编程一直是高速加工的重点和难点。以UG软件为研究对象,作者提出了实现高速加工的数控编程的策略,并使用高速铣雕设备对生成的NG代码进行了加工,加工结果验证了NG代码是正确的、合理的。说明了采用合理的加工策略,使用UG软件可以实现高速加工的编程。 相似文献
197.
198.
6502电气集中由于其自身技术上的缺陷,在运用过程中,发现许多安全隐患,已造成多起重大安全事故。大连湾车站承担着大连港务局主要的货运任务,其安全尤为重要,因此对大连湾6502电气集中设备进行了技术改造。采用由抗干扰能力较强的∑-△技术实现的ADC芯片和单片机作为系统的核心,它将采集处理现场信息和调度员信息,并对这些信息进行连锁运算和报警,避免发生安全事故。单片机还将信息上传给微机,微机可随时动态回放现场情况。该系统在现场运用两年,取得了较好的效果。 相似文献
199.
本文在给出逻辑无环流系统基础上,主要介绍关于DLC设计的有关问题.逻辑控制器DLC是系统的关键部件,必须保证可靠工作.通过实际验收,说明了设计的有效性. 相似文献
200.
化学气相反应法在C/C复合材料抗氧化处理中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
通过把硅蒸气渗入预制体孔隙与碳直接反应生成SiC的化学气相反应(CVR)方法,提高初始密度和预制体结构均不同的C/C复合材料的抗氧化能力,研究了C/C复合材料的密度变化与微观结构,并对其进行了氧化试验。结果表明,因CVR温度、C/C复合材料初始密度不同,抗氧化处理后的密度增加量有显著不同。针刺炭布C/C/SiC复合材料在马福炉中于1160℃经65min氧化后,其失重率仅2.6%,而密度为1.95g/cm^3的同结构C/C复合材料相在同条件下失重率高达32%。 相似文献