热模拟技术在研究焊接热裂纹方面的应用

一、概述在第二次世界大战期间,美国将焊接生产技术引入了造船工业,同时也带来了大量船体结构的脆性断裂。此后,世界各国相继发生了许多大型焊接结构的断裂事故。由于这些事故造成了巨大损失,促进了焊接工作者对形成焊接接头冶金过程及其对结构使用性能影响的深入研究。焊接是一种特殊的冶金再熔炼过程,由于焊接热源作用的集中性和瞬时性,使得在体积不大的焊接区内经历了几乎所有的冶金反应,致使整个焊缝及热影响区内存在着很大的     

复合材料产品结构、质量及成形工艺验证方法的探讨

通过分析当前复合材料产品结构及质量稳定性验证方法的不足,提出了共固化、二次胶接复合材料制件的破坏性结构验证方法,对于考核验证复合材料产品结构、质量及成形工艺的稳定性和可靠性具有重要参考价值.     

一副国产复合材料桨叶的结构设计与研制

本文介绍了在某直升机原理性旋翼桨叶的研究中,立足国内设计分析、材料、工艺及试验等技术,开展自行设计研制,从桨叶气动参数配置、结构铺层设计、材料工艺准备、产品试制试验以至试飞验证的主要过程;概括地描述了这副复合材料旋翼桨叶的技术特色;总结和讨论了在设计与工程研制中所遇到的一些典型问题及其处理方法。     

二次孔挤压强化对Ti1023钛合金孔疲劳性能影响

采用X射线应力仪、粗糙度检测仪和透射电镜等对Ti1023钛合金孔挤压表面层性能进行对比分析,讨论带衬套孔的强化机理。结果表明：孔挤压(过盈量1%~3%)强化改善了孔壁表面粗糙度( Ra 从1.722μm降低到了0.349μm),增加了钛合金表面硬度(Hv值从32提高到了38),引入了残余应力场分布,从而改善了钛合金的微动疲劳性能(极限值从385 MPa提高到了619 MPa)。     

p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究

由于缺少p型氧化镓，造成调制电场十分有效的pn结结终端延伸(junction terminal extension,JTE)结构无法使用，提出采用p-GaN与n-Ga2O3之间形成pn结JTE结构，有效解决了这一问题。同时为进一步提升氧化镓肖特基二极管击穿电压提供理论指导，运用Silvaco软件对p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管（schottky barrier diode,SBD）进行了仿真研究，通过与对照肖特基二极管对比发现采用p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构的SBD击穿电压由880V增加到1349V，代价是器件正向导通电阻略微增加，由4.68mΩ·cm2增至5.62mΩ·cm2。探究了p-GaN深度对肖特基二极管特性的影响，发现p-GaN深度由0.3μm增加到1.2μm，器件击穿电压由1349V进一步提升到1685V，同时器件导通电阻基本不发生变化。通过仿真实验证明了p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构提升SBD反向击穿特性的可行性。