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基于N-S方程的翼型气动优化设计 总被引:2,自引:0,他引:2
本文简要回顾了气动优化设计的最新发展,并采用连续伴随方法对粘性条件下的翼型气动外形进行了优化设计。设计过程中,采用B样条曲线的控制顶点作为设计变量,通过求解伴随方程得到目标函数关系设计变量的梯度,最后用最速下降法和BFGS变尺度法对二维翼型进行了外形优化,验证了本方法直接、快速的设计能力。 相似文献
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针对带复合材料箍环掠型叶片整体叶盘结构,开发了对叶片快速施加气动载荷的方法,发现了整体叶盘的应力应变分析和寿命预测方法,成功地完成了模型叶盘的应变测量和低循环疲劳试验。通过模型叶盘数值分析与试验测量数据的比较可见,二吻合较好,从而验证了上述方法的有效性。 相似文献
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镉镍蓄电池中氢氧化镍电极的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
从镍电极的反应机理、应用、制备方法及其活性物质、添加剂等方面,对镉镍蓄电池中的氢氧化镍电极进行了较详细的介绍。指出:通过改变镍电极的制备方法,控制氢氧化镍的晶形结构,以及添加钴、锂等元素,可以有效改善镍电极的电化学性能,从而进一步拓展镍电极在航天领域的应用。 相似文献
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为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间,实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验证电路进行单粒子翻转性能对比,电路的抗单粒子翻转阈值由采用标准六管单元的抗单粒子翻转阈值大于25 MeV·cm 2·mg -1 提升至大于45 MeV·cm 2·mg -1 ,加固单元面积较标准六管单元增大约21.3%。30万门级抗辐照FPGA电路通过脉冲屏蔽单元结合抗辐照SOI工艺实现,其抗辐照指标分别为:抗单粒子翻转阈值大于37.3 MeV·cm 2·mg -1 ,抗单粒子锁定阈值大于99.8 MeV·cm 2·mg -1 ,抗电离总剂量能力大于200 krad(Si)。 相似文献