长焦距镜面的相位恢复检测技术研究

针对长焦距光学镜面在位检测的难题,引入相位恢复测量原理,提出了一种基于补偿镜的新测量方法以实现镜面的近距离在位检测.对测量原理和测量方案进行了分析,并构建了测量装置.     

基于线化稳定性理论的后掠翼边界层内横流稳定性研究

采用Mack方法求解忽略曲率和压缩性的三维线化稳定性方程（Orr-Sommerfeld方程）,针对无限展长后掠翼,计算分析边界层内不同波长横流驻波沿弦向的放大率,确定最不稳定波的波长。计算结果与参考文献中的实验结论和计算结果符合较好,表明该方法能够准确的预测出最不稳定波的波长,可以用来指导横流驻波主导下的后掠翼流动稳定性问题研究。     

基于局域网的生产车间统计过程控制（SPC）系统的开发

在局域网范围内,实现统计过程控制(SPC)管理系统的应用,有效的解决了生产车间之间的数据传送和实时统计问题,并能及时的对加工零件的关键质量数据进行统计分析,有效地控制,进而达到对加工状态预警和调整的目的.     

低雷诺数条件下微型无人机机翼形状的研究

利用CFD软件FLUENT,通过Spalart-Allmaras模型、低Reynolds和二层模型这3种湍流模型对正八边形机翼平面布局进行绕流分析并与试验数据进行对比,选择了低Reynolds湍流模型对4种微型无人机机翼平面形状的低雷诺数气动特性进行模拟分析,结果表明,矩形布局和反齐默曼布局是微型无人机比较理想的设计选择.     

某型燃气涡轮起动机空中起动试验

为验证原本只为在地面起动发动机而设计的某型燃气涡轮起动机的空中辅助起动性能,在飞行试验台上,对其进行了空中辅助起动试验。与在地面起动发动机时的参数进行比较,得到了有意义的结论,掌握了其在空中工作时参数的变化规律,为提高该型燃气涡轮起动机空中辅助起动性能提供了依据。     

大型飞机迎角/过载限制器设计

根据典型大型飞机迎角/过载限制器的特点,提出了两种采用积分控制来减小静态误差的大型飞机迎角/过载保护方法,即最大值切换逻辑和加权过渡逻辑方法,深入研究了如何设计迎角/过载限制器参数,探讨了采用以上两种不同方法来进行迎角与过载限制器切换的优劣,系统仿真结果证明了所设计的限制器的有效性。该项研究为我国未来大型飞机如何设计迎角/过载限制器提供了部分理论依据。     

固定小翼颤振激励系统试飞验证

针对一种新研制的带开缝旋转圆筒固定小翼激励系统,对其工作特性和激励力特性进行了试飞验证。试验结果表明,该系统工作特性基本达到了最初的设计指标要求,激励力特性理论计算与实测结果基本吻合,为该系统进一步的应用奠定了基础。     

重复搅拌摩擦加工对铸态L2纯铝组织性能影响

对铸态L2纯铝分别进行了单道次和2,3次重复搅拌摩擦加工处理,研究了搅拌摩擦加工次数对L2纯铝组织性能的影响.结果表明:剧烈的塑性变形促使粗大的枝状晶显著破碎,形成了细小且均匀分布的再结晶组织,重复加工次数对再结晶晶粒的尺寸影响较小.重复搅拌摩擦加工后,铸态L2纯铝的最大显微硬度值提高了17 HV,最大抗拉强度及延伸率分别提高了39 MPa和22%,试样的拉伸断口呈现出微孔聚合韧性断裂特征.随着重复加工次数的增加,相邻道次间的显微硬度、抗拉强度和延伸率差值均减小.     

不同碳黑填料含量2D—SiCf／SiC复合材料介电及雷达吸波性能研究

对先驱体浸渍裂解工艺(PIP)制备的含碳黑填料2D-SiCf/SiC复合材料介电以及雷达吸波性能进行研究.研究表明,由于KD-Ⅰ型SiC纤维表面具有连续碳涂层,不能直接用于吸波材料,需通过空气热处理手段将其除去.对纤维表面去碳后制成的不同碳黑填料含量2D-SiCf/SiC复合材料微波介电常数进行测试,结果表明,随碳黑含量增加,复合材料介电常数明显增大,但由于碳黑的高比表面和先驱体溶液粘度的限制,复合材料中碳黑体积分数最大仅能达到7%～8%,介电常数难以继续增大,介电损耗低于0.3,并且介电常数频散效应不理想.对不同碳黑填料含量复合材料反射率进行计算,结果表明,单层复合材料在某一频段内具有较好的吸波性能,但由于复合材料介电常数频散效应较差,宽频吸波性能不理想,采用不同吸收剂含量复合材料层铺工艺可能可以解决吸波性能带宽问题.     

低温等离子处理对PTFE表面性能的影响

采用He,O2为处理介质,对PTFE(聚四氟乙烯)薄膜进行了低温等离子体表面改性.分析了表面元素,测试了接触角和表面能,用原子力显微镜观察了PTFE表面形貌.研究表明:经等离子体表面处理后,PTFE接触角降低,表面能提高;经He处理后,水接触角由108°最低下降至82.4°,表面能由24.0mJ/m2到34.4mJ/m2;经O2处理,水接触角由108°下降到了80.6°,表面能为35.8mJ·m2.形貌观察表明,处理后的PTFE表面粗糙度明显增加,引入了含氧官能团.另外,得到较佳的处理参数:O2为处理介质、功率300 W.