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211.
用聚苯乙烯(PS)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)和酚醛树脂(PF)为成膜物质,以纳米碳酸钙为填料、聚异丁烯为改性剂,获得了可剥性良好、可回收的室温固化保护涂料.该涂料可耐酸碱等腐蚀性介质,可用于化学加工过程的保护,特别适用于精密机械加工产品搬运过程的保护. 相似文献
212.
针对捷联惯性导航系统(SINS)大失准角初始对准的滤波过程,提出简化七阶正交容积卡尔曼滤波算法(7th-SCQKF)。根据简化容积卡尔曼滤波(CKF)理论,推导出改进的简化七阶CKF算法(7th-MSSRCKF),改进了原简化七阶CKF(7th-SSRCKF)的性能;同时,在7th-SSRCKF和7th-MSSRCKF基础上,引入正交半径准则,提出简化七阶CQKF(7th-SCQKF)算法,提高了滤波精度;并将简化七阶CQKF(7th-SCQKF)算法应用到SINS的大失准角初始对准仿真中,结果表明,7th-SCQKF比7th-MSSRCKF的滤波精度高,验证了新算法的正确性和有效性。 相似文献
213.
研究了在韦布尔背景下一种基于ODV的恒虚警检测器。通过连续地使用基于ODV的统计量和相应的假设检验,这种检测器对有序样本进行删除来估计背景的噪声功率水平。在均匀背景及加入干扰两种情况下,通过仿真验证ODV方法的筛选性能。结果表明,ODV方法在韦布尔背景下的筛选性能是理想的,而且此方法不需要知道任何关于背景的先验信息,且具有自适应筛选的优点。 相似文献
214.
采用推力式接触方式研究了9Cr13Ni6Co5Be钢的接触疲劳性能,获得了不同破坏概率下接触应力与疲劳寿命的关系式,得到了P-S-N曲线。当破坏概率P=0.01,0.05,0.10和0.50时,不同接触应力下的疲劳寿命表达式分别为N=3.0930×1042×S-9.9602、N=2.9196×1039×S-9.0090、N=1.6505×1038×S-8.6133和N=1.0679×1035×S-7.5988,指定疲劳寿命为5×107的疲劳极限分别为S=3112 MPa,3358 MPa,3493 MPa和3950 MPa。 相似文献
215.
216.
两相控温型储液器对机械泵驱动两相流体回路的稳定运行起到关键作用,而储液器内部气液分布状态是其控温性能的决定性因素之一。在轨微重力条件下,储液器内两相流动特性与地面状态差别巨大,这将给储液器的设计带来较大难度。针对两相控温型储液器在轨微重力下的两相工质分布特性,通过计算流体力学(CFD)方法对其内两相流动行为进行数值模拟。通过使用连续表面张力模型计算表面张力,使用多相流计算的流体体积分数方法对两相控温型储液器内气液界面形态的发展进行了追踪预测,并与理论解进行对比,结果吻合一致。通过对两相控温型储液器在不同Bond数、接触角、工质充灌量等参数下的仿真分析,得到了不同条件下储液器内气液运动及分布情况,结果表明:两相控温型储液器内气液界面状态与储液器尺寸、壁面浸润性、工质充灌量相关。研究结果可以为微重力下两相控温型储液器内气液界面的控制提供理论依据,并能指导储液器研制及在轨应用。 相似文献
217.
218.
为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间,实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验证电路进行单粒子翻转性能对比,电路的抗单粒子翻转阈值由采用标准六管单元的抗单粒子翻转阈值大于25 MeV·cm 2·mg -1 提升至大于45 MeV·cm 2·mg -1 ,加固单元面积较标准六管单元增大约21.3%。30万门级抗辐照FPGA电路通过脉冲屏蔽单元结合抗辐照SOI工艺实现,其抗辐照指标分别为:抗单粒子翻转阈值大于37.3 MeV·cm 2·mg -1 ,抗单粒子锁定阈值大于99.8 MeV·cm 2·mg -1 ,抗电离总剂量能力大于200 krad(Si)。 相似文献
219.
随着现代战争中打击样式和精度的不断提升,单纯依靠提升工程结构强度已经不能完全满足军事工程在战场中的生存需要.飞机洞库作为重要的军事设施,其战场生存能力好坏直接关系着战时我军战斗力能否正常发挥.因此对该目标进行有效的伪装便成为不可忽视的手段之一.然而我军现有的飞机洞库存在许多问题,无法满足现代战争反侦察的需要.本文正是针对该设施的主要暴露征候的特点,结合网壳结构的结构优势,将其应用于洞库伪装中来,并对中小型飞机洞库口部实施工程伪装的结构方案进行了可行性研究.选用异型网壳作为承重结构,应用3DSMAX和AUTOCAD程序建模,并用有限元分析软件ANSYS作了静力计算及稳定性分析,结果表明该结构方案可行. 相似文献
220.