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采用二次曲面复合设计的试验设计思想,在D-最优准则条件下,研究了挠性陀螺仪最优位置试验设计方法。在此基础上,提出了一种最优的八位置试验方案。试验结果表明,采用该八位置试验方案估计一次项漂移系数的精度比IEEE Std 813-1988中规定的八位置试验方案估计的精度高。
相似文献
相似文献
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旋转光滑直通道湍流流动二维热线实验 总被引:3,自引:3,他引:0
采用二维热线测量了旋转光滑直通道内不同流向位置上的平均速度和雷诺应力。实验结果表明:较高的当地旋转参数使得旋转对平均速度的影响区域扩大并且导致了前缘面附近湍流流动的再层流化。后缘面附近无量纲主流平均速度型严格按照旋转数顺序依次排列,且在对数律区呈现对数律分布。与此同时,所有无量纲雷诺应力分量在后缘面附近基本不受旋转影响。再层流化导致了前缘面附近无量纲主流平均速度型无法在对数律区维持对数律分布,且所有雷诺应力分量都随着旋转数和流向位置半径增大不断衰减;经过u-v象限分析,再层流化现象的直接原因被归于湍流脉动生成减少。 相似文献
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徐特立(1877-1968),中国无产阶级革命家、教育家。徐特立原名懋恂,字师陶,又名立华,出生在湖南长沙一个贫苦农民家里。他从小家里很穷,四岁丧母,父兄种田,终年劳作,一家仍不得温饱。为了不使孩子 相似文献
55.
针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力. 相似文献
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狂风战斗机携带强盗导弹进行首次试飞一架德国空军的狂风战斗机在其机身下携带两枚强盗空地导弹进行了首次试飞。这次试飞成功证明这两枚导弹在机械和气动一体化方面对飞机的飞行特性没有明显影响,标志着强盗导弹与狂风战机的一体化工作进入了一个新的阶段。将强盗导弹装... 相似文献
58.
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计算机多媒体辅助教学软件设计思想 总被引:1,自引:0,他引:1
本文根据几年来制作多媒体课件的实践,详细,系统地阐述了多媒体辅助教学软件开发的总体设计思想。 相似文献
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