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101.
卫星遥感与海洋地质调查   总被引:1,自引:0,他引:1  
中国迫切需要应用航天工业的新技术、新方法 ,特别是应用卫星遥感技术进行海洋国土资源调查 ,研究和发射可以不断获取海洋地质调查新资料的遥感卫星已成为当务之急。  相似文献   
102.
王革  薛若军  顾璇 《宇航学报》2006,27(Z1):209-212
数值模拟了激波和Rankine涡相互作用,重点研究了波涡相互作用引起的激波结构的变化过程.应用非结构化适应网格下的二阶精度Godunov型的PLM格式来求解Euler方程,对一平面激波与不同涡强Rankine涡相互作用下瞬态激波的运动、发展进行了研究.漩涡与激波间相对强度的大小对激波结构的影响明显,弱相互作用诱导激波变形,强相互作用诱导激波变形并产生分叉.计算结果表明,应用非结构化适应网格的PLM格式所得到的数值解较好地反映了瞬态激波结构的有关特征和信息.  相似文献   
103.
提出一种基于FPGA的600Mb/s高速数传接收机全数字实现方案,对采用Costas环的载波恢复算法和采用并行数据转换跟踪环的码同步算法作了介绍。测试结果表明,该接收机在码速率小于350Mb/s时,解调损失小于1.5dB;在码速率为600Mb/s时,解调损失小于3dB。  相似文献   
104.
膨胀偏流喷管高度补偿机制数值研究   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
为了研究膨胀偏流喷管高度补偿性能,采用CFD方法,对环喉式(ATEDN)和分散式(DTEDN)膨胀偏流喷管在不同高度的工作状态进行了研究,分析了高度变化对膨胀偏流喷管性能的影响和膨胀偏流喷管的高度补偿机制。结果表明:在工作高度0km~15km内,膨胀偏流喷管推力系数优于传统喷管,具有自动补偿能力,其工作模态是从低空"开放"模态转换到高空"闭合"模态。环喉式膨胀偏流喷管性能优于分散式膨胀偏流喷管,其中心体尾锥角、收敛角和初始角存在最优角度,分别为70°,5°和65°,其中收敛角对性能影响较小。对于分散式膨胀偏流喷管,喉孔数目为6喉孔的喷管高度积分总冲比4喉孔的喷管高1.94%;采用带状喉孔的喷管高度积分总冲比圆孔喉口的喷管高3.47%。  相似文献   
105.
卫星在轨运行期间,遥测数据表现形式通常为多维时间序列。高斯过程回归(GPR)模型可以为重要的遥测参数提供动态门限,及时发现隐藏在工程阈值内的故障征兆,但是高维卫星数据使得GPR模型具有局限性。因此,为获取与多个遥测参数相关的动态门限,在GPR模型的基础上,融合距离相关系数对预测变量进行选择,减少信息冗余和计算量,提高模型的可解释性,并估计模型的泛化误差以设置更合理的预测区间,提高模型的泛化能力,检测数据流的持续异常。对实际在轨卫星数据进行仿真实验,验证了距离相关系数融合GPR模型的卫星异常检测方法可以在卫星故障早期检测到数据异常,而且提高了模型的预测性能,降低了虚警率。   相似文献   
106.
宁晃  高歌 《航空学报》1984,5(3):333-337
 现代喷气发动机结构已相当复杂,但其性能仍有许多不能令人满意之处,如沿流路压力损失大、部件效率低、压气机容易失速喘振、燃烧室容易过热震荡、再点火高度低、稳定工作范围窄等。本文讨论紊流旋涡现象,给出新推导的紊流动量方程,仿自然生态,提出减少旋涡损失,利用旋涡功能的设想,引出一些值得深入研究的问题。  相似文献   
107.
压气机叶栅紊流减阻试验研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文叙述压气机叶片表面刻花纹对叶栅性能的影响。实验表明,适当的花纹型式可使叶栅的临界马赫数,气流转折角以及最大静压比等主要性能指标均有明显提高。   相似文献   
108.
蒋智  高歌  宁晃 《航空动力学报》1991,6(1):86-88,96
在表面减阻试验测量中,测力方式有多种多样[1],但是,由于它们测力的基本原理是测量在力作用下使弹性元件产生的位移,这将影响测量摩擦阻力的精度。   相似文献   
109.
文章针对高分辨率遥感卫星的微振动分析,给出了一种结构-控制-光学一体化建模方法:将微振动干扰源模型、整星结构模型、控制系统模型和光学系统模型按照实际的物理联系连接为一个整体,进而预测空间相机在轨微振动的像移响应和干扰源到像移的传递特性。以某遥感卫星为例,将其微振动下的像移响应和传递特性与工程中的其他处理方法的计算结果进行了对比分析。研究结果表明:一体化建模分析方法从原理上更接近卫星在轨实际工作情况,能够给出较为合理的微振动分析结果;其他工程处理方法的分析结果均与一体化建模分析方法有差异,使用时应根据设计和分析的具体目的与条件恰当选择。  相似文献   
110.
李戈  陆宏波  李欣益  张玮 《上海航天》2021,38(1):136-141
四元InGaAsP混晶是一种理想的可用于窄禁带太阳电池制备的半导体材料.本文研究了InP衬底上InGaAsP材料在不同外延生长速度下的掺杂特性和晶体质量.通过电化学电容-电压测试法,实验发现高生长速率下InGaAsP材料的Zn掺杂的掺杂浓度与Ⅲ族源流量无关,而Si掺杂的掺杂浓度随Ⅲ族源流量增加而减少.通过瞬态荧光光谱测...  相似文献   
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