高温环境下SRAM器件单粒子锁定效应试验研究

深空探测任务面临辐射与温度变化综合作用的恶劣环境,易导致作为航天器电子系统主要组成的CMOS集成电路发生单粒子锁定效应。着眼于在轨应用需求,针对体硅工艺SRAM器件进行了高温环境单粒子锁定试验研究,在不同电压和温度条件下开展重离子辐照试验,结果表明,随着器件工作电压的升高,单粒子锁定敏感性增加;随着温度升高,单粒子锁定截面增加,从常温到125℃的增幅约为1个数量级:即高温高电压下更易触发器件单粒子锁定效应。     

基于燃油温度的飞机再次出动燃油补充管控技术

介绍了某型飞机由于燃油温度变化带来的再次出动准备过程中维修操作流程的优化调整思路和方法,使原本占用较长时间的再次出动准备过程有效缩短,大大提高了科研试飞的效率。     

水泥填料对沥青混合料低温抗裂性能影响研究

在MTS810上采用-10℃低温劈裂试验来比较在水泥替代矿粉的比例（质量比）分别为0％、20％、40％、60％、80％、100％的情况下,SAC25沥青混合料低温抗裂性的变化情况。对试验结果采用不等重复试验的单因子方差分析检验不同水泥掺量对低温破坏劲度的影响。得出水泥掺量变化对沥青混合料SAC25低温性能无显著影响的结论。     

民用机场净空环境保护标准分析

对民用机场净空标准的主要影响因素和确定依据进行了详细分析,指出机场净空标准不是最高标准,即并非满足了该标准就意味着机场的净空条件达到了理想状况;也不是最低标准,即并非必须完全满足该标准飞机才能在机场安全运行。     

新型枪械内膛疵病检测设备

枪管在射击过程中由于受到摩擦力、挤压力以及高温高压气体的作用，内膛表面将产生疵病，这直接影响到枪械的射击精度及使用寿命，所以准确测量内膛疵病具有重要的意义。新型枪械内膛疵病检测设备实现了内膛疵病检测由定性观察向定量测量的重大转变。本文介绍了新型枪械内膛疵病检测设备的组成及工程原理，分析了关键技术，实测得到了设备所达到的性能指标。     

国产先进工艺SoC器件空间单粒子效应试验研究

国产某型号导航SoC器件采用55nm商用工艺生产。针对该型器件的辐射敏感性分析表明其易受单粒子效应影响,为此利用重离子加速器完成空间单粒子辐照的地面模拟试验,考查器件的单粒子效应,为其空间应用提供数据支撑。结果表明：器件抗单粒子锁定的LET阈值大于81.4 MeV·cm²/mg,满足空间应用指标要求;但器件对单粒子翻转和单粒子功能中断较为敏感。利用ForeCAST软件计算得到GEO、Adams 90%最坏环境模型,3 mm(Al)屏蔽条件下器件的DFT模式单粒子翻转率为6.80×10^-8d^-1·bit^-1,SRAM模式单粒子翻转率为5.61×10^-11d^-1·bit^-1,单粒子功能中断率为5.24×10^-5d^-1,在轨应用时需要采取相应的防护措施。