根植航空 彰显特色 努力建设应用型本科院校

论述大学办学特色和核心竞争力及其关系,说明办学特色是大学核心竞争力的重要体现,提出西安航空学院应以特色求生存、谋发展,构建鲜明的立足航空、服务航空、错位经营的办学特色,提升学校的核心竞争力。     

倾转旋翼机传动系统多状态响应特性研究

以倾转旋翼机发动机短舱内的传动系统为研究对象,根据设计的传动结构建立了它的动力学模型和动态响应方程,分析了倾转旋翼机旋翼在起降、巡航和过渡三种状态下的激励特性,并针对三种状态下旋翼激励的特点对传动系统动态响应进行了数值求解,最后研究了传动系统中齿轮啮合的动载系数的变化特点,并对系统的共振频率进行了探讨.研究工作对倾转旋翼机的传动系统的可靠性分析和动态优化设计等均有参考意义.      

指数型快速终端滑模变结构控制

针对一类高阶非线性系统,基于指数型快速终端滑模的良好特性,提出了一种新的滑模变结构控制,给出了控制律.系统状态变量能以较快的速度在有限时间内到达各级滑模面,并最终使系统状态收敛至平衡点.仿真结果表明:该滑模变结构控制方法有效可行.     

金属/水反应冲压发动机三维内流场数值模拟

采用颗粒轨道模型进行了燃气发生器式金属/水反应冲压发动机补燃室两相流的数值模拟,建立了水冲压发动机补燃室反应流模型,并对某发动机进行了模拟,研究了一次进水时不同喷注位置和喷孔个数对铝颗粒燃烧效率和发动机性能的影响规律,得出了反应物和产物组分、温度等发动机参数的变化趋势。结果表明,存在使发动机性能达到较优的进水位置,一次进水以2孔对称分布为宜。模拟结果可为发动机设计提供参考。     

基于最大值投影的运动点目标检测算法及其性能

针对低信噪比序列图像中微弱点状运动目标检测,提出了一种基于最大值投影构造组合帧图像与帧序号图像的检测算法,给出了算法的计算步骤。用建立的检测率和虚警率的分析模型,讨论了检测率、虚警率、信噪比、构造组合帧的图像帧数间的关系。仿真结果表明,通过合理选择组合帧数,该算法可有效检测出低信噪比条件下图像序列中的运动点目标和交叉运动的多点目标。     

热处理对高硅氧织物增强甲基硅树脂复合材料室温弯曲强度的影响

研究了不同热处理温度对高硅氧织物增强甲基硅树脂复合材料室温弯曲强度的影响。结果表明,复合材料室温弯曲强度随着热处理温度的升高而降低,且在200~300℃、400~500℃分别出现了2个降低最快的温度区间。采用扫描电镜对复合材料弯曲断口的表面形貌进行了观察,并通过热重分析仪分别对基体树脂及增强体的热稳定性进行了测量。综合分析结果表明,当热处理温度低于400℃时,复合材料弯曲强度的降低主要是由于基体树脂与增强体之间的界面失效所致;而当热处理温度高于400℃时,增强体与树脂之间发生反应,导致增强体失效,是致使复合材料室温弯曲性能进一步下降的主要原因。     

一种引入陀螺角速度信息的快速对准方法

基于捷联惯导系统（SINS）的误差模型,将静基座条件下速度误差和角速度误差这两种信息作为系统的观测量,提出了一种静基座条件下快速对准的新方法,详细推导了引入陀螺角速度误差作为观测量后的观测方程,并进行了可观测性的定性分析和可观测度的定量计算,与常规方法相比,该方法充分利用了外部可观测信息,提高了系统状态的可观测度,加快了初始对准的速度,使系统的快速反应能力和快速机动能力大幅度提高     

USB测控通信载波功率的一种分配策略

针对USB(统一S频段)通信中副载波信号的功率分配问题,提出了一种载波功率分配策略,实现了副载波功率的最优分配,达到了提高功率效率的目的。结合某卫星副载波的特点,以应答机对副载波的检测门限为依据,对测控上行各副载波功率进行分配。计算结果表明,该载波功率分配策略在残留载波和遥控指令副载波的调制损耗上要优于传统常用调制度分配方法。该功率分配策略能够为卫星通信提供更佳的功率分配,使上行各种副载波信号能够达到卫星接收解调的最佳门限。     

大规模无参考译文质量自动评测技术的研究

传统的译文质量自动评测方法主要针对机器自动翻译结果并通过与参考译文的对比实现译文质量的评估。提出一种大规模无参考译文质量自动评测方法,该方法可以在无参考译文的情况下,从正确性、流畅性和忠实度等方面对人工译文进行质量检查并标注可能的错误点,即利用语言规则实现正确性的判断,利用语言模型实现流畅性的判断,利用词对齐结果和词典信息实现忠实度的判断。基于该方法实现的译文质量辅助检查系统在国家知识产权局百万专利翻译项目中的应用效果表明,使用该系统的测试组较未使用该系统的测试组的平均译文质量和终稿完成效率均有明显提升。     

4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究

根据4H-SiC刃型位错的特点,在Castep软件中建立了6×6×1的刃型位错模型。基于第一性原理,利用Castep程序对刃型位错的相关性质进行了计算,并与完整晶格的模拟结果进行了对比。结果表明在引入刃型位错之后,4H-SiC材料的带隙变窄,在靠近导带底部态密度出现了一个新的峰值,这主要是由位错芯处的悬挂键在禁带中引入了一个缺陷能级所致。