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991.
992.
介绍用脉冲电子束烧蚀法在不同温度的单晶硅 (1 1 0 )衬底上沉积铌酸锂铁电薄膜 ,以及用脉冲电子束进行薄膜晶化处理的实验结果 ;使用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)、光电子能谱 (XPS)等方法 ,对薄膜的成份、晶体结构及表面形貌进行分析测试。采用表面轮廓仪测定 LN薄膜的膜厚分布均匀性等。文中探讨了靶材料烧蚀和沉积过程中出现的诸多现象。研究表明 ,这种薄膜制备方法有许多独特之处 ,随着该项技术的不断改进和发展 ,将为光电集成电路提供一种新工艺和新技术 相似文献
993.
994.
995.
从金刚石薄膜半导体器件的实用要求出发,比较了金刚石薄膜的各种图形化技术,研究了它们各自的特点和适用性,如播种法选择性生长、掩膜法选择性生长、离子束刻蚀和反应离子刻蚀技术等. 相似文献
996.
997.
基于反铁电陶瓷 (PSZT)化学还原制备的 RAINBOW驱动器是一种具有内部应力偏移 ,兼有还原层和氧化层 ,驱动位移较大的新型驱动器。实验发现 :反铁电陶瓷较易还原 ,理想还原条件为 :870℃保温 2~ 3h;与普通反铁电驱动器相比 ,RAINBOW驱动器能在强度较低的电场作用下发生铁电相变 ,并得到很大的轴向位移 (约 190μm) ;加载方式对 RAINBOW的驱动性能具有决定性的影响 相似文献
998.
999.
1000.