全文获取类型
收费全文 | 3373篇 |
免费 | 1092篇 |
国内免费 | 568篇 |
专业分类
航空 | 2902篇 |
航天技术 | 852篇 |
综合类 | 321篇 |
航天 | 958篇 |
出版年
2024年 | 27篇 |
2023年 | 76篇 |
2022年 | 232篇 |
2021年 | 278篇 |
2020年 | 279篇 |
2019年 | 234篇 |
2018年 | 211篇 |
2017年 | 256篇 |
2016年 | 222篇 |
2015年 | 269篇 |
2014年 | 260篇 |
2013年 | 232篇 |
2012年 | 281篇 |
2011年 | 277篇 |
2010年 | 266篇 |
2009年 | 262篇 |
2008年 | 231篇 |
2007年 | 243篇 |
2006年 | 199篇 |
2005年 | 166篇 |
2004年 | 119篇 |
2003年 | 108篇 |
2002年 | 92篇 |
2001年 | 63篇 |
2000年 | 42篇 |
1999年 | 37篇 |
1998年 | 18篇 |
1997年 | 15篇 |
1996年 | 7篇 |
1995年 | 4篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 4篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 1篇 |
1989年 | 5篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1981年 | 2篇 |
1966年 | 1篇 |
排序方式: 共有5033条查询结果,搜索用时 0 毫秒
41.
在登陆作战敌滩头目标数量众多时,对目标排序再进行火力打击是登陆作战中必须解决的问题。运用穆迪图表法改进的层次分析法较好的解决了决策过程中的目标排序问题。 相似文献
42.
43.
复合材料层板固化全过程残余应变/应力的数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
采用商业软件对带有铝板的复合材料层板固化全过程残余应变/应力进行数值模拟计算。在固化过程的模拟中,应用有限元法计算复合材料层板热-化学模型,有限差分法计算固化动力学模型,通过设置较小的时间步实现求解两个模型强耦合的关系。在残余应力数值模拟中,化学收缩引起的应变在每一计算步以初始应变施加在复合材料结构上。基于以上技术,对带有铝合金的复合材料层板固化全过程残余应变/应力演化进行数值模拟,并分析纤维方向和垂直纤维方向复合材料的残余应变/应力演化历程。通过与试验中层板曲率的比较,验证文中模型计算的准确性。 相似文献
44.
红外反射材料In(Sn)2O3(ITO)的微波吸收性能 总被引:1,自引:0,他引:1
测试7.7vol%和15.8vol%In(Sn)2O3(ITO)/石蜡在2~18GHz的介电谱。测定10vol%和20vol%In(Sn)2O3(ITO)/环氧树脂在2~8GHz的反射率。结果显示,ITO材料具有很好的介电损耗。当涂层厚度d=3mm时,两种涂层分别在4.51GHz和6.27GHz有-10.5dB和-14dB的反射率。理论值显示,15.8vol%ITO/石蜡复合材料在4.56~11GHz的反射率低于-10dB,有好的吸波性能。同时分析ITO的介电损耗机理。 相似文献
45.
提出在2D C/SiC复合材料基体中掺杂难熔金属化合物ZrB2,TaC,ZrC,制备了2D C/SiC-ZrB2,2D C/SiC-ZrC和2D C/SiC-TaC新型复合材料,考察了难熔金属化合物的引入对材料力学性能、抗氧化性能和微观结构的影响.结果表明,ZrB2和TaC的引入,能明显提高2DC/SiC复合材料的抗氧化性能;ZrC的引入对2D C/SiC复合材料的抗氧化性能极其不利.这归结于高温下ZrB2和TaC有助于在复合材料表层氧化形成ZrO2,B2O3和Ta2O5保护膜,阻止了材料内部的进一步氧化,从而提高了复合材料的抗氧化性能. 相似文献
46.
47.
48.
为考查应用新型磁强计——金刚石氮空穴(nitrogen-vacancy, NV)色心系综磁强计进行电路诊断的可行性和可靠性,从金刚石NV色心系综磁强计的基本原理出发,搭建了一套光纤耦合金刚石NV色心系综磁强计测试实验系统,将探头紧贴于电路导线外壳,通过测量磁强计处磁场信号的变化实现对电路的诊断。实验结果表明,金刚石NV色心系综磁强计对电路异常引起的磁场变化响应明显,对电流的分辨率优于50 mA;当探头和导线距离发生变化时,观测信号曲线呈现明显的台阶,空间分辨率优于0.4 mm。本系统采用更加简洁的方案实现了10 μT量级磁场分辨率的性能指标,能够诊断出电路的电流变化并进行精确定位,可广泛应用电路无损检测及可靠性评估。 相似文献
49.
50.
为验证中国原子能科学研究院(CIAE)自研的100 MeV回旋加速器中的高能中子束是否符合设计要求,利用自研的Bulk MicroMegas微结构气体探测器对该加速器中子场的空间分布进行了首次试验测量。首先通过模拟计算得到不同厚度聚乙烯(PE)转化膜对不同能量高能中子的转化效率、反冲质子的动能谱与角通量谱、反冲质子在 Bulk MicroMegas气体探测器内的沉积能量谱以及中子与探测器结构物质反应产物占比等;然后利用Bulk MicroMegas探测器测量该回旋加速器产生的高能中子场在不同能量和距离处28个点位的中子通量分布,并根据通量分布计算中子束斑半径。结果表明,Bulk MicroMegas微结构气体探测器可以实现对高能中子场束斑边界成像,中子通量随束斑半径的变化关系符合常见束斑边界拟合函数;束斑半径测量结果与模拟计算结果接近。 相似文献