三维喷管设计

为了简化设计过程并获得满意的设计性能，以圆转方和圆转矩形喷管为例，对已有的三维喷管型面设计方法进行比较和总结，运用数值方法分析了型面转换起始位置和喷管出口高宽比的确定，提出了一套三维型面的直接生成方法，并给出相应的设计准则。经过实际设计和加工的检验，证明了设计方法的工艺可行性。在能够保证三维喷管的制造工艺条件以及冷却通道布置要求下，型面转换的起始位置可以尽量接近喉部；喷管出口截面的宽边不要超过窄边的1．5倍，应尽量接近于方形。     

基于图像识别的发动机内窥智能检测系统研究

介绍了一种基于图像识别技术的航空发动机内窥检测的新方法，采用最大类间方差法计算二值化分割的最佳阈值，并将提取的图像特征输入神经网络进行分层识别，最后由专家系统对损伤程度进行了诊断。通过现场测试，证明了该方法的有效性和实用性．     

靶场测控通信系统可靠性分析

首先确定了测控通信系统可靠性分析框架，然后针对系统构型为串并联系统、试验信息为成败型数据／寿命型数据的情况，研究了可靠性信息融合的Bayes方法，最后讨论了系统可靠性的Bayes统计推断问题，包括点估计、置信估计和假设检验。     

带肋和双排出流孔通道的流动特性

研究了通道进口雷诺数和总出流比对带肋和双排出流孔通道流量系数和压力分布的影响。实验研究的通道入口雷诺数为3×104~1.5×105,通道总出流比为0.09~0.22。结果表明:通道总出流比较小时,流量系数沿流向减小。通道进口雷诺数增加,流量系数先增加,之后基本不变;通道总出流比较大时,流量系数基本不变;各工况下总压系数沿流向依次经历迅速减小、基本不变、继续减小的过程;沿流向各位置上的总压系数在通道进口雷诺数为6×104~9×104时最小;出流比增大,沿流向各位置上的总压系数随之增大。     

非参量量化秩检测器的性能研究

 许多作者讨论过非参量秩检测器在雷达信号处理中的应用。秩检测器首先把接收波形样本转换为秩。如果检验单元和参考单元的噪声样本独立和分布,则无信号时检验单元的秩具有离散均匀分布,与输入噪声的分布无关。所以秩检测器可能提供分布自由的恒虚警率性能。量化秩检测器（QRD）只对二进量化秩进行积累,所以它实现起来很经济。本文分析QRD的检测性能。证明QRD有一最佳秩量化门限（ORQT）。确定高斯和韦伯噪声中的ORQT。另外,把QRD同高斯噪声中的局部最佳秩检测器和最佳参量检测器进行比较。     

两级固体火箭联合动力装置的参数优化

本文针对某型导弹由两级固体火箭发动机组成的联合动力装置进行九变量寻优计算.通过采用二维抛物线插值方法及合理组织迭代的技巧,解决了庞大的目标函数计算子程序耗时太多的问题;经大量调试,协调寻优步长、罚因子、收敛精度,最后成功地完成了本文的九维寻优计算,得到了能稳定收敛的最优解.所得最优方案比原参考方案的发动机总重减轻7.03kg(约占总重的2%).     

SCR技术制备A2017半固态材料及其触变性能的研究

单辊搅拌技术 (SCRShearing/CoolingRollProcess)技术制备的A2 0 17半固态材料比常规铸造坯组织优良 ;SCR技术制备的A2 0 17半固态材料在 5 30～ 5 70℃范围内 ,可以进行触变成形 ;半固态成形平均屈服强度比热加工时的屈服强度低 10MPa ;A2 0 17半固态材料触变过程分为四个阶段 ,稳定触变阶段A2 0 17半固态材料的触变性能稳定 ,半固态加工时容许的最大加工变形范围为 6 4 %～ 72 %。     

旋转同心双轴间流动的热态实验

某型发动机高、低压涡轮轴间环形气流通内的流动可以简化为两个独立旋转同心双轴环道内的流动问题。对其控制方程以及边界条件进行无量纲化，得出了实验准则，设计并建立了实验台，以实验方法研究了具有轴向通流的独立旋转同心双轴环道内的流动规律。结果表明，随着冷气雷诺数增大，阻力系数总体趋势减小；冷气雷诺数的影响远大于内轴和外轴旋转对流动的影响。     

高能氧化剂二硝酰胺铵的热分解研究

为深入了解二硝酰胺铵(ADN)的热分解，为该氧化剂在推进剂中应用提供必要的技术保障和实验依据，采用热重分析法(TG)及差示扫描量热法(DSC)，实验研究了氮气流量、合成中间体烷基羰基N-硝酰胺铵(AUN)及硝酸铵(AN)对ADN热分解过程的影响，并利用model-free isoconversional方法模ADN热分解过程的活化能曲线。结果表明：氮气流量和硝酸铵(AN)对ADN的热分解过程有显著影响，而AUN可使ADN热分解曲线产生肩峰，但基本不影响ADN的热分解过程。     

CVD-Si3N4陶瓷及其复合材料氧化行为研究进展

概述了CVD—Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为。Si3N4陶瓷在高温下氧化时，除生成SiO2保护膜外，还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si—O—N化合物层)，该层具有优异的抗氧化性能。介绍了两种氧化机制模型，同时分析了温度、杂质等对CVD—Si3N4陶瓷氧化行为的影响。