全文获取类型
收费全文 | 99篇 |
免费 | 16篇 |
国内免费 | 1篇 |
专业分类
航空 | 56篇 |
航天技术 | 19篇 |
综合类 | 14篇 |
航天 | 27篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 2篇 |
2022年 | 1篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 7篇 |
2017年 | 4篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 1篇 |
2013年 | 5篇 |
2012年 | 6篇 |
2011年 | 4篇 |
2008年 | 2篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 9篇 |
2005年 | 3篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 5篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 2篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 7篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 4篇 |
1979年 | 1篇 |
1964年 | 1篇 |
排序方式: 共有116条查询结果,搜索用时 140 毫秒
111.
112.
针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力. 相似文献
113.
114.
为了解决航天器发射过程因发射场地的地理位置约束造成的入轨夹角问题,基于火箭上面级二次点火,对航天器横向转移零速度偏差入轨弹道进行了设计。对二次点火和变射面横向转移弹道进行了研究,根据横向转移弹道特点,为简化控制程序,分时序对火箭二级非连续点火纵横向飞行程序进行了设计;并分析横向转移入轨弹道各项约束条件,建立弹道优化模型。根据弹道设计模型,以某两级液体燃料运载火箭为研究对象,对二次点火横向转移入轨弹道进行优化仿真。结果表明:入轨时刻航天器位置偏差为0.391m,速度偏差为1.277m/s,速度偏差比二次点火固定射面入轨弹道减少了737.844m/s,满足零速度偏差入轨精度要求。 相似文献
115.
针对盲源分离抗主瓣干扰的问题,提出多目标雷达回波和多干扰样式的盲源分离模型,并基于快速独立分量分析算法仿真分析雷达目标回波与相参干扰的盲源分离效果,仿真结果表明:盲源分离能够实现干扰信号和雷达回波信号的分离,间歇采样类干扰在盲源分离后容易被鉴别,但是经过匹配滤波处理后难以鉴别区分;全脉冲存储假目标调制转发干扰具有与真实目标回波近似的运动特性和电磁散射特性难以进行鉴别区分。 相似文献
116.
针对Ti2AlNb合金进行直接固态扩散焊,研究压力对合金扩散焊接头组织与性能的影响,使用扫描电镜分析焊接接头的显微组织随压力的变化规律,对不同压力下的焊接接头进行室温拉伸实验,分析接头性能随压力的变化趋势以及接头的断裂机制。结果表明:随着压力的增加,试样表面的变形量增大,在高温下变形区域发生动态回复与再结晶,促进了连接面处孔洞的愈合,焊合率因此逐渐升高;Ti2AlNb合金扩散焊接头可以分为再结晶区、变形区以及母材三部分,其中再结晶区主要由等轴的B2相以及α2相组成,随着扩散焊压力的增加,再结晶区的宽度明显变宽;焊接接头的强度随着压力的增加先升高后下降。当焊接工艺参数为960℃-60 MPa-120 min时获得的焊接接头性能最好,其抗拉强度为972 MPa,达到母材强度的98%;过大的压力使得再结晶晶粒粗化,且再结晶区和变形区交界处产生裂纹,导致接头性能反而恶化。 相似文献