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81.
为提高来流马赫数范围为2~4的“X”型进气系统大攻角下的稳定裕度,设计并研究了一种倒置二元进气道设计方案,并将其与正置方案进行了比较。结果表明:来流马赫数为2.3~3.5,攻角范围为0°~6°时,倒置布局设计方案总体性能较优,未出现明显激波/附面层干扰问题,能够满足设计要求。在采用相同的进气道设计方案时,倒置布局其迎风与背风进气道结尾激波位置及总体性能参数差异更小;0°攻角时倒置布局临界总压恢复系数与正置布局相当,4°攻角时倒置布局比正置布局高2%~3%,8°攻角时普遍高19%以上,且来流马赫数越高提升幅度越明显,8°攻角下倒置布局总流量系数较正置布局高6%左右。研究还发现,当来流马赫数较低时倒置布局总阻力低于正置布局, 4°攻角时低1.7%;而来流马赫数较高时倒置布局总阻力高于正置布局,4°攻角时高2.0%。 相似文献
82.
一种基于正弦图的工业CT系统转台旋转中心自动确定方法 总被引:2,自引:0,他引:2
构建一个工业CT成像系统,转台旋转中心的确定是非常关键的步骤,其定位误差会引起CT图像上的伪影。本文在详细分析了现存旋转中心确定方法不足的基础上,提出了一种新方法,该方法利用隐含在正弦图中的对称投影信息,并根据经过旋转中心的射线束在两个对称投影视角下透过的物体路径相同这一规律来定位旋转中心。相对现有算法,该方法适用于射线源与旋转中心的连线不严格垂直于探测器的情形,无需使用模体,亦无需知晓任何几何参数,实时且基本不受随机噪声影响。实验数据验证了该方法的有效性。 相似文献
83.
拆卸序列规划(Disassembly Sequence Planning,DSP)是民用飞机维修规划的一个重要内容,也是在设计阶段对民用飞机产品维修性的一个评估.为了能以较高的效率求解出产品拆卸序列的方案,本文首先根据拆卸特点构建了产品拆卸混合图模型.该模型描述了零部件之间的连接关系和优先关系,然后通过分析产生产品的拆卸序列.在此基础上建立目标函数并利用遗传算法的计算速度和灵活性的特点对拆卸序列进行优化.最后,通过一个实例,验证了本文方法的可行性及其计算效率. 相似文献
84.
郝雷%刁训刚%顾宝霞%王天民 《宇航材料工艺》2008,38(2):26-29
采用多弧离子镀制备了多彩Al/TiNO(掺氮TiO2)薄膜,利用SEM观察了薄膜的表面、断面形貌,并测量了其膜厚.采用XRD研究了薄膜的相结构.利用紫外一可见分光光度计研究了TiNO膜的可见光谱特性,用红外比辐射率测量仪测量了样品的红外发射率.结果表明:在不改变Al箔在8~14 um波段低红外发射率的情况下,实现了其物理着色.所得薄膜为锐钛矿型TiO2结构,薄膜表面平整、致密,结合力较好.TiNO薄膜呈明显柱状生长,薄膜试样表面未出现明显缺陷,薄膜表面致密,柱状颗粒生长完好.TiNO薄膜的沉积速率达120 nm/min. 相似文献
85.
刘建军%李铁虎%郝志彪%李飞%嵇阿琳 《宇航材料工艺》2008,38(3):8-10
在介绍刺针功能的基础上,论述了针刺技术用于C/C复合材料增强织物成型的原材料特点、工艺与应用等.分析表明,刺针的结构对于纤维引入有重要影响,合理选用刺针是针刺C/C复合材料增强织物复合成型的基础;针刺增强织物中材料成分、刺针和工艺的多样性,使得针刺增强织物具有相当的可设计性. 相似文献
86.
顾宝霞%刁训刚%郝雷 《宇航材料工艺》2008,38(3):58-61
采用化学液相沉淀法获得了具有核层结构的 Al/ SiO2/Fe2O3颜料,在基本不改变Al粉在8~14靘波段红外发射率的情况下,实现了片状Al粉的物理着色.分析了正硅酸乙酯(TEOS)水解一缩聚反应及氯化铁水解反应机理,并以此制备了Al/SiO2/Fe2O3三层结构的复合粒子,研究了包覆的工艺条件.通过扫描电镜、能谱、X射线衍射、紫外-可见光吸收谱等方法对包膜后的片状Al粉粒子进行了分析与表征.实验结果表明,通过液相沉积法在Al粉表面成功包覆了SiO2/Fe2O3薄膜,得到了低红外发射率的迷彩Al粉颜料. 相似文献
87.
飞机低空突防轨迹优化研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以歼击轰炸机为背景,根据实战要求假设作战环境和任务目标,对其在低空突防阶段的飞行轨迹、航时、油耗以及威胁概率等相关参数进行了研究分析,以期充分发挥飞机的潜在能力,提高作战效能,为实战使用和改进设计提供参考。对优化轨迹的仿真研究表明,所得出的战术飞行轨迹优化设计结果是合理的,同时也证实了战术飞行轨迹优化设计的有效性和可行性。 相似文献
88.
89.
通过射频磁控溅射法在Si(100)基片上沉积了La0.9 Ba0.1MnO3-δ(IJBMO)薄膜,并得到在不同温度下退火后的薄膜.采用X射线衍射(XRD),扫描隧道显微镜(STM),X射线光电子能谱(XPS),四探针法等手段对退火后薄膜的结构、微结构、表面化学态、磁电阻等性质进行了系统研究,结果表明,薄膜在800~850℃温度范围内退火,形成单相结构且晶粒与基片之间存在着相对固定的外延关系.退火温度不同会引起薄膜中含氧量的不同.在温度为300K,磁场为1.5T的条件下,退火温度为850℃的薄膜样品磁电阻可高达30%. 相似文献
90.