Nomex蜂窝夹层结构面内剪切性能试验研究

采用改进设计的像框试验对Nomex蜂窝夹层结构的面内剪切性能进行了表征测试与研究。试验结果表明,在像框的持续性剪切载荷作用下,夹层结构首先发生了板-芯界面脱粘,继而蒙皮在竖直方向上形成了巨大的鼓包和皱褶。随着剪切载荷的增加,夹层结构最终发生了横向的断裂。多次试验结果所得的低于3%的离散率也预示出面内剪切像框试验的有效性和准确性。此外,试样和夹具之间的固定程度是影响面内剪切像框试验的关键因素。仅采用螺钉进行固定的试样测试时,螺钉受拉力的移动直接导致了夹层结构边缘破坏,然而样件本身所受像框的面内剪切载荷有限,试验无效。     

弹性与后掠角对三角翼绕流结构的影响

为了研究低雷诺数下微小型飞行器布局的流动机理,在水槽中对展长/根弦长之比为0.5的一系列变弹性和后掠角机翼的绕流结构进行了氢气泡流动显示实验.结果表明,在低雷诺数条件下,流动结构变化规律如下:随着后掠角增大,弹性翼绕流遵循"Ω涡一对前缘涡一对前缘涡与双涡一对前缘涡、双涡与三涡一对前缘涡与双涡一对前缘涡"的变化规律,刚性翼绕流的涡结构变化规律与弹性翼相似,但不存在三涡结构.     

无线传感器网络中DMST拓扑控制算法

为了延长无线传感器网络的生命周期,进行了无线传感器网络中拓扑控制策略的探索性研究,提出了一种基于最小生成树的分布式拓扑控制算法(MST-based distributed topology control algorithm,DMST),该算法能够保持拓扑控制前后网络中任意两点之间最大限度K容错连通特性.在OPNET仿真平台上对该算法进行仿真,最后与无线传感器网络传统的两种节能路由协议基于信息协商的传感器协议(Sensor Protocols for Information via Negotiation,SPIN)和直接扩散协议(Directed Diffusion,DD)在同等条件下针对节点能量使用进行对比,结果表明,DMST算法使得节点能根据自身剩余能量状况对节点运行模式进行控制,达到节能目的.DMST除了能通过改变K值来调整网络的容错能力之外,还能根据节点最大移动速度和Hello包间隔进行拓扑调整,有助于保持移动网络的拓扑稳定性.     

基于WSR的维修大纲审定方法研究

审定是飞机维修大纲投入使用的必要条件。分析了维修大纲审定的必要性,对维修大纲审订工作进行了研究：提出了基于物理-事理-人理的维修大纲审定方法;给出了基于该方法的概念模型;建立了维修大纲审定的指标体系;最后给出了基于指标的维修大纲审定多层模糊综合评判算法,并针对某新型支线飞机维修大纲进行了审定评估,效果良好,为我国飞机维修大纲审定满足适航要求提供了一种有效途径。     

大气潮汐风场诱导中纬突发E层的观测证据及理论模拟分析

统计分析了中纬突发E层的测高仪数据,给出了潮汐风场诱导Es层的观测证据,证实了大气潮汐风场和突发E层的强烈相关性.另外,依据风剪切理论,从连续性方程出发,并结合运动方程,运用特征线方法求解,模拟了Es层在潮汐风场作用下的形成.模拟结果证实了风剪切理论的合理性及潮汐风场导致突发E层形成的可能性.      

基于微分对策的导弹攻击策略

利用建立的垂直平面内交战双方攻击模型,应用微分对策理论,得到导弹的最优攻击策略,对比微分对策导引律与比例导引律在多种仿真环境下的结果,说明在近距离交战中,基于微分对策理论的导引律设计具有更大的优越性。     

中国股市涨跌停板制度的实证分析及政策建议

通过对深圳股市2001年上半年前后两个时期A、B两种股票涨跌停现象的统计分析,发现两种股票的涨跌停频率较高, B股的涨跌频率更是远高与A,并且涨停明显地多于跌停.因此本文认为我国股市当前10%的价格限制比例偏小,同时应该对涨跌设置不同的限制幅度.     

环形磁铁空间磁场的解析计算与仿真

从永磁体的磁荷模型出发,运用标量磁位法、广义二项式定理、矢量叠加原理等建立了环形磁铁在磁体外部空间磁场分布的解析表达式,并在MATLAB仿真软件中进行了计算。利用三维数字式特斯拉计实际测量了两种规格的永磁体的磁场分布,利用Ansoft Maxwell电磁场分析软件建立了两种永磁体在磁体外部空间的磁场分布,通过对比解析计算结果、实际测量结果和Ansoft Maxwell仿真结果发现解析表达式很好地反映了永磁环空间磁场的分布规律,误差不超过7％,从而验证了解析表达式的正确性。     

Study on Inclusions in Large Sapphire Optical Crystal Grown by SAPMAC Method

The sapphire (Al2O3) single crystal is a kind of excellent infrared transmission window materials. A large-sized sapphire (Φ225 mm×205 mm, 27.5 kg) was grown by SAPMAC method (sapphire growth technique with micro-pulling and shoulder-expanding at cooled center). Several kinds of inclusion in the large sapphire crystal were investigated by means of an optical microscopy (OM), scan-ning electron microscopy (SEM) and electron probe microanalysis (EPMA). The experimental results show that most inclusions are consisted of solid metallic and non-metallic particles as well as gas pores caused by the impurity of alumina as the raw material, the thermal dissociation of aluminum oxide melt and the reaction of the melt to the crucible material (Mo) at high temperatures. It is also found that in different crystal regions the inclusions are of varied sizes, morphology and chemical compositions. Finally, the measures to reduce and eliminate the inclusions are proposed to improve the crystal quality.