空空导弹成像制导系统动态仿真技术研究

提出了一种用于空空导弹制导系统动态仿真测试的数字成像导引回路设计与实现方法。通过设计合理的数字模拟接口并将真实的红外成像导引头用数学模型替代,可以实现数字导引头与导弹飞控舱实物的有效连接,完成灵活的制导系统数字/实物多重组合动态仿真。在保证必要的红外目标辐射特性和运动特性建模精度基础上,采用这种方法可以满足导弹制导算法的研制和调试需要。该方法目前已在某型红外数字化空空导弹的制导系统算法研制中获得应用,取得良好的应用效果。     

共因失效率的不确定性评估

利用影响矢量法中定义权值的思想并对其进行扩展,针对数据的不确定性问题,提出了一种新的共因失效率的计算方法。该法综合考虑评估和统计的不确定性,利用概率生成函数,根据权值来获得系统多重失效率的均值和方差。算例表明,在计算共因失效率均值时,该法与传统的近似计算法获得了相同的结果,而在计算方差时,传统的近似法给出了过于乐观的结果。     

高亚声速压气机叶片优化设计

为实现压气机叶片的优化设计,采用Hicks Henne函数进行叶型参数化,N S方程流场计算与混合遗传算法结合构成设计软件。以给定叶片表面压力分布为目标,以损失小而扩压度大和给定压比损失最小作为目标,所得优化叶片吸力面等熵马赫数分布合理、符合控制扩散规律,具有较好的压比和损失指标。采用几何方法与椭圆型方程方法结合生成壁面正交H型网格,可提高计算精度和便于采用代数紊流模型的流场计算。     

平面激光诱导荧光技术在超声速燃烧中的应用

使用283.553nm的紫外激光激发对温度不敏感的氢氧基Q1(8)线,拍摄代表氢氧基浓度分布的受激荧光发射图像,以此来分析超声速燃烧火焰的结构。用这种方法研究了不同凹腔长深比、凹腔后缘倾角和不同燃料喷注方案对超声速燃烧火焰结构的影响。观察到了凹腔与激波对点火和火焰稳定的作用,凹腔长深比和后缘倾角对燃料穿透、混合和燃烧的不同扰动作用,以及火焰中存在明显的湍流结构和分区燃烧现象,并进行了简要分析。结果显示PLIF是超声速燃烧研究的有力工具。     

低速轴流压气机尾流撞击效应的数值模拟

利用二维数值模拟研究了低速轴流压气机上游尾迹对下游相邻叶排的非定常分离流场的影响。研究表明：满足一定通过频率和亏损幅值条件的尾迹能够有效抑制下游相邻叶排尾缘涡的生成，达到控制或是推迟附面层非定常分离的目的，从而使得流场时均性能大幅度的提高，损失系数降低了40．2％，功损比增加93％。为固有非定常潜能的利用提供了一类新途径。     

数字摄像在脉冲推力器性能分析中的应用

为更详细地分析脉冲推力器的实际工作性能,弥补传统推力和压力曲线分析的不足,利用高速数字摄像仪拍摄了脉冲推力器尾焰图像,根据图像特征进行了推力器工作性能的辅助分析,结果表明:尾焰图像特征可以反映脉冲推力器的点火启动性能和实际推力特性以及推力器的工作效率,将图像分析与推力或压力分析相结合可以更全面地进行脉冲推力器性能分析,有利于推力器设计性能的进一步提高。     

含3,4-二硝基呋咱基氧化呋咱(DNTF)的改性双基推进剂

研究了3,4 二硝基呋咱基氧化呋咱(DNTF)逐渐取代硝胺改性双基推进剂中的RDX对推进剂能量、燃烧性能和机械感度的影响。结果表明:用DNTF逐渐取代硝胺改性双基推进剂中的RDX,推进剂的理论比冲、特征速度、火焰温度和产物平均相对分子质量均增加;推进剂撞击感度增大,摩擦感度降低。DNTF代替具有平台燃烧特性的改性双基推进剂中的RDX后,推进剂仍可获得较低的压强指数。     

空中交通发展面临的挑战与前景

在飞机、机场、空中交通大系统的长远发展历史上,观察空中交通从过去到现在的演变,得到对今后发展的启示。介绍一些概念及其论著,围绕着如何利用广阔空域资源而进行的探索,找出相应的技术支持,指出必要的体制转变。     

硬铝合金预拉伸、热处理后成形性能的正交试验研究

在铝合金实际成形工艺的基础上通过正交试验研究了成形过程的各个因素:热处理前的变形、试件取样拉伸方向、时效时间及材料厚度对淬火后铝合金各成形性能指标的影响,得到了这些因素对材料各个性能指标的影响规律和新淬火状态下铝合金成形性能的特点,指出了热处理后材料的变形效应并没有消失,甚至依然显著地影响着某些成形性能,给出了2D12铝合金板料在新淬火状态下的本构关系,为成形工艺的制定及数值模拟分析提供了依据。     

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。