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301.
在现今的军用电子系统中,功率放大器起着举足轻重的作用。功率合成器件作为功率放大器的重要组成部分,需要满足高合成效率、高功率耐受能力和小型化的特性要求。基于交错耦合带状线定向耦合器,通过宽带匹配级联设计了一款8 GHz~12 GHz的四路功率合路器。测试结果显示:四路功率合路器的隔离度<-15 dB,回波损耗<-19 dB,合成效率>78.7%。基于该四路功率合成模块研制了一款X频段功率放大器,样机尺寸为52 mm×38 mm×5.5 mm,放大器在8 GHz~12 GHz的最大输出功率为52.2 dBm (40%占空比),插入损耗<1.4 dB。与传统的平面结构相比,基于这种功率合成器的结构更紧凑,合成效率更高,隔离度更好,功率耐受能力更强,适用于卫星通信、雷达和电子对抗等领域。 相似文献
302.
303.
304.
305.
电磁屏蔽抗干扰技术研究 总被引:2,自引:1,他引:1
从干扰源性质出发,将屏蔽分为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽,并对它们进行了分析研究。针对其特性提出其适用范围及注意事项,从而增强了抗干扰的效果。 相似文献
306.
为分析洛伦兹力磁轴承驱动磁悬浮控制敏感陀螺(MSCSG)转子偏转过程中的稳定性,针对现有双频Bode图稳定性判据方法仅适用于最小相位系统的不足,提出一种基于扩展双频Bode图的稳定性分析方法。根据洛伦兹力磁轴承工作原理建立了MSCSG转子偏转系统动力学模型;通过变量重构,将实系数双输入双输出系统等效变换为复系数单输入单输出系统;在分析Nyquist曲线与Bode图关联性的基础上,提出针对非最小相位系统的扩展双频Bode图稳定性判据,对不同转速下MSCSG转子系统稳定性进行预测,并通过转速根轨迹曲线预测转子系统的转速稳定区间。所提出的扩展双频Bode图稳定判据结果与时域仿真校验结果相一致,验证了本文所提出的稳定性分析方法的正确性和有效性。 相似文献
307.
Junpeng YANG Qi CAI Zongqing MA Yuan HUANG Liming YU Huijun LI Yongchang LIU 《中国航空学报》2019,32(5):1343-1351
Powder metallurgic Ti2 AlNb alloys with W addition are sintered at 900, 1000, 1070 °C,and 1150 °C(i.e., in the O + B2, a_2+ B2 + O, a_2+ B2, and single B2 phase regions, respectively)for 12 h, followed by water quenching and furnace cooling. Comparisons of phase and microstructure between quenched and furnace-cooled W-modified alloys are carried out to illustrate the phase transformation and microstructure evolution during the cooling process. Furthermore, a comparison is also made between W-modified and W-free alloys, to reveal the function of the W alloying.W addition accelerates the solutions of a_2 and O phases during the high-temperature holding, and a Widmannsta¨tten B2 + O structure, which contributes to the properties, is induced by furnace cooling from all the phase regions. The Widmannsta¨tten structure includes a B2 matrix, primary O, and secondary O precipitates. However, W alloying refines the Widmannsta¨tten structure only when the alloys are solution-treated and then cooled from the single B2 phase. Although the hardness of the W-modified alloys is lower than that of the W-free alloys sintered in the same phase region, an enhancement of hardness, 489 ± 18 HV, is obtained in the alloy solution-treated in the single B2 phase region for only 0.5 h. 相似文献
308.
航天器表面介质材料易遭受表面充放电危害。利用30keV单能电子对几种不同的航天介质材料进行了表面充放电模拟试验,测量了不同电子通量辐照下的表面充电电位以及放电脉冲。试验结果表明,聚酰亚胺薄膜在接地处理不当时表面可充至千伏以上,易发生表面放电,且辐照强度越大,放电频率越高。表面镀铝的聚酰亚胺薄膜在不接地时,铝膜成为悬浮导体更加剧了放电的危害。而通过渗碳处理的聚酰亚胺薄膜,其良好的导电性能可有效抵御nA/cm~2量级电子的表面充电。聚四氟乙烯天线罩表面未进行防静电处理时,表面充电电位可达万伏量级,极易发生放电。 相似文献
309.
基于SVM方法的APU故障预测方法 总被引:3,自引:1,他引:2
针对辅助动力装置(Auxiliary power unit,APU)故障预测时,仅基于快速存取记录器(Quick access recorder,QAR)数据存在实时性欠缺或精度不足的问题,提出了基于实时报文数据的APU故障预测方法。首先,对报文所采集的数据进行预处理,将每次航班的报文数据规整为一条数据集;其次,从参数阈值、维修记录及APU序列号变化情况等角度对数据集进行标注工作;随后,针对特征选择算法具有较差解释性的缺点,提出通过相关性分析选取能够表征APU运行性能的参数;最后,建立基于支持向量机(Support vector machine,SVM)的多参数故障预测模型并优化。经验证,该模型提高了预测正确率,为APU视情维修策略的制定提供参考。 相似文献
310.
在脉冲频率为50、250、500、750、1 000 Hz的条件下,应用微弧氧化(MAO)技术在7050高强铝合金表面制备了陶瓷膜层,并采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、电化学工作站、摩擦磨损试验机等手段分别对陶瓷膜的表面形貌、相组成、耐腐蚀性、耐磨性等进行分析。结果表明,当脉冲频率过低时,MAO陶瓷膜层表面粗糙,影响膜层致密性;而当脉冲频率过高时,则不利于MAO陶瓷膜层生长,所得的膜层耐蚀性和耐磨性较差。当脉冲频率为250 Hz时,所制备的膜层具有最佳的耐磨性及耐蚀性。 相似文献