基于AHP与D-S理论的辐射源识别技术

深入研究了基于层次分析与证据理论的辐射源识别技术.首先针对属性测度识别方法中权重获取困难的问题,提出利用层次分析法获取多参数权重的思想,给出权重具体计算步骤,同时简要回顾属性测度识别方法的原理.在此基础上,应用D.S证据理论进行多传感器信息融合,给出识别算法和模型.仿真对比实验表明,提出的辐射源识别技术是实用有效的,其下确识别率较高.     

一种新的脉冲星累积脉冲轮廓辨识算法

为解决X射线脉冲星导航系统中脉冲星类型难以准确辨识的问题,本文分析了导航系统中累积脉冲轮廓的特点,提出了一种基于选择Bispectra\|Mellin(BM)谱的脉冲星累积脉冲轮廓辨识算法。该算法首先对累积脉冲轮廓进行双谱变换,提取平移不变特征信息,并抑制噪声;然后通过计算归一化双谱幅值的两维Mellin变换将双谱的尺度伸缩转换为BM谱的相位变化;最后利用简化的Fisher可分离度使BM幅度谱域降维,得到特征向量用于相关辨识。利用美国罗希(Rossi)X射线时变探测卫星的实测X射线脉冲星数据进行辨识实验,结果表明：(1) 该算法能对具有不同相位和尺度因子的累积脉冲轮廓进行有效辨识,辨识效果优于现有辨识算法;(2) 当相位间隔为4.8°时,该算法的辨识效果达到最佳;(3) 运算量小,适用于脉冲星导航系统。     

壁温对隔离段激波串振荡的影响

为了探索存在换热条件下超燃冲压发动机隔离段内部的复杂流动机理,采用2阶精度的非定常数值模拟程序研究了壁温对隔离段内部激波串振荡特性的影响。结果表明:压力振荡曲线与激波串前缘位置之间存在紧密关系。此外,随着壁温升高,隔离段壁面压力振荡的频率减小、振幅增加。研究还发现,隔离段压力振荡标准差最大值位于激波串前缘激波及其与上下壁面边界层相互作的位置,而湍动能最大值则分布在分离区后侧剪切层区域内。      

复合材料制造过程仿真技术综述

复合材料制造过程仿真技术的有效应用可以在复合材料构件设计之初对其制造过程中可能出现的缺陷,如分层、孔隙、温度不均、变形等问题进行预测,从而为优化构件结构、调整工艺参数或模具型面提供依据。对目前复合材料设计制造领域常用的一些软件进行简要介绍,并针对目前复合材料制造过程温度场分布和固化变形仿真技术中存在的问题进行了阐述与讨论。     

高性能产品(零件)制造技术特征现状的研究分析

系统分析各类高性能制造以注重零件的几何尺寸精度所带来的问题,即在具备超精密、高精度加工能力后,由"合格的高精度零件"装配出的产品至今依然还是合格率低、参数稳定性差的本质内因.首次从零件制造微观角度提出了产品生产合格率低、参数稳定性差是由零件表面微观特征与产品技术特征非匹配性导致的,提出了全新的产品制造理念,从注重零件的几何尺寸精度向关注零件制造微观工艺特征与产品技术特征的匹配性和符合性转变.形成和建立起我国自主创新的高性能产品制造思想和产品制造工艺技术体系,才能从根本上解决产品生产制造合格率低、参数稳定性差等问题,才能形成有继承性、可持续、稳定的产品制造技术体系,而这一切是工业4.0制造模式无法解决的.     

微电子封装技术及发展趋势综述

随着电子产品小型化、高集成度的发展趋势,电子产品的封装技术正逐步迈入微电子封装时代。本文对微电子封装的关键技术进行了介绍,介绍了芯片互连工艺、典型封装技术和MCM技术。同时,本文对微电子封装技术的发展趋势及应用前景进行了综述。     

Multisim在高频电子技术课程中的应用

使用multisim软件对普通调幅和抑制载波的双边带调幅电路制作和仿真,阐述multisim软件对学习和理解高频电子技术课程有很大的帮助。     

中间件技术的研究及应用

本文在分析了分布式应用系统体系结构发展变化的基础上．阐述了中间件的概念、功能和在可重用、多异构数据源应用系统的作用，对ODBC、BDE／IDAPIT、0LEDB／ADO和JDBC等分布式数据库中间件；CGI、lSAPI／NSAPI、ASP、JSP等中间件进行了分析比较，并给出了中间件技术在教务管理信息系统的应用实例。     

甚小型卫星发展综述

介绍了立方星(CubeSat)、片上卫星(SpaceChip)、印制电路板卫星(PCBSat)、多芯片组件卫星(MCMSat)4种甚小型卫星的发展情况和技术特点。CubeSat技术最为成熟,已发射多颗此类卫星,但体积固定,成本较高;SpaceChip是卫星小型化的最终目标,它成本最低,集成度最高,体积最小,但通信距离较短;PCBSat的成本和性能居中,设计复杂度低,且元器件有商用现货供应,但功耗较大;MCMSat综合了PCBSat和SpaceChip的技术特点,技术复杂。我国甚小型卫星可选择优先发展PCBSat;重点突破商用现货元器件的筛选,以及空间应用技术、一体化姿态控制技术、新型微推进技术、轻型高效的蓄电池和太阳电池技术等。     

太赫兹固态电子器件和电路

随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性特性得到极大发展。以固态器件为基础的电路的工作频率进入到太赫兹频段。太赫兹固态电子器件与电路技术在空间领域有着重要的应用前景。文章重点介绍InP基三端太赫兹固态电子器件和电路,以及太赫兹肖特基二极管器件和电路的技术发展过程与最新动态。并指出随着器件与电路的整体化与集成化发展趋势,太赫兹单片集成技术是其未来发展方向。