CVI反应器内部气体流场的有限元模拟及优化设计

采用有限元计算方法,研究了CVI反应器内部的流场特征.对于形状简单的构件,构件的放置方式和阵列对气体的流动状态具有显著的影响.与横向阵列相比,纵向阵列能充分保证构件沿其长度方向流场均匀性,减小回流现象;在反应器中,随着纵向阵列试样数量的增加和分布均匀性的提高,气体流动速度增大,流场均匀性提高.减少反应器内部的自由空间,是提高流场品质和化学气相沉积效果的关键.基于减少反应器内部的自由空间的原则,针对杯形复杂构件,提出了通过加入与其几何形状相适应的导流板工装,有效避免了在构件内部和外部形成回流区,实现流场的优化设计.     

基于SFEM的SRM纤维缠绕结构的可靠性分析

采用纽曼级数展开的蒙特卡罗随机有限元方法(SFEM),分析了固体火箭发动机(SRM)复合材料缠绕的燃烧室在内压正态变化下的应力响应,然后利用应力强度干涉原理分析计算其可靠性.     

多载波调制结合Turbo编码技术的性能分析

多载波调制是一种有效克服衰落信道频率选择性的技术,从而显著减少码间干扰(ISI)。Turbo码以其接近香农极限的工作性能受到人们的注目,它能在极低信噪比条件下提供可靠通信。把多载波调制与Turbo 编码结合起来能够对整个系统提供显著的性能增益。本文试图对采用这两种技术的通信系统给出性能上的评估。     

跨音速压气机中的涡结构与失速机理分析

将一种新的涡识别方法应用于压气机流场的分析.该方法采用应变率张量和旋转张量的第四不变量,具有在识别流场中涡的存在的同时,分析该处涡处于拉伸(生成)或松弛(溃灭)状态的能力.通过将该方法与传统的动压头和流线、速度矢量等分析方法的结合,本文对所研究的跨音速压气机的失速过程进行了分析和讨论.     

粗糙带起始位置对旋成体绕流过临界雷诺数模拟效果的影响

使用低速闭口风洞,对头部带有确定人工扰动的尖拱型旋成体,在模型两侧θ=±52.5°粘贴条状粗糙带的条件下,粗糙带的轴向起始位置在x/d=0.75之前变化,固定迎角为40°,在雷诺数ReD=0.67～9.4×105变化范围内,通过表面测压研究粗糙带起始位置对模拟过临界Re数下旋成体绕流的影响.结果表明大迎角下,人工转捩带的轴向起始位置会影响到头部部分截面的压力分布,但对后体的影响很小.粗糙带的起始位置越靠后,所受影响的轴向位置越远.通过分析得出粗糙带起始位置与受影响的轴向位置x/D之间的关系曲线,由此确定模拟过临界雷诺数下流动时合适的粗糙带起始位置.     

如何加强军用软件的质量管理

军用软件在武器装备系统中的地位已经越来越重要,但我国军用软件的质量管理起步较晚,因此很有必要研究如何加强军用软件的质量管理.本文在阐述软件生命周期的基础上,从开展军用软件研制单位的软件能力评价、加强软件配置管理和加强第三方独立测试三个方面探讨了如何加强军用软件的质量管理.     

光盘形结构风荷载的风洞实验研究

应用风洞模拟实验研究了光盘形状结构的风荷载特性.风洞实验结果表明,在没有周围建筑物影响时,由于光盘形结构的截面具有对称翼型,上、下表面受到风荷载基本上都是负压分布,叠加后作用在光盘结构上的总体风荷载很小.周围建筑的存在对光盘形的风荷载影响很大,有周围建筑时光盘形结构所受的升力要比没有周围建筑时的值大1～3倍以上.特别有趣的是单独光盘形结构的整体风荷载除了受到一个升力的作用外,还受到了一个迎风低头的翻转力矩,为类似结构的风荷载设计提供了有益的启示.     

吸气模式激光推进空气等离子体光谱

利用实验室自行研制的紫外预电离CO2激光器进行了激光等离子体实验,实验采用底面直径均为60mm,焦距分别为5 mm和10 mm的两种抛物面光船。介绍了激光等离子体光谱和明显的特征谱线,以及激光等离子体温度估计模型;分析了两种光船对激光等离子体的影响。实验表明:相同底面直径10 mm焦距光船产生的等离子体信号峰值和持续时间均略大于5 mm焦距光船;10 mm焦距光船产生的等离子体温度明显高于5 mm的,最大温度产生时间比5 mm光船要晚一些。     

加油机尾流场建模与仿真分析

提出了等效气动效应法,建立了加油机尾流场的等效扰动模型。等效气动效应法采用逐点积分方法和加权平均方法,将尾流的影响等效为受油机运动方程直接可用的平均风速度和风梯度。对不同状态下受油机所受尾流的扰动作用进行了仿真。结果表明,扰动模型与实际情况比较符合。     

DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT

The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib–Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic–Ic0 as well as the related changes of the current gain (β) will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic–Ic0 increase; β and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of β are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT’s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phe-nomena were observed: Ic–Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will β in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristics was also discussed.