超声速自由剪切层流动的数值模拟和理论分析

本文从二维完全Ｎ－Ｓ方程出发，采用ＮＮＤ２Ｍ差分格式，计算了超声速自由剪切层流场，并且研究了上游扰动在剪切层内的传播规律。在数值模拟的基础上对流动涡结构进行了分析。     

飞行控制系统的非线性鲁棒控制

对非线性飞行控制系统的非线性鲁棒动态逆设计方法作了研究,给出了一种具有鲁棒稳定的非线性动态逆控制方案,以克服飞机在机动飞行时,被控对象参数不确定性和外干扰对系统稳定性的影响,并给出了该方案在这种情况下的稳定性结果。     

滑动轴承—转子系统Hopf分岔分析计算方法

基于Hopf分岔定性理论、周期系统Floquet理论,针对流固耦合系统力函数计算特点,并考虑系统规模大小对算法的不同要求,提出了一套新的转子-轴承系统Hopf分岔分析计算方法。这套方法主要包括自激周期解计算的边值方法、周期解稳定性判别算法、周期解预测-校正延续算法、自激振动的稳定裕度准则等,可以有效地确定转子-轴承系统Hopf分岔临界点及分岔方向,可以研究分岔解的发展、变化,包括研究实践中关注的“跳跃”、“迟滞”等典型非线性现象。      

Apmoc-II和Kevlar-49纤维结晶的X射线衍射分析研究

采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）方法与理论,对Ａｐｍｏｃ－Ⅱ和Ｋｅｖｌａｒ－４９纤维进行了Ｘ射线衍射测试。应用图解分峰法对衍射图中结晶峰与非结晶峰进行了分离,分别计算出各结晶峰与非结晶峰的相对积分强度,从而计算出各自结晶度及晶面间距的大小,其中Ａｐｍｏｃ－Ⅱ和Ｋｅｖｌａｒ－４９纤维的结晶度分别为５２．３４％与６８．６８％,同时分析了两种纤维结晶程度、晶面间距差别的原因。然后把两种纤维分别溶于浓Ｈ２ＳＯ４,     

运输飞行成本指数计算

对运输飞行成本进行了划分,提出了计算成本指数的方法,分析了成本指数对运输飞行经济性的影响。以某航空公司为例,计算了该航空公司的成本指数,并在全飞行模拟机上验证了使所计算的成本指数飞行的运输飞行成本。结果表明,使正确的成本指数飞行,将大量节约运输飞行成本。可为航空公司计算自己的成本指数,降低成本,提高运输飞行经济性提供参考。     

均匀与非均匀进气条件下多级轴流压气机性能计算—周向畸变的影响

本文重点介绍采用二维可压缩非定常的 Euler方程描述回转面上无叶区的流动, 并利用二维可压缩“激盘”取代压气机的转子和静子叶排, 分析进气周向畸变对轴流压气机性能影响的模型。该模型中各叶排的损失和转折角直接由与均匀进气子系统完全相同的方法计算确定, 从而克服了在解决此类问题时通常需要给定各叶排损失和转角特性的困难。本文还重点分析了进口周向总压畸变经过 RB-199高压压气机的衰减和对该压气机性能的影响, 并分析了气动负荷的影响。      

基于加速度计和角速率陀螺的超小无人直升机姿态控制系统

设计了一种基于加速度计和角速率陀螺的超小型无人直升机姿态控制系统;由卡尔曼滤波算法融合加速度计和陀螺数据,实时估计最优的直升机姿态信号;根据最优的姿态反馈信号,飞行控制系统采用参数自整定的模糊PID控制方法得到舵机控制信号,从而实现了超小型无人直升机的姿态控制。     

CO2脉冲激光与气体相互作用实验

实验研究采用波长为10.6μm的CO2脉冲激光器,N2,He,CO2等三种纯净气体及上述气体的相互混合气作为推进工质时,通过实验舱内的冲击摆装置对抛物形光船获得的冲量耦合系数Cm进行了测量。实验发现气体工质的获得的冲量耦合系数Cm随气压增高而增大,通常气体工质的分子量越大,冲量耦合系数Cm越大;在低气压条件下,分子量较大的气体所占的比例越高,混合气获得的冲量耦合系数Cm越高;在高气压条件下,混合气体工质获得的冲量耦合系数与混合气体的种类及比例密切相关。     

战斗机超机动飞行自抗扰控制器设计

提出了一种利用自抗扰控制器算法在大包线范围内设计超机动飞行控制系统的新方法。根据奇异摄动理论和自抗扰控制器能够动态补偿系统模型扰动和外扰的特性,在超机动飞行的快慢子回路中分别引入自抗扰控制器,实现了快变量和慢变量的动态解耦控制。控制律设计直接依据超机动飞行的强耦合、强非线性模型,在很大的包线范围内不需要改变控制器的结构和参数,大大简化了设计过程。大包线范围内的大迎角机动仿真结果表明,系统具有良好的动态和稳态性能,控制器具有很强的鲁棒性,为解决大包线范围内的超机动飞行控制问题提供了一种新的途径。     

先驱体法制备连续Si-Fe-C-O吸波纤维的研究

用聚二甲基硅烷和二茂铁合成聚铁碳硅烷,经多孔熔融纺丝、预氧化、连续烧成,制得电阻率低至10-2Ω·cm,拉伸强度可达2.0GPa,长度大于500m的连续Si-Fe-C-O纤维,这种纤维在8～18GHz范围内具有较好的吸收雷达波性能.研究铁对Si-Fe-C-O纤维电阻率和β-SiC结晶的影响:铁含量的增加有利于β-SiC晶粒的增长和电阻率的降低.