超高速磨削及应用

介绍了超高速磨削的原理,对超高速磨削的应用和优势进行了阐述,并分析了实现超高速磨削的相关技术条件,综述了我国在超高速磨削研究方面的工作.     

磨削磨料加工技术的最新发展

概述了近年来磨削技术及其理论研究领域的最新进展 ,其中包括超精密磨削、研磨、抛光以及超精密复合磨削 ,重负荷荒磨、砂带磨削、超高速磨削、高效深磨技术 ,磨削自动化、数控化、智能化和虚拟化等方面的发展 ;另外 ,还介绍了砂轮修整、磨削液注入、绿色磨削、表面完整性和磨削淬硬等方面的技术进步与最新成果     

起落架结构典型细节耐久性分析方法

阐述了军、民用飞机起落架结构典型细节耐久性分析方法。与以前常规分析方法不同的是,用本方法可以给出带95％可靠度、95％置信度的典型细节可靠性寿命。 该方法的关键在于如何确定细节的疲劳额定值PLE,为了开拓此方法,本文根据波音手册如何确定疲劳额定值的原则,用全尺寸起落架疲劳试验的数据结合疲劳最危险情况载荷谱当量一级化处理及试验可靠性处理等手段,给出要分析的主要构件典型细节的PLE值,从而解决了问题的关键。 经过理论推导,给出了军、民机起落架都适用的标准S—N曲线方程,只要代入各自的参数就可直接进行计算,非常方便。 本方法一个十分明显的优点就是工程性特别强,实用可靠。     

X射线衍射全谱拟合法测定碳/碳复合材料的点阵常数

利用X射线衍射仪,采用全谱拟含的方法,测定三种不同碳材料的点阵常数、石墨化度及微晶参数,测得三种碳材料(每个样品重复5次试验)六方晶系的a的标准偏差小于2.0×10~(-3),c的标准偏差小于1.4×10~(-3),石墨化度(g)的标准偏差小于1.5,微晶参数(L_(c002))的标准偏差小于0.5,是一种有效的测试碳材料晶体参数的方法.     

开关磁阻起动发电机静扭矩特性仿真与试验验证

开关磁阻起动发电机(SRM/G)的静扭矩特性表征了其扭矩输出能力,在设计阶段需进行较为准确的计算,以优化电机性能和降低后续试验成本。为快速获得比较准确的SRM/G静扭矩特性,提出了一种基于ANSYS有限元法求解电机磁化曲线族和磁共能的非线性模型。相比于传统常用的线性或非线性模型,该模型无需对磁化曲线进行反演,不规避微分计算,既能提高计算速度也能获得较好的计算结果。设计了静扭矩特性试验台,并通过试验测定了实际静扭矩特性,验证了该模型的准确性,为SRM/G静扭矩特性计算及优化设计提供了重要参考。     

基于Pos-FCN的红外图像背景抑制方法

红外图像背景抑制可以为红外目标检测识别任务提供支撑。在实际的应用场景中,红外图像中的目标多为弱小目标,其特征不明显,一般背景抑制算法难以将其从背景中分离,而达不到背景抑制的最佳效果。针对上述问题,提出使用Pos-FCN网络实现红外图像背景抑制的方法,该方法使用特征卷积结构,依靠高分辨网络结构获取弱小目标的特征信息,通过大尺寸卷积特征图的前向传播方式实现了高维度特征中弱小目标信息的保留,使用卷积降采样特征提取和上采样图像恢复方式实现了端到端的处理,并在前置训练阶段引入了位置信息强化网络骨干特征提取效果。结果表明,该方法处理后的红外图像中信杂比提高至3.877,对比度提高至0.297,检测率达到了93.6%,因此,该方法可以实现良好的背景抑制效果。     

航天领域C/C复合材料研究进展北大核心CSCD

随着科学技术的飞速发展,新型航天装备对防热、承载、多功能材料和结构提出了新的需求,也给C/C复合材料研究和应用带来了新的契机。本文总结了近年来C/C复合材料在超高温防热、高温承载、高导热以及非烧蚀低密度防热等功能及结构实现技术方面的主要进展,讨论了当前存在的主要问题,对未来研究方向提出了发展与展望。     

脉冲激光模拟空间载荷单粒子效应研究进展

脉冲激光作为模拟测试空间探测载荷半导体器件的单粒子效应现象的一种较新型手段,具有可以定位器件对单粒子效应敏感的具体单元以及动态测试电路系统对单粒子效应的时间响应特性的特点,能够满足工程部门、器件研发部门的不同需求。通过实验与理论研究,建立单粒子锁定与翻转效应的激光阈值能量与重离子LET值的对应关系,解决了脉冲激光模拟测试的激光结果如何定量的关键问题,据此可以定量摸底评估器件的单粒子效应敏感度,使脉冲激光测试载荷的结果更具评价以及指导意义,这对建立统一的脉冲激光单粒子效应评估试验标准以及对脉冲激光试验的推广具有重要意义。空间探测载荷发生单粒子效应后器件功能特性及电路系统的影响、防范单粒子效应电路条件影响的手段下电路系统的抗单粒子效应设计措施是的有效性,以及为空间探测专门研制的抗辐射ASIC电路评价,都需要更加精细的单粒子效应测试方法。通过建立便捷、低成本的脉冲激光定量试验的手段,解决了空间探测载荷上述单粒子效应试验的问题。     

0.13μm部分耗尽SOI工艺反相器链SET脉宽传播

基于0.13 μm部分耗尽绝缘体上硅（PD-SOI）工艺,设计了一款片上反相器链（DFF）单粒子瞬态（SET）脉宽测试电路并流片实现,SET脉宽测试范围为105~3 150 ps,精度为±52.5 ps。利用重离子加速器和脉冲激光模拟单粒子效应试验装置对器件进行了SET脉宽试验。采用线性能量传输（LET值）为37.6 MeV·cm2/mg的86Kr离子触发了反相器链的三级脉宽传播,利用脉冲激光正面测试器件触发了相同级数的脉宽,同时,激光能量值为5 500 pJ时触发了反相器链的双极放大效应,脉宽展宽32.4%。通过对比激光与重离子的试验结果,以及明确激光到达有源区的有效能量的影响因子,建立了激光有效能量与重离子LET值的对应关系,分析了两者对应关系偏差的原因。研究结果可为其他种类芯片单粒子效应试验建立激光有效能量与重离子LET值的对应关系提供参考。      

Flash芯片电流“尖峰”现象的脉冲激光试验

利用皮秒脉冲激光单粒子效应试验装置研究了一款宇航级Flash芯片的电流“尖峰”（HCS）现象。利用激光准确定位的特点，确定电流“尖峰”是由芯片的电荷泵单元充放电引起的，不同的激光能量、入射位置会触发不同频率、相同幅值的电流“尖峰”现象，虽然电流“尖峰”发生的瞬间电流增大的现象与单粒子锁定效应表现一致，但机理完全不同。当激光能量足够高（对应于重离子LET值99.8 MeV·cm2/mg）时，在电荷泵的同一个敏感位置累积多次辐照不断触发芯片发生电流“尖峰”，芯片会因多次充放电而损坏。