城市创意农业发展品牌建设研究

城市创意农业是我国农业现代化的发展趋势,创意农业的品牌建设与管理能够有效的提升农产品附加值,优化产业结构,转变农业经济发展方式,对农业发展具有非常重要的意义。     

基于FPGA的FFT处理器设计

分析讨论了快速傅里叶变换(FFT)的算法结构,基于FFT运算特点,给出了一种采用现场可编程门阵列(FPGA)实现FFT运算的新方案。该方案采用基2算法及单元结构的设计思路,计算单元采用流水与并行结合的结构,加快了运算速度,内部接收单元采用乒乓RAM结构,扩大了数据吞吐量。MAX plusⅡ环境下的时序分析结果与基于Matlab的理论计算相一致,说明了方案设计的正确性。FPGA与FFT的结合将大幅度提高FFT的处理速度,扩大了FFT的应用领域。     

利用VI改造水声换能器测试系统

针对传统水声换能器测试中存在的问题．提出了一种利用虚拟仪器技术，通过计算机的控制实现换能器自动测试的方案。该方案在提高了换能器测试准确度的同时．也大大地提高了测试效率，将测试人员从繁杂的估算、记录中解脱出来。     

浅谈促进廊坊市中小企业成长性的对策

近十年来,廊坊市中小企业得到了迅速发展,这些企业机制灵活,市场适应性好,尤其是在技术创新的效率和活力方面有着独特的优势,成为促进廊坊市经济稳定快速增长的重要支撑。但是,在中小企业成长的过程中也存在许多问题。因此,本文在揭示廊坊市中小企业成长的现状以及存在的问题的基础上,提出了促进廊坊市中小企业成长的对策,以期促进廊坊市中小企业能够更好、更快地成长、壮大。     

优化廊坊市产业结构的对策与建议

现代化建设是廊坊市今后很长时间面临的根本任务,而经济现代化是现代化建设的最重要组成部分.廊坊市要实现经济的持续、快速、健康发展,就必须对产业结构进行调整和优化.本文在分析廊坊市产业结构存在问题的基础上,提出了其产业结构调整与优化的对策与建议,以期为实现廊坊市产业结构调整目标献计献策.     

机翼掠角对前掠翼布局气动性能影响的流动机理

采用N-S方程和SST模型数值模拟方法,对比了前掠翼和后掠翼飞机气动性能的差异,对不同前掠角前掠翼布局的飞机纵向气动性能进行了比较,分析了其流动特性,总结了前掠角对前掠翼布局气动性能的影响.研究结果表明,前掠翼与后掠翼气动性能差异的根源是展向速度的不同;小迎角(α<16°)时,前掠角较小的模型气动效率较高,升力系数和升阻比也较大;大迎角(α>16°)时,随着前掠角的增大,前缘涡和侧缘涡增强,对翼面流动产生有利控制,因而前掠角大的模型升力系数较大.该研究可为前掠翼布局的设计提供理论依据.     

加强高校教师人文素养的探究

振兴民族的希望在教育,振兴教育的希望在教师。高校教师人文素养的高低直接关系到高校素质教育的成功与否。因此解读高校教师人文素养的内涵,剖析高校教师人文素养的缺失及成因,着力提升高校教师自身的人文素养已成为深化教育改革、全面推进素质教育的当务之急。     

基于综合信道模型的星地信道性能研究

全球导航卫星系统由位于不同轨道上的多颗卫星组成。卫星轨道和地面用户位置的差异造成了星地链路传播机制和统计特性的差异。信道的统计特性对于卫星系统的性能有着重要的影响。文章建立了星地信道综合模型,考虑了不同大气条件和传播机制的影响。基于此模型,给出了调制方式为二元相移键控时的误比特率与信噪比的关系。研究方法和结果可为全球导航卫星系统的仿真和设计提供借鉴。     

AlN/GaN HEMT毫米波器件结构仿真研究

为实现更高工作频率的氮化镓（gallium nitride,GaN）基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）器件，采用薄势垒外延结构、缩小栅长对提升器件的截止频率十分重要。通过对不同氮化铝（aluminium nitride,AIN）势垒层厚度以及不同尺寸栅长的AlN/GaN HEMT进行仿真分析，系统研究不同结构对器件短沟道效应、直流及频率等特性的影响。首先固定栅长为100nm，研究了跨导与截止频率随AlN势垒层厚度的变化情况。跨导随势垒层厚度的增加先增大后减小。当势垒层厚度为4nm时，跨导达到最大值(592mS/mm)，截止频率也达到最大值。为尽可能提升器件的截止频率，同时避免器件出现短沟道效应，固定AlN势垒层厚度为4nm，研究器件截止频率与短沟道效应随器件栅长的变化情况。仿真表明器件截止频率随栅长的减小而增大，50nm栅长的器件截止频率最高，但栅长为50nm时器件短沟道效应严重，此时器件纵横比(Lg/Tbar)为12.5。因此需要提升器件的纵横比，当器件栅长达到100nm时(Lg/Tbar=25)，器件短沟道效应得到抑制，且具有较高的截止频率。仿真结果表明，AlN HEMT具有较高的截止频率，同时应采用较大的纵横比设计(纵横比为25左右)以抑制短沟道效应，为后续高频AlN/GaN HEMTs器件的制备提供了理论依据。