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141.
对微分方程正解的存在性的探讨已经很丰富,但当微分方程是超线性时,证明正解唯一的讨论并不多,为此讨论了一类自治渐近(超)线性微分方程的正解存在唯一性问题.给出了一个正解存在唯一的充分条件。 相似文献
142.
143.
线位移差分传感器检测与自监控电路的设计 总被引:2,自引:0,他引:2
针对三余度舵机系统对LVDT调理电路具有自监控功能的要求,提出了一种LVDT自监控信号的检测方法。在此基础上,运用时分复用技术,设计了采用一片LVDT信号调节芯片同时检测输出LVDT位移量信号和LVDT故障监控信号的调理电路。并对电路的线性度和故障检测能力进行了实验和分析。 相似文献
144.
本文阐述了定量阀的设计原理及其流量特性,并对影响流量稳定性的因素进行分析,进而提出了改善稳定性的措施。 相似文献
145.
蒋呐%李劲风%郑子樵%向曙光 《宇航材料工艺》2007,37(2):66-69
采用Kahn撕裂法测试了高强度Al-Cu-Li合金2090在不同时效制度下的断裂韧性及其变化规律,并借助TEM和SEM对相应微观组织形貌及断口形貌进行了观察。结果表明:双级时效和应变时效均可促进T_1相析出,改善合金的断裂韧性,但这种促进作用在过时效状态下减弱;晶界PFZ的宽化和粗大晶界平衡相的析出降低合金的断裂韧性,并对时效工艺、微观组织及断裂韧性之间的关系进行了讨论。 相似文献
146.
文章利用1989-2004年间"Los Alamos"7 颗地球同步轨道卫星的数据对不同磁暴条件下处于地球同步轨道高度等离子体片区域的卫星表面充电电位和热电子(0.03~45 keV)温度随地方时的分布及随磁暴发生时间的变化规律进行统计分析.根据对磁层顶电流修正后的Dst指数(Dst*)将磁暴分成弱磁暴、强磁暴以及超大磁暴.在随地方时的分布上,弱磁暴时卫星最可能在午夜后侧负向强充电(>800 V);随着磁暴强度的增加,在超大磁暴情况下该区域会沿东西方向扩展到夜晚21时到凌晨4时的区域.在随磁暴发生时间的分布上,弱磁暴下卫星表面充电到高负电位主要发生在Dst*最低点前3 h和后2 h的时刻,强磁暴下主要发生在Dst*最低点时刻,而超大磁暴下主要发生在恢复相,持续时间达十几个小时.表面电位的分布规律和热电子温度的分布规律表现一致:卫星表面负电位超过100 V的区域主要集中在热电子温度大于2 keV的区域,而表面负电位最可能超过800 V的区域主要集中在热电子温度大于2.5 keV的区域.通过统计分析看出,对于那些极可能发生高负电位充电(>8 kV)情况下的卫星表面电位分布与磁暴的强弱并无明显的相关性,但发现在弱磁暴情况下明显集中在正午前侧区域. 相似文献
147.
纳米颗粒场致发射推力器(NFET)是一种用于微小卫星的固体工质静电推力器,为促进NFET的工程研制,提出一种新的自中和技术——反向充电中和策略。为研究这种自中和技术的设计方法,建立相应的数值模型以模拟该中和技术下羽流输运过程,并且,在真空舱中开展NFET的羽流测量试验来验证中和模型的正确性。以比色温度计和"打靶法"装置来分别测量羽流温度分布和推力,通过试验与仿真结果的对比,羽流温度变化的试验结果与仿真结果在定性规律上一致,推力的计算误差在9%~10%。在验证模型正确性的基础上,利用该数值模型对关键设计参数进行数值分析。结果表明:引出极与发射极的内径比变化会导致外加电场对剩余电荷颗粒作负功,引起推力下降,该物理参数在0.94附近时,推力达到极大值;而随着颗粒直径的增加,羽流中和区域整体向下游推移,推力升高。本文结论可为NFET的反向充电中和策略提供设计参考。 相似文献
148.
复合材料网格筒结构由于极优的高比强度及比刚度特性,在运载火箭、飞机、卫星等航空航天结构中得到广泛应用。采用ABAQUS对复合材料网格筒结构进行精细化建模,详细分析了复合材料网格筒中的应力分布、分层破坏形式,研究了网格分层破坏出现的位置及对其整体刚度的影响。对网格筒桁条交界处的应力进行详细分析,研究了工艺缺陷对其破坏模式的影响。根据整体分析结果及局部分析结果,设计了承载能力为3500kN,质量为30kg的复合材料网格筒结构。研究成果将为复合材料结构网格筒的分析及设计提供参考。 相似文献
149.
150.