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992.
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994.
针对工程中的计算机实体仿真需要,为满足各种工程领域具体仿真对象仿真设计和实验的要求,应用计算机图形学原理,采用高级编程语言提出进行计算机仿真系统软件设计的思想和方法,论述这种仿真系统中几何信息、功能信息、实体模型、特征模型所具有的功能以及各程序模块的作用及建立方法,并给出程序设计的主要流程图。 相似文献
995.
996.
EB-PVD沉积Ni-Cr-Al合金的组织和力学性能的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
利用电子束物理气相沉积(EB-PVD)方法制备出厚度为0.5mm的Ni-Cr-Al高温合金。研究了该合金在制备状态和长期时效后的显微组织及其力学性能。结果表明,制备态合金表面的晶粒尺寸约为185nm,并且材料断面呈层状结构。合金在760℃下时效16h,72h和120h后,材料断面的层状结构消失,且明显看到晶粒的存在。合金时效16h后,在靠近基板一侧形成柱状晶,但远离基板一侧为等轴晶。760℃长时间时效形成的主要强化相为γ'相。断口结果表明,制备态合金室温断口为混合型断口,接近基板一侧发生沿柱状晶边界的脆性断裂,而在另一侧为韧窝为主的韧性断裂。材料经长时间的真空时效后,断口由脆性断口转变为韧性断口。合金的室温显微硬度随时效时间的增加而下降,这是由于γ'相不断长大所引起。与制备态合金相比,时效后合金的力学性能明显改善。 相似文献
997.
998.
掺杂硅再结晶石墨微观结构及其性能的研究 总被引:5,自引:1,他引:5
用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、硅粉作添加剂 ,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂硅再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加硅对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化。结果表明 :与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较 ,掺杂硅再结晶石墨的导热导电性能均有较明显的提高 ,而力学性能却有所降低。与纯石墨材料相比较 ,当硅掺杂量为 4wt%时 ,再结晶石墨电阻率可降低 2 5 % ;而当硅掺杂量超过 4wt%时 ,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下 ,RG-Si-6再结晶石墨的层面方向热导率可达 3 2 5 W/ (m·K)。微观结构分析表明 ,随着硅掺杂量的增加 ,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸均增大 ,晶面层间距 d0 0 2 降低。原料中掺杂硅量为 6wt%时 ,再结晶石墨的石墨化度为 94.3 % ,微晶参数 La/为 1 94nm。 XRD分析表明 ,硅元素在再结晶石墨中以 α-Si C的形式存在。硅对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用碳化物分解机理来解释 相似文献
999.
1000.
通过对大法兰边非圆引伸的应力、应变分析,探讨了带有大法兰边的非圆高翻边件的成形特点和成形方法。 相似文献