2A14 铝合金TIG-FSW交叉接头组织与力学性能

针对6 mm厚2A14铝合金采用先钨极氩弧焊（TIG）后搅拌摩擦焊（FSW）的工艺进行焊接得到TIG-FSW丁字交叉接头。通过对交叉接头进行组织分析,可以发现接头左侧为熔焊区域,上部可见明显气孔缺陷,右侧搅拌摩擦焊接区域呈“碗状”分布,焊缝成形良好;硬度测试结果表明：熔焊区显微硬度值明显低于搅拌摩擦焊接区域,且焊核区右侧硬度值呈现“U”型分布;对交叉接头沿熔焊方向进行拉伸,断裂位置位于M态母材处,断口呈现典型韧性断裂特征。     

高温下阻气膜对真空绝热板使用寿命的影响

为进一步提高真空绝热板保温隔热性能、延长使用寿命、完善制作工艺,在介绍真空绝热板基本构成的基础上,对其使用寿命进行了界定;从隔气结构出发提出影响真空绝热板使用寿命的理论依据,建立了相应的数学模型,并通过高温老化实验进行验证。实验结果与理论分析基本拟合,结果表明真空绝热板在高温环境(50/70℃)中应用会加快其阻气膜的老化速度。     

近地轨道航天器编队构形重构的一种四冲量控制方法

研究近地轨道航天器编队构形重构的一种多冲量控制技术。首先,基于Hill动力学方     

再入动力学的性质及其在轨迹优化中的应用

考虑具有终端约束和过程约束的探月返回飞行器再入轨迹设计问题,通过将性能指标泛函定义为再入终端位置误差的平方和,再入轨迹设计问题转化为具有过程约束和状态方程约束的优化问题.首先仅考虑状态方程约束,利用最大值原理,得到该优化问题的必要条件,选取间接法中的共轭梯度算法求解最优控制量.进而针对轨迹约束问题,研究了再入过载和轨道飞行段飞行距离与航迹角以及倾侧角的关系,在此基础上,提出了采用调整初始倾侧角序列的方法实现过程约束.该算法克服了罚函数方法中需要调节参数较多的问题,并且物理意义明确,实现简单.最后,给出了Apollo再入轨迹优化的数值仿真算例,验证了所给出算法的有效性.     

捷联惯性测量组合台体组件设计与分析

台体组件是惯性测量组合的关键部件。根据某型号捷联惯性测量组合技术要求,采用 三维建模和有限元分析方法,对某型号惯性组合的台体结构进行了充分论证和分析,确定了 最优台体结构。计算结果表明,该台体具有良好的刚度和动态特性,能为惯性仪表提供良好 的工作环境。最后,对台体上安装的减振器的参数、结构形式和安装位置进行了详细分析。 研究工作对今后型号研制设计具有一定的指导意义。
     

GNSS导航信号体制兼容性分析

导航信号体制设计是卫星导航系统设计的重要方面。文中结合Compass、GPS和Galileo系统信号体制设计,分析了Compass系统拟采用的调制方式性能及与其他卫星导航系统的兼容性能,仿真了最坏接收情况下的Galileo系统的授权信号增强对Compass系统部分信号的性能影响。     

新准则实施后上市公司R&D信息披露的现状与思考——基于甘肃省上市公司的调查

技术进步和创新在经济增长中的地位和作用越来越重要,企业要保持核心竞争力、在激烈竞争中生存和发展都要积极开展R&D活动.鉴于R&D信息的充分披露对决策者日益重要,企业会计准则对企业R&D的信息披露提出了新的要求.文章对新无形资产准则实施以后上市公司R&D信息的披露情况进行了解,以分析新无形资产准则的执行情况,并重点了解甘肃省上市公司R&D信息的披露情况.结果发现,新准则实施后上市公司的R&D信息披露状况有了明显改进,甘肃省上市公司的R&D信息披露状况较好,但仍然存在着上市公司主动披露积极性不高、披露方式不符合规范等问题.我们在问题成因分析的基础上,提出改进R&D信息披露的相关建议.     

基于双速轴角转换器的测角系统

在介绍了基于双速轴角转换器测角系统的工作原理的基础上,为了准确地实现三轴温控转台横滚轴和俯仰轴的角位置测量,设计了由双通道旋转变压器和双速转换器组成的测角系统.通过硬件的调整和软件补偿,实现了高低温环境下5S的角位置精度.     

氧-乙炔烧蚀试验中热流密度的计算

通过氧-乙炔烧蚀试验中改变氧气与乙炔气流量比值的一系列试验,研究了热流密度随其变化的规律,并利用一元线性回归方法,分区间拟合得到了热流密度与两种气体流量比值的数学关系式,经检验该关系式适用性较好,为防热复合材料在氧-乙炔烧蚀试验中热流密度的变化提供了可靠的计算依据.     

双Buck半桥逆变器输入电容电压脉动的分析

双Buck逆变器(DBI)是航空静止变流器(ASIs)的常用拓扑,从双Buck半桥逆变器(DBHBIs)两直流电感中分离出交流电感使得体积、重量进一步减小。在正常工作,尤其是负载短路情况下,双Buck半桥逆变器输入侧电容上的电压产生与输出同频的脉动。以交流电感分立的双Buck半桥逆变器为例,分析了在额定负载、短路、级联工作等情况下输入电容电压脉动的产生原因,给出了该脉动的定量计算方法,并由此得出了输入侧电容容值的选择依据。最后通过仿真和实验,验证了文中分析的正确性。该分析方法同样适用于其他半桥型逆变器拓扑。