太赫兹天馈与波束调控技术综述

太赫兹天馈与波束调控元件用于实现太赫兹信号的汇聚、功率分配、频率选择以及波形调整等功能,是太赫兹应用系统中必不可少的组成部分,已经广泛应用于射电天文、遥感与深空探测、雷达与成像、无线通信等领域。重点阐述了太赫兹反射面天线、太赫兹透镜、太赫兹分束器、分频器和匀束器等波束调控元件的基本原理和国内外现状,并对太赫兹天馈与波束调控技术的发展进行了展望。     

有机废水对光催化还原Cr(VI)的影响

采用溶胶-凝胶法制备TiO2光催化剂,在紫外灯照射下研究不同类型的有机废水对Cr(VI)的光催化还原影响。结果表明:延长反应时间并不能大幅度提高Cr(VI)的还原率;当pH=2.7时,Cr(VI)的还原率最好;苯酚添加量控制在反应液体积5%以下为宜;添加三种有机废水的反应结束后,放置于自然状态下,均表现出对Cr(VI)后续的还原能力,在三种有机废水中,最适宜的Cr(VI)空穴捕获剂是垃圾渗滤液。     

一个面向加工的二维CAD/CAM集成系统设计

介绍了一个基于微机的二维CAD/CAM集成系统,主要讨论了系统总体结构、EDMS网状数据库、绘图及分析、刀位轨迹的计算及后置处理功能等问题.系统主要用于二维数控铣、数控磨、数控车、线切割等自动数控编程.本系统已经推出成熟版本,在推广应用的过程中,显著地提高了数控编程的效率,同时也大大提高了生产的自动化水平.     

机载双轴旋转调制激光惯导系统误差特性及关键技术分析

在未来作战环境下,长航时远程作战飞机对全自主长航时高精度导航系统提出了迫切的需求,对提高作战能力起着重要作用.对比各种导航手段,其中双轴旋转调制激光惯导系统是目前唯一一种可行的全天候全自主高精度导航手段,从双轴旋转调制惯导系统的原理出发,对双轴旋转调制激光惯导系统机载应用的误差特性及关键技术进行深入分析,结果表明:对于1n mile/12h的导航精度,双轴旋转调制惯导系统较捷联惯导系统对陀螺漂移精度要求降低一个数量级,关键技术实现方案合理可行.     

有机废水对光催化还原Cr(Ⅵ)的影响

采用溶胶一凝胶法制备TiO2光催化剂,在紫外灯照射下研究不同类型的有机废水对Cr（Ⅵ）的光催化还原影响。结果表明：延长反应时间并不能大幅度提高Cr（Ⅵ）的还原率;当pH=2．7时,Cr（Ⅵ）的还原率最好;苯酚添加量控制在反应液体积5％以下为宜;添加三种有机废水的反应结束后,放置于自然状态下,均表现出对Cr（Ⅵ）后续的还原能力,在三种有机废水中,最适宜的Cr（Ⅵ）空穴捕获剂是垃圾渗滤液。     

基于智能材料结构的几种损伤评价方法

 材料或结构的损伤评价,由于其密切联系实际应用而一直受到广泛关注。参考了国内外最新研究成果,在对工程材料结构损伤评价常规方法作简述的基础上,着重介绍了基于智能材料结构的光纤传感、应力波和高频机械阻抗技术及其在工程中的应用,并讨论了研究中存在的一些问题以及进一步的工作。     

一种双斜切双压缩面进气道地面流态的数值模拟研究

 采用基于 MUSCL插值的 Roe格式三维 N-S方程数值求解程序对地面状态下双斜切双压缩面进气道内外流场进行了数值分析,得到了其流动图谱,分析了其流场特征。计算中考虑了机身和边条翼的影响,计算结果表明 :1在进气道进口段外壁和下壁内交角处出现了较大的贴角分离包,分离导致了进气道出口较大总压畸变的产生。 2进气道横截面二次流动在进口段表现为一反向旋转的对涡,对涡中顺时针的旋涡较强,控制了进气道的外上角,逆时针的较弱,控制了进气道的内下角;在出口截面表现为较强的顺时针旋向的整体旋流。 3由于顺时针旋流的影响,进气道横截面上的总压高压区位置由进口段的内上角顺时针旋转到了出口截面的外上部,而由分离引起的总压低压区则由进口段的外下角顺时针旋转到了出口的内下部。将计算结果与实验结果进行了比较,验证了所采用的数值模拟方法的可靠性。     

分布式协同进化MDO算法及其在导弹设计中应用

 针对现有基于梯度的多学科设计优化 (MDO)算法不适用于具有离散和整数设计变量、设计空间非凸或不连通的多学科设计优化问题,以及倾向于收敛到接近初始点的局部最优点的缺点,为充分发挥进化算法的优越性,根据协同进化与 MDO在本质上的相似性,采用分布式协同进化机制进行 MDO算法研究。提出了分布式协同进化 MDO算法,并将该算法应用于导弹的气动 /发动机 /控制一体化优化设计。     

掺杂硅再结晶石墨微观结构及其性能的研究

用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、硅粉作添加剂 ,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂硅再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加硅对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化。结果表明 :与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较 ,掺杂硅再结晶石墨的导热导电性能均有较明显的提高 ,而力学性能却有所降低。与纯石墨材料相比较 ,当硅掺杂量为 4wt%时 ,再结晶石墨电阻率可降低 2 5 % ;而当硅掺杂量超过 4wt%时 ,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下 ,RG-Si-6再结晶石墨的层面方向热导率可达 3 2 5 W/ (m·K)。微观结构分析表明 ,随着硅掺杂量的增加 ,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸均增大 ,晶面层间距 d0 0 2 降低。原料中掺杂硅量为 6wt%时 ,再结晶石墨的石墨化度为 94.3 % ,微晶参数 La/为 1 94nm。 XRD分析表明 ,硅元素在再结晶石墨中以 α-Si C的形式存在。硅对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用碳化物分解机理来解释     

扩链剂对NEPE推进剂力学性能的影响

采用单向拉伸性能测试研究了三类扩链剂对NEPE推进剂力学性能的影响，并用交联密度和凝胶分散测定，以及小角X射线散实验的方法，研究分析了扩链剂的作用机理，结果表明：由于扩链剂消耗了部分固化剂N－100，导致NEPE推进剂的伸长度增加，拉伸强度下降；通过调节扩链剂的含量，提高固化参数及改变推进剂的制备工艺可以提高扩链剂的作用效果，扩链剂可以在拉伸强度少量降低的情况下大幅度提高NEPE推进剂的伸长率；NEPE推进剂力学性能的提高不是由于微相分离，而是由于扩链剂改善了推进剂的网络结构。