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陈方明%管俊芳%朱诚意 《宇航材料工艺》2003,33(6):47-51
应用电子探针(EPMA)、扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)对共沉降法制备的Mo—Ti梯度功能材料的化学成分分布、显微组织和断口形貌进行了研究。结果表明,试验材料整体致密,化学元素分布、显微组织和断口形貌具有梯度变化特征。富Mo区颗粒以机械混合的形式存在;以Mo为主要组分的Mo—Ti梯度层,也是以机械混合为主;以Ti为主要组分的Mo—Ti梯度层,主要以多边形β相存在;富钛区钛主要以球形α相存在。富Mo区为沿晶脆性断裂,富Ti区为典型的穿晶解理断裂,Mo—Ti梯度层以穿晶解理断裂为主,还表现出延性断裂特征。 相似文献
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利用矩量法和几何绕射理论(GTD)分析计算多杯多模圆形辐射器的辐射场.辐射器中心波导为圆波导,由TE11模激励,带有若干个同轴杯.首先利用等效原理和矩量法计算嵌在无限大金属板上圆形辐射器的等效磁流分布,允许各波导区域中有任意多个高次模式存在,利用傅里叶变换法求得其辐射方向图,然后把该辐射场作为有限圆形接地板边缘的入射场,利用GTD计算圆接地板边缘对辐射器方向图的贡献.具体分析了三杯圆形辐射器的方向图,计算结果与实验结果吻合良好. 相似文献
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为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间,实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验证电路进行单粒子翻转性能对比,电路的抗单粒子翻转阈值由采用标准六管单元的抗单粒子翻转阈值大于25 MeV·cm 2·mg -1 提升至大于45 MeV·cm 2·mg -1 ,加固单元面积较标准六管单元增大约21.3%。30万门级抗辐照FPGA电路通过脉冲屏蔽单元结合抗辐照SOI工艺实现,其抗辐照指标分别为:抗单粒子翻转阈值大于37.3 MeV·cm 2·mg -1 ,抗单粒子锁定阈值大于99.8 MeV·cm 2·mg -1 ,抗电离总剂量能力大于200 krad(Si)。 相似文献
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叶片前缘旋流和常规冲击对比数值研究 总被引:3,自引:2,他引:1
为了寻求更好的叶片前缘内冷结构,对旋流冲击和常规冲击的流动和传热特性进行了数值模拟,对比研究了二者的涡流结构、传热强度、流动阻力、综合传热性能和热均匀性,研究了通道Re数和冲击间距对这些参数的影响。结果表明旋流冲击形成的旋涡有利于传热的增强和热均匀性的提高。在所研究的Re数(2×104~7.78×104)和冲击间距(3.3~5倍直径)范围内,旋流冲击与常规冲击相比平均传热增强18%~34%,增幅随Re数和冲击间距的增大而增大;流阻增大10%~26%,增幅随Re数和冲击间距的增大而减小;综合传热性能增强20%左右;热均匀性提高60%左右。 相似文献
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分析了现有多种制导方式的特点,结合国内实际,提出了一种基于光学神经网络的导弹末制导系统,该系统具有光学神经网络运算速度快,对畸变目标识别能力高等优点,在导弹原有惯性制导系统上进行了改进,成本低。理论分析和模拟实验结果表明,这种基于光学神经网络的导弹末制导系统具有并行处理速度快,识别率高的优点,有广阔的应用前景。 相似文献
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介绍了轰炸机在各历史阶段发挥的重要作用,分析了轰炸机从诞生到第二次世界大战中发展成熟,以及在冷战时期轰炸机发展的3个阶段。描述了在每个时期不同战场环境下对轰炸机的不同要求,以及由此而产生不同的气动布局形式,进而分析了未来轰炸机发展的3个方向和美国当前可能的型号选择。 相似文献