全文获取类型
收费全文 | 11601篇 |
免费 | 3749篇 |
国内免费 | 1739篇 |
专业分类
航空 | 10615篇 |
航天技术 | 1928篇 |
综合类 | 890篇 |
航天 | 3656篇 |
出版年
2024年 | 129篇 |
2023年 | 355篇 |
2022年 | 884篇 |
2021年 | 937篇 |
2020年 | 814篇 |
2019年 | 723篇 |
2018年 | 755篇 |
2017年 | 899篇 |
2016年 | 636篇 |
2015年 | 809篇 |
2014年 | 746篇 |
2013年 | 825篇 |
2012年 | 982篇 |
2011年 | 1001篇 |
2010年 | 864篇 |
2009年 | 813篇 |
2008年 | 818篇 |
2007年 | 871篇 |
2006年 | 833篇 |
2005年 | 635篇 |
2004年 | 494篇 |
2003年 | 341篇 |
2002年 | 341篇 |
2001年 | 271篇 |
2000年 | 212篇 |
1999年 | 89篇 |
1998年 | 9篇 |
1997年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 484 毫秒
811.
高等职业教育学制改革的思考 总被引:1,自引:0,他引:1
本文分析了高等职业教育实施两年制改革的必要性,探讨了实施两年制改革应注意的问题,提出了如何搞好两年制改革的对策和建议。 相似文献
812.
813.
以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。 相似文献
814.
815.
816.
817.
818.
819.
820.
文章对股票的投资回收期及股票的标准投资回收期进行了探讨,针对不同股票的特征,提出了4种股票投资回收期的模型,从而,克服了用市盈率作为判断股票投资价值的不足,为股票投资者提供了一个投资决策方法。 相似文献