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101.
大挠性多体卫星的自抗扰姿态控制系统设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
朱承元  杨涤  杨旭 《航天控制》2004,22(6):25-31
研究了最近提出的非线性自抗扰控制器 (ADRC)在大挠性多体卫星姿态控制中的应用问题。提出了一种双闭环自抗扰姿态控制器 (ADRAC) ,并从鲁棒性、干扰抑制、动静态性能指标和振动抑制等方面与使用于某挠性卫星的传统PID控制器进行了比较。在考虑了反作用轮和敏感器的实际非线性和敏感器噪声的影响情况下进行了仿真 ,结果表明 ,双闭环自抗扰姿态控制器各方面性能均优于传统的PID。本文提出的自抗扰姿态控制器 ,对实现挠性多体卫星的高精度高稳定度姿态控制 ,具有实际的应用价值  相似文献   
102.
大气层外质量矩控制自旋拦截器的姿态机动效果分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
姜宇  姚郁 《航天控制》2005,23(5):4-8
针对大气层外质量矩控制自旋拦截器的特点,建立了具有一个可任意活动质量块的拦截器六自由度动力学数学模型;并基于带有一个沿径向运动质量块的姿态动力学模型,分析了姿态控制机理及结构参数对姿态控制效果的影响,通过仿真验证了分析的有效性,为拦截器姿态控制系统的设计奠定了基础。  相似文献   
103.
 用Nicalon SiC纤维进行SiC/Al复合材料研究的结果表明,Al对该纤维的润湿性很差。其次,该纤维会与Al发生化学反应损伤纤维从而使其强度下降。因此,寻找一种低温固态复合工艺,如粉浆法,是必要的。粉浆法可避开液态Al不润湿SiC纤维的不利因素,又可降低化学反应速度,从而减少对纤维的化学损伤;此法可在常温下预成形因而可将玻璃的缠绕成型工艺移植到金属基复合材料。  相似文献   
104.
于起峰  龙涤波 《航空学报》1989,10(8):409-412
 本文提出一种从云纹数字图象直接建立数字应变场图象的新方法。数字应变场图象直接用图象灰度表示应变大小。此方法不但得到定量的、直观形象的应变场图象,且方法简单,实用,满足工程精度要求。  相似文献   
105.
 本文采用Fourier积分变换,将层状介质的弹性波传递矩阵法推广到含有平面交界裂纹层状介质的弹性渡散射问题,进而把散射问题转化为求解矩阵形式的对偶积分方程。作为特例,文中给出单一弹性层与半空间平面交界裂纹的弹性波散射远场模式,并计算几组不同材料组合情形下的远场模式幅频特性曲线,其数值结果表明幅频特性曲线有共振峰存在。  相似文献   
106.
飞机典型结构(紧固孔)原始疲劳质量研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
 本文介绍了一个定量地确定飞机结构细节(紧固孔)的原始疲劳质量的工程方法。用“当量初始缺陷尺寸分布”表征在一个或多个结构细节中真实初始缺陷的当量影响。用“使用裂纹扩展控制曲线”描述这一分布的扩展规律。用“裂纹超出量概率”定量地确定细节疲劳开裂的损伤度。这一工程方法原则上也适用于其它的结构细节,如几何不连续处、圆角及耳片等。本文编制了参数优化的计算机程序,并进行了大量试验研究,计算结果证实了这一工程方法的适用性、  相似文献   
107.
 本文采用自相似方法第一次以封闭形式给出了在匀速扩展剪切载荷作用下1/4空间的动力响应,探讨了冲击波产生和发展的条件,以及在超高速冲击下材料破坏的不同机理。  相似文献   
108.
复合材料机械连接件非线性接触应力分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
陈浩然  息志臣 《航空学报》1990,11(7):410-414
 <正> 近年来,复合材料非线性效应已引志广泛重视,但是复合材料机械连接件非线性效应的研究尚不多见。F.K.Chang采用余弦分布载荷假设和Hahn-tsai剪切非线  相似文献   
109.
Ti-51.8at%Ni形状记忆合金中Ti_3Ni_4相的析出过程   总被引:1,自引:0,他引:1  
 用透射电镜系统地研究了Ti-51.8at%Ni形状记忆合金在300~600℃时效时Ti_3Ni_4相的析出过程。结果表明:Ti_3Ni_4相以均匀成核方式从过饱和基体中弥散析出。时效初期,Ti_3Ni_4相为细小颗粒状;随时效时间延长或时效温度升高,Ti_3Ni_4相逐渐长大为透镜片状,最终粗化为粗片状。Ti_3Ni_4相通常与基体保持良好的共格关系,其共格应变场衬度随Ti_3Ni_4相尺寸增大而变化,至Ti_3Ni_4相聚集粗化后,与基体的共格关系逐渐丧失,并在其周围基体中产生位错,位错的柏氏矢量为1/2(111)_(B2)或1/2(111)_(B2)。  相似文献   
110.
采用先驱体转化法(PIP方法)制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过调整多孔预制件的体积密度制备出不同组分比的C/SiC复合材料。结果显示,C/SiC复合材料的热膨胀系数随着复合材料中SiC含量的增加而增加,其与CVDSiC涂层之间的热匹配也相应增加,通过CVI方法制备梯度过渡层,在C/SiC复合材料表面制备出致密度较高的CVDSiC涂层。  相似文献   
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