Satellite Constellation Design with Adaptively Continuous Ant System Algorithm

The ant system algorithm （ASA） has proved to be a novel meta-heuristic algorithm to solve many multivariable problems. In this paper, the earth coverage of satellite constellation is analyzed and a n ＋ 1^ -fold coverage rate is put forward to evaluate the coverage performance of a satellite constellation. An optimization model of constellation parameters is established on the basis of the coverage performance. As a newly developed method, ASA can be applied to optimize the constellation parameters. In order to improve the ASA, a rule for adaptive number of ants is proposed, by which the search range is obviously enlarged and the convergence speed increased. Simulation results have shown that the ASA is more quick and efficient than other methodV211.71s.     

电火花多次切割提高硬质合金表面质量的研究

阐述了硬质合金材料的电火花线切割加工特点.通过采用限位棒、恒张力装置提高电极丝的空间稳定性,并在前两次切割采用复合工作液最后精修采用煤油作为工作介质对硬质合金YG8进行了多次切割.试验结果表明,多次切割的加工表面粗糙度达到1μm以下;与采用复合工作液精修后的加工表面相比,煤油精修后的加工表面微裂纹和微孔洞均明显减少,获得较好的加工表面质量.     

专访丹麦王国驻上海总领事馆总领事何丽兰女士

问:2010上海世博会是全球关注的一大盛事。阁下对明年的上海世博会有什么感言?答:我作为筹办方和世博会的组织成员,正好及时抵达上海,我很激动。我对我们的展馆和在馆内及周围举行活动制定的所有计划的进展有点担心。我们非常幸运地受到许多媒体的注意,支持设计师们将原型"小美人鱼"带到我们展馆的想法。这有助于保持我们团队高涨的情绪,并在中国和丹麦都得到了支持。问:2010上海世博会是全球关注的一大盛事,阁下对明年的上海世博会有什么感言?     

SAP——追求完美工厂解决方案

完美工厂是一个理想状态的终极目标,可以帮助企业直接将生产战略和企业目标保持一致。对完美工厂的追求使得工厂员工、运营团队和IT人员可以共同设计工厂战略并确定其优先顺序,以及实施影响产品计划、智能、整合和执行等核心元素的工厂战略。     

直升机旋翼与机体耦合的空中与地面共振稳定性分析

直升机旋翼气动机械稳定性的一个重要方面是空中与地面稳定性问题。本文从旋翼桨叶的结构型式、气动模型和分析方法几个方面对直升机空中与地面稳定性研究进行了回顾与展望。在简单分析方法的基础上 ,也对更精确的分析方法进行探讨     

公路运输路线规划决策支持系统的研究与设计

首先对公路运输最短路线问题进行了分析,建立其数学模型,提出采用路段分组策略、局部Dijkstra算法搜索和全局遗传算法优化的综合求解方法。最后,介绍了系统的总体结构和实现方法。     

AR模型在时间序列误差分析中的应用

为检测某火控系统的性能,采用统计量分析和AR模型预测相结合来对火控系统实时解算的数据进行分析的一种方法。根据分析结果可以看出,距离误差和航向误差是两种不同类型的误差,距离误差主要是由随机的量测误差构成的,而航向误差主要是系统误差。     

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。