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装药燃烧增压过程中脱粘扩展条件实验分析 总被引:3,自引:2,他引:3
研究了在高增压燃烧条件下固体推进剂/绝热层界面脱粘进一步扩展的诱导因素,获得了脱粘传播速度与燃烧室点火压强梯度之间的经验关系及临界压强梯度,提出了三种脱粘扩展模式。研究表明,当脱粘槽较窄并且点火增压梯度较大时,脱粘前沿扩展较快。 相似文献
926.
三维针刺C/C-SiC复合材料的烧蚀性能 总被引:2,自引:0,他引:2
采用"化学气相渗透+先驱体浸渍裂解"(CVI+PIP)混合工艺,制备了三维针刺C/C-SiC复合材料,使用氧气流量和乙炔流量之比为2∶1的氧乙炔焰,研究了复合材料的烧蚀性能,烧蚀时间长达600 s;分别用扫描电镜和表面能谱,分析了烧蚀表面的形貌和成分。结果表明,复合材料的线烧蚀率和质量烧蚀率的平均值分别是0.004 3 mm/s和0.001 4 g/s。烧蚀表面不同区域微观形貌和烧蚀机理不同,烧蚀中心以基体氧化流失、C纤维的氧化以及气流冲刷为主;在过渡区域,烧蚀是以SiC基体的氧化和气流冲刷为主;烧蚀边缘则以SiC基体的热氧化为主。C/C-SiC复合材料在氧-乙炔条件下的烧蚀机制是热化学烧蚀、热物理烧蚀和机械冲刷的综合作用。 相似文献
927.
Xilinx FPGA自主配置管理容错设计研究 总被引:2,自引:0,他引:2
针对SRAM型FPGA在空间辐射环境下容易受到单粒子效应影响的问题,在分析可重配置的Xilinx FPGA的结构和故障模式的基础上,提出一种基于自主配置管理的Xilinx FPGA容错设计方案。综合运用诸如逻辑电路三模冗余、块存储器EDAC校验、动态回读、动态局部重配置及周期全局重配置等方法实现故障的屏蔽、检测和修复。该方案覆盖了FPGA的各种单粒子效应故障模式,并且在芯片内部实现了自主配置管理,具有体积小、成本低、可靠性高的特点。 相似文献
928.
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