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研究了通道进口雷诺数和总出流比对带肋和双排出流孔通道流量系数和压力分布的影响。实验研究的通道入口雷诺数为3×104~1.5×105,通道总出流比为0.09~0.22。结果表明:通道总出流比较小时,流量系数沿流向减小。通道进口雷诺数增加,流量系数先增加,之后基本不变;通道总出流比较大时,流量系数基本不变;各工况下总压系数沿流向依次经历迅速减小、基本不变、继续减小的过程;沿流向各位置上的总压系数在通道进口雷诺数为6×104~9×104时最小;出流比增大,沿流向各位置上的总压系数随之增大。 相似文献
222.
223.
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SCR技术制备A2017半固态材料及其触变性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
单辊搅拌技术 (SCRShearing/CoolingRollProcess)技术制备的A2 0 17半固态材料比常规铸造坯组织优良 ;SCR技术制备的A2 0 17半固态材料在 5 30~ 5 70℃范围内 ,可以进行触变成形 ;半固态成形平均屈服强度比热加工时的屈服强度低 10MPa ;A2 0 17半固态材料触变过程分为四个阶段 ,稳定触变阶段A2 0 17半固态材料的触变性能稳定 ,半固态加工时容许的最大加工变形范围为 6 4 %~ 72 %。 相似文献
225.
226.
为深入了解二硝酰胺铵(ADN)的热分解,为该氧化剂在推进剂中应用提供必要的技术保障和实验依据,采用热重分析法(TG)及差示扫描量热法(DSC),实验研究了氮气流量、合成中间体烷基羰基N-硝酰胺铵(AUN)及硝酸铵(AN)对ADN热分解过程的影响,并利用model-free isoconversional方法模ADN热分解过程的活化能曲线。结果表明:氮气流量和硝酸铵(AN)对ADN的热分解过程有显著影响,而AUN可使ADN热分解曲线产生肩峰,但基本不影响ADN的热分解过程。 相似文献
227.
概述了CVD—Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为。Si3N4陶瓷在高温下氧化时,除生成SiO2保护膜外,还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si—O—N化合物层),该层具有优异的抗氧化性能。介绍了两种氧化机制模型,同时分析了温度、杂质等对CVD—Si3N4陶瓷氧化行为的影响。 相似文献
228.
229.
230.